技术编号:9932551
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体器件的制造中,使用离子注入对半导体掺杂杂质。离子注入系统通常被用于利用来自离子束的离子对诸如半导体晶圆的工件进行掺杂,以在集成电路的制造期间产生η型或P型材料掺杂或者形成钝化层。当被用于掺杂半导体晶圆时,离子注入系统将所选择的离子种类注入工件以产生期望的非本征材料。例如,注入从诸如锑、砷或磷的源材料所产生的离子导致“η型”非本征材料晶圆,而“ρ型”非本征材料晶圆通常产生自利用诸如硼、镓或铟的源材料所产生的离子。典型离子注入系统包括用于从电离源材料产...
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