技术编号：9930427
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。制造半导体装置时，在半导体结构的某些区域中形成凹槽是必要的。包含干法蚀刻技术例如等离子体蚀刻的方法通常用于形成凹槽，其可例如提供其中可形成接触件的接触件开口。或者，凹槽可形成通孔开口，其可在层状半导体结构的导电层之间提供互连的路径。为此，最近几年在例如形成透过基材通孔(TSV)时，等离子体蚀刻方法例如反应性离子蚀刻、RIE，或深度RIE已引起了极大的兴趣。结果，可制造高密度的集成电路，其提供封装中的3D系统(3D_SiP)应用。在这种应用中，通孔可例如提供...
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