技术编号:9930505
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。金属-半导体(M-S)结是由金属和半导体接触形成的,金属-半导体接触产生两个最重要的效应整流效应和欧姆效应。利用金属-半导体整流接触特性制成的二极管称为肖特基势皇二极管,它和PN结二极管具有类似的电流-电压关系,即它们都有单向导电性。传统的肖特基二极管通常设计为平面型,因为这种结构的制造工艺简单,一般只需要有源区和金属层光刻,其缺点是电流密度低,器件耐压不高,管芯面积大,不利于集成。现有技术中三种常见的肖特基势皇二极管结构如下在图1(a)中,形成在N+硅衬...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。