专利名称：一种栉花竹芋的组培快速繁殖方法
技术领域：
本发明涉及组织培养，具体的说，涉及一种栉花竹芋(Ctenanthe burle-marxii) 的组织培养快速繁殖方法。
背景技术：
栉花竹芋(Ctenanthe burle-marxii)为竹芋科栉花竹芋属植物，原产于南美洲的 巴西、哥斯达黎加和秘鲁，近几年引入我国，在华北、华东和华南等地区有少量栽培。栉花 竹芋是多年生常绿观叶植物，株高50 80cm，叶片呈长方卵形，叶面浅绿色，沿着静脉两边 有镰刀形的深绿色斑纹，叶背紫红色，茎枝坚挺、簇生，整株姿态优美、色彩绚丽，是极优良 的室内观叶植物和庭院美化植物。栉花竹芋主要采用分株繁殖，但育苗周期太长，繁殖系数 低，难以满足市场需求，从国外直接购买栉花竹芋种苗价格太高，因此迫切需要研究出能大 量快速繁殖栉花竹芋的方法。组织培养是快速繁殖优良植物品种的一条重要途径，竹芋科的植物已有不少属和 种进行了组织培养的相关报道，但是栉花竹芋的组织培养却没有相关报道，因此需要研究 栉花竹芋的组织培养，并形成一套专门的快速繁殖技术体系。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种栉花竹芋的组培快速繁殖方法。一种栉花竹芋的组培快速繁殖方法包括如下步骤1)外植体的选择与消毒取栉花竹芋新生地下侧芽为外植体，剥去展开的叶片 和叶鞘，用水冲洗干净，切除基部木质化组织，将侧芽切成1. 0 1. 5cm的幼芽，用水冲洗 20 30min，在无菌条件下用70%酒精消毒20 30s，再用0. 升汞消毒12 16min，无 菌水冲洗3 5次，放入瓶中备用；2)幼芽启动培养在无菌操作台上，从瓶中取出步骤1)中的幼芽，剥去与药液接 触而受伤的最外层苞叶，接种于幼芽启动培养基上进行启动培养，培养周期为28 35d，培 养温度为23 27°C，光照时间为12 16h/d，光照强度为2000 30001ux ；3)芽增殖培养将步骤2)中1. 0 1. 5cm的幼芽切下，分成单株转接到芽增殖培 养基中进行增殖培养，增殖继代周期为28 35d，培养温度为23 27°C，光照时间为12 16h/d，光照强度为2000 30001ux ；4)生根培养将步骤3)中2. 5 3. 5cm的丛生芽切下，接种到生根培养基上进行 生根培养，培养周期为30 35d，培养温度为23 27°C，光照时间为12 16h/d，光照强度 为 2000 30001ux ；5)植株的驯化与移栽将步骤4)中得到的完整小苗连瓶置于自然光照下闭口炼 苗，10 15d后取出，洗净附着的培养基，置于1000倍多菌灵溶液中浸泡20 30s，然后 移栽于体积比为5 1的泥炭土和蛭石的混合基质中，喷雾保湿80% 90%，遮荫75% 85%，保温20 25 °C培养。
所述的步骤2)中的幼芽启动培养基为MS+6-BA 3. 0 5. Omg/1+NAA 0. 1 0. 3mg/l，其中MS为常规基本培养基Murashige&Skoog 1962，6-BA为6-苄基腺嘌呤，NAA 为萘乙酸。所述的步骤3)中的芽增殖培养基为MS+6-BA 2. 0 3. 5mg/l+NAA 0. 2 0. 5mg/ 1，其中MS为常规基本培养基Murashige&Skoog 1962，6-BA为6-苄基腺嘌呤，NAA为萘乙酸。所述的步骤4)中的生根培养基为1/2MS+NAA 0. 1 0. 3mg/l+活性炭200 600mg/l，其中MS为常规基本培养基Murashige&Skoog 1962，将该常规基本培养基中的大 量元素浓度减半得到1/2MS，NAA为萘乙酸。所述的幼芽启动培养基、芽增殖 培养基、生根培养基中均加入6. 0 8. Og/Ι的琼 脂和20 30g/l的白砂糖。所述的芽启动培养基、芽增殖培养基和生根培养基的PH值均为5. 6 5. 8。本发明与现有技术相比，具有的有益效果(1)建立了栉花竹芋的组培快速繁殖 方法，相比传统的分株繁殖方法，极大地提高了繁殖系数，为科研和生产栽培提供了技术支 持；(2)通过组培快速繁殖得到的幼苗，生长强健，叶色浓绿，一致性强，成苗容易，适应性 强，病虫害少，易于管理；(3)利用组培快速繁殖栉花竹芋，解除了季节与气候的限制，从而 缩短了育苗周期，增加了繁殖量；(4)在保存和繁育优良突变体或优良杂种一代方面有非 常重要的意义，一株具有明显优势的栉花竹芋突变体或一个具明显优势的后代经组织培养 后可大面积推广。
