技术编号:9925431
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 为了允许半导体器件的击穿电压高、损耗低并且用于高溫环境中,近来已经越来 越多地采用碳化娃作为形成半导体器件的材料。碳化娃是带隙比传统上被广泛用作形成半 导体器件的材料的娃大的宽带隙半导体。因此,通过采用碳化娃作为形成半导体器件的材 料,可实现半导体器件的较高击穿电压和较低导通电阻。已经采用碳化娃作为材料的半导 体器件的优点还在于,在高溫环境中使用期间的特性降低小于已经采用娃作为材料的半导 体器件中。 例如,在采用碳化娃作为材料的半导体器件之中的金属氧化物...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。