技术编号：9929137
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种稀释剂组合物，更具体地涉及在半导体制造工艺中可应用于光刻 法工艺的多个步骤的稀释剂组合物及利用其的感光膜或旋涂硬掩膜（Spin on hard mask) 的形成方法。 相关申请的相互引用 本申请主张基于2014年12月18日韩国专利申请第10-2014-0183528的优先权， 将该专利申请文件中所公开的所有内容援引至本申请说明书中，作为其一部分使用。背景技术 光刻法（photolithography)工艺是指，利用光掩模在半导体基板上的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。