具有在fdsoi衬底中形成的垂直选择栅极的存储器单元的制作方法技术资料下载

技术编号:9930471

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本发明涉及一种电可擦除且可编程的非易失性存储器(EEPROM)。本发明尤其涉及一种非易失性存储器,其包括多个存储器单元,每个存储器单元包括浮置栅极晶体管和选择晶体管栅极。背景技术已经实施了多种解决方案以使得这样的存储器单元最小化。因此,存储器单元已经以成对的所谓的“配对”存储器单元被聚集在一起,以共享单个选择晶体管。图1是共享选择晶体管的一对存储器单元Cll、C12的连线图,它们属于存储器阵列中的两个相邻字线W〈i>、W〈i+l>。存储器单元C...
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