技术编号:9930422
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种。背景技术 随着半导体技术的不断发展,半导体器件的尺寸越来越小,互连结构的RC延迟效 应对器件的开启速度影响越来越大。为了减小RC延迟效应,现有技术用电阻率小的铜代替 电阻率大的铝,以减小金属互连线的电阻。并且,利用低K材料(介电常数值小于氧化硅的 材料)来取代传统的氧化娃,以减小金属互连线间的电容,然而低K材料形成的低K介质层 机械强度通常较小。当低K介质层的K值进一步降低时,通常其结构变得疏松多孔(由于 空气的介...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。