一种齿瓣石斛非试管快繁方法

文档序号:316055阅读:238来源:国知局
专利名称:一种齿瓣石斛非试管快繁方法
技术领域
本发明涉及一种石斛的无性繁殖方法,更具体的说涉及一种齿瓣石斛非试管快繁
方法。
背景技术
齿瓣石斛(Dendrobium devonia皿m Paxt.)为近年开发应用的药用佳品,俗称紫 皮石斛,紫皮兰,小黄草,吊兰花等,主要分布于我国的云南、广西、贵州等省,缅甸、越南、老 挝、泰国也较多。由于近年来齿瓣石斛的市场较好,药农对齿瓣石斛进行了 "掠夺式"的采 摘,使石斛资源遭到巨大破坏,国内资源已经处于濒危状态,其商品所需齿瓣石斛主要来自 于国内边远山区和周边国家。 中国专利(ZL02134754. 9)公开了一种金钗石斛的快速繁殖方法,主要是在现有技 术五步骤的"丛生芽诱导"步骤之后增加"丛生芽增殖培养"。中国(ZL200410077729. 5)公 开了多种秋石斛兰原种和杂种的组织培养繁殖方法;中国专利申请(200710066480. 1)公 开了一种一种铁皮石斛茎尖组培快速繁殖的育苗方法;中国专利申请(200710160571. 1) 公开了一种春石斛组织培养快繁方法。通过组织培养快繁可以在一定程度解决石斛产业现 阶段所面临的种苗缺乏问题,但是存在成本较高,工艺难度大难以推广等问题。
中国专利申请(200810021790.6)公开了一种铁皮石斛的扦插培育方法,但是扦 插需要消耗大量的石斛植株,成本较高,大规模推广难度大。 据统计,目前齿瓣石斛的价格呈直线上升,研究并推广齿瓣石斛的无性繁殖技术 将起到保护濒危齿瓣石斛的作用。

发明内容
本发明提供了一种齿瓣石斛非试管快繁方法,非试管快速繁殖包括以下步骤
1)利用木材加工的边皮废料或石棉瓦作底构建苗床,以锯木屑、碎树皮、珍珠岩作 为基质; 2)茎段的种株分别在旺盛生长期和生长中后期进行激素调控和施肥处理;
3)茎段在扦插前进行茎段整形、创口预处理和干化处理;
4)将预处理过的茎段摆放在苗床上,对茎段进行半露状覆盖;
5)幼芽长出1 2cm时,在控制湿度的条件下,喷洒NAA和营养液;
6)种苗移栽。 步骤1)所述的苗床的床高10 15cm、床宽1 1. 2m、支架高0. 8 1. 0m ;基质 的厚度5 10cm。 步骤2)所述的旺盛生长期激素控制为在茎段扦插的前一年的6 9月对茎段的 母体植株喷施GA1浓度为1000mg/L+6-BA浓度为0. 05 0. 3mg/L的混合液两次,每次间隔 l个月; 生长中后期施肥处理为在茎段扦插的前一年的8 12月喷施浓度0.01 0. 1%氮肥3次,间隔20 30天,同时减少磷钾肥的施用。 步骤3)所述的开始茎段整形、创口预处理和干化处理的时间为扦插前一年的12 月至扦插当年的3月; 步骤3)所述的茎段整形为剪下落叶的种茎,于茎节中剖切为每段带一茎节的茎 段; 创口预处理为用草木灰于与茎段混合搅拌,让剖切面被充分覆盖; 干化处理为在温度为5 25",光照强度1000 50001x,的条件下晒3 5天,
后放置于通风处风干至扦插当年4 6月。 预处理为将茎段用0. 05 0. 3mg/L的6-BA处理1 3小时;
摆放的规格为间隔3 8cm摆放茎段,每亩在10 15万根茎段;
半露状覆盖的材料为锯木屑、粉碎的草粉或沙土。
步骤5)所述的湿度的条件为40 80% ; 喷洒喷施浓度0. 1 0. 8mg/LNAA —次;喷洒营养液,整个生长期每间隔20天喷施一次。 步骤6)所述的种苗移栽的时间为于茎段扦插次年的2 4月。 本发明的有益技术效果是本发明根据齿瓣石斛茎较长、茎节较多的特性,进行植
物的非试管快繁,较试管快繁和扦插等其他栽培方法,节约栽培用茎段超过50 % ,节约劳动
超过40% ;是一种成本低、速度快、移栽成活率高的方法,也是石斛属植物一种新的种苗快
繁途径。
具体实施例方式
a、建立温室和苗床 模拟组织培养试管微环境的温室,温室内应当设有喷水降温的弥雾微喷头和补 光灯;拱架上加盖微膜组成拱棚整体;利用木材加工的边皮废料或石棉瓦作底,做成床高 10 15cm、床宽1 1. 2m、床长因地而定、支架0. 8 1. 0m的种植床。以锯木屑、碎树皮、 珍珠岩或按适当比例进行混合作为基质;将基质铺于苗床上,厚度5 10cm。
