技术编号：9930386
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 半导体制造通常涉及图案化方案和其它工艺，由此氮化硅被选择性地蚀刻，从而 防止蚀刻衬底的其它暴露表面。随着器件的几何尺寸变得越来越小，使用高的蚀刻选择性 工艺以在诸如氮化硅等电介质层中实现开口的有效等离子体蚀刻。发明内容 本发明提供了蚀刻具有高选择性的氮化硅的方法。一个方面涉及一种通过下述步 骤蚀刻衬底上的氮化硅的方法（a)将一氧化二氮(N 20)、氧气(02)和氟化气体引入并点燃等 离子体以形成蚀刻物质；以及(b)使所述氮化硅暴露于所述蚀刻物质以在所述衬...
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