技术编号：9965864
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。单晶硅的生产过程中，需要对晶棒的氧、碳、电阻率等参数进行检测，而在单晶硅中因为氧施主的存在，会导致测量数据失真。因此在单晶棒拉制完成后，在单晶棒特定位置切取1~5_的样块若干个，在样块检测前需要对样块进行退火处理，消除氧施主，确保检测数据的准确性。在进行一些特殊工艺时，对检测样块进行退火也是不可缺少的。退火是将单晶硅样块放在石英舟内，在720°C的退火炉中恒温20分钟，然后将单晶硅样块从退火炉中取出，快速冷却至室温的过程。石英舟在退火过程中是必不可少的载体...
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