b、制备离体材料 在茎段扦插的前一年的6 9月对茎段的母体植株喷施GA1 1000mg/L+6-BA 0.05 0. 3mg/L两次,每次间隔l个月;生长中后期壮苗培育为在茎段扦插的前一年的 8 12月喷施浓度0. 01 0. 1%氮肥3次,间隔20 30天,同时减少磷钾肥的施用。
茎段整形、创口预处理和干化处理的时间为扦插前一年的12月至扦插当年的 3月;茎段整形为剪下落叶的种茎,于茎节中剖切为每段带一茎节的茎段;创口预处理为 用草木灰于茎段混合搅拌,让剖切被充分覆盖;干化处理为在温度为5 25t:,光照强度 1000 50001x,的条件下晒3 5天,后放置于通风处风干至扦插当年4 6月后备用。
c、种苗培养 将茎段用0. 05 0. 3mg/L的6-BA处理1 3小时;摆放的规格为间隔3 8cm 摆放茎段,每亩在10 15万根茎段,半露状覆盖的材料为锯木屑、粉碎的草粉或沙土,湿度 的条件为40 80% ,喷洒营养液为喷施浓度0. 1 0. 8mg/LNAA —次。整个生长期每20天 喷施一次。
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种苗于次年2 4月移栽c
权利要求
一种齿瓣石斛非试管快繁方法,其特征在于非试管快速繁殖包括以下步骤1)利用木材加工的边皮废料或石棉瓦作底构建苗床,以锯木屑、碎树皮、珍珠岩作为基质;2)茎段的种株分别在旺盛生长期和生长中后期进行激素调控和施肥处理;3)茎段在扦插前进行茎段整形、创口预处理和干化处理;4)将预处理过的茎段摆放在苗床上,对茎段进行半露状覆盖;5)幼芽长出1~2cm时,在控制湿度的条件下,喷洒NAA和营养液;6)种苗移栽。
2. 根据权利要求1所述的齿瓣石斛非试管快繁方法,其特征在于步骤1)所述的苗床 的床高10 15cm、床宽1 1. 2m、支架高0. 8 1. 0m ;基质的厚度5 10cm。
3. 根据权利要求1所述的齿瓣石斛非试管快繁方法,其特征在于步骤2)所述的旺 盛生长期激素控制为在茎段扦插的前一年的6 9月对茎段的母体植株喷施GA1浓度为 1000mg/L+6-BA浓度为0. 05 0. 3mg/L的混合液两次,每次间隔1个月;生长中后期施肥处理为在茎段扦插的前一年的8 12月喷施浓度0. 01 0. 1%氮 肥3次,间隔20 30天,同时减少磷钾肥的施用。
4. 根据权利要求l所述的齿瓣石斛非试管快繁方法,其特征在于步骤3)所述的开始 茎段整形、创口预处理和干化处理的时间为扦插前一年的12月至扦插当年的3月;步骤3)所述的茎段整形为剪下落叶的种茎,于茎节中剖切为每段带一茎节的茎段; 创口预处理为用草木灰于与茎段混合搅拌,让剖切面被充分覆盖; 干化处理为在温度为5 25",光照强度100(T50001x,的条件下晒3 5天,后放置 于通风处风干至扦插当年4 6月。
5. 根据权利要求1所述的齿瓣石斛非试管快繁方法,其特征在于预处理为将茎段用 0. 05 0. 3mg/L的6-BA处理1 3小时;摆放的规格为间隔3 8cm摆放茎段,每亩在10 15万根茎段; 半露状覆盖的材料为锯木屑、粉碎的草粉或沙土。
6. 根据权利要求1所述的齿瓣石斛非试管快繁方法,其特征在于步骤5)所述的湿度 的条件为40 80% ;喷洒喷施浓度0. 1 0. 8mg/LNAA —次;喷洒营养液,整个生长期每间隔20天喷施一次。
7. 根据权利要求1所述的齿瓣石斛非试管快繁方法,其特征在于步骤6)所述的种苗移栽的时间为于茎段扦插次年的2 4月。
全文摘要
本发明公开了一种齿瓣石斛非试管快繁方法,主要包括构建苗床、母体植株的壮苗、茎段在扦插前的处理、栽植于苗床上、田间管理和种苗移栽几个步骤;本发明根据齿瓣石斛茎较长、茎节较多的特性,进行植物的非试管快繁,是一种成本低、速度快、移栽成活率高的方法,也是石斛属植物一种新的种苗快繁途径。解决了石斛组培技术难度大、成本高、移栽成活率低等严重制约产业化进程的问题。
文档编号A01G1/00GK101695249SQ20091019121
公开日2010年4月21日 申请日期2009年10月26日 优先权日2009年10月26日
发明者刘翔, 张明, 明兴加, 秦松云, 蒋渝, 赵纪锋, 钟国跃 申请人:重庆市中药研究院;
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