技术编号：9965763
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长原材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。目前，公知的半导体MOCVD系统中，通常是在化学源蒸汽管道上加入气体过滤器以过滤粉尘颗粒，但是在重金属化合物MOCVD系统中，会存在堵塞问题，不能使用类似的气体过滤器。由于诸多原因，在此类系统中，化学源蒸汽管道里难免有粉尘颗...
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