具体实施例方式以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。在本发明中所述的MS为常规基本培养基Murashige&Skoog 1962，6-BA为6_苄基 腺嘌呤，NAA为萘乙酸。实施例1(1)外植体的选择与消毒取栉花竹芋新生地下侧芽为外植体，剥去展开的叶片 和叶鞘，用水冲洗干净，切除基部木质化组织，将侧芽切成1. Ocm的幼芽，用水冲洗20min， 在无菌条件下用70%酒精消毒20s，再用0. 升汞消毒12min，无菌水冲洗3次，放入瓶中 备用；(2)幼芽启动培养在无菌操作台上，从瓶中取出步骤1)中的幼芽，剥去与药液 接触而受伤的最外层苞叶，接种于幼芽启动培养基上进行启动培养，该培养基为MS+6-BA 3. Omg/1+NAA 0. lmg/1，培养基中加入6. Og/Ι的琼脂，20g/l的蔗糖，pH值为5. 6，培养周期 为28d，培养温度为23°C，光照时间为12h/d，光照强度为20001UX，培养16d后侧芽开始萌 动，在侧芽基部诱导出幼芽，每个外植体启动分化1.8个幼芽。(3)芽增殖培养将步骤2)中1. 0 1. 5cm的幼芽切下，分成单株转接到芽增殖培 养基中进行增殖培养，该培养基为MS+6-BA 2. Omg/1+NAA 0. 2mg/l，培养基中加入6. Og/ 1的琼脂，20g/l的蔗糖，pH值为5. 6，增殖继代周期为28d，培养温度为23°C，光照时间为 12h/d，光照强度为20001UX，增殖培养20d后分化出丛生芽，丛生芽增殖系数达2. 0倍，平均 芽高为2. 2cm，且芽苗生长健壮、叶片展开较好。
(4)生根培养将步骤3)中2. 5 3. 5cm的丛生芽切下，接种到生根培养基上进行生根培养，该培养基为1/2MS+NAA 0. lmg/1+活性炭200mg/l，培养基中加入6. Og/Ι的琼 脂，20g/l的蔗糖，pH值为5. 6，培养周期为30d，培养温度为23°C，光照时间为12h/d，光照 强度为20001ux，12d后芽基部开始出现白色根原基突起，逐渐长出新根，23d后幼苗基部长 出数条完整根系，形成完整小苗，生根率为82%，平均生根数为2. 5个，平均根长为2. 9cm。(5)植株的驯化与移栽将步骤4)中得到的完整小苗连瓶置于自然光照下闭口炼 苗，IOd后取出，洗净附着的培养基，置于1000倍多菌灵溶液中浸泡20s，然后移栽于体积比 为5 1的泥炭土和蛭石的混合基质中，喷雾保湿80%，遮荫75%，保温20°C培养，成活率 达 86%。实施例2(1)外植体的选择与消毒取栉花竹芋新生地下侧芽为外植体，剥去展开的叶片 和叶鞘，用水冲洗干净，切除基部木质化组织，将侧芽切成1. 2cm的幼芽，用水冲洗23min， 在无菌条件下用70%酒精消毒24s，再用0. 升汞消毒13min，无菌水冲洗3次，放入瓶中 备用；(2)幼芽启动培养在无菌操作台上，从瓶中取出步骤1)中的幼芽，剥去与药液 接触而受伤的最外层苞叶，接种于幼芽启动培养基上进行启动培养，该培养基为MS+6-BA 3. 5mg/l+NAA 0. lmg/1，培养基中加入6. 5g/l的琼脂，23g/l的蔗糖，pH值为5. 6，培养周期 为30d，培养温度为24°C，光照时间为13h/d，光照强度为22001UX，培养14d后侧芽开始萌 动，在侧芽基部诱导出幼芽，每个外植体启动分化2. 6个幼芽。(3)芽增殖培养将步骤2)中1. 0 1. 5cm的幼芽切下，分成单株转接到芽增殖培 养基中进行增殖培养，该培养基为MS+6-BA 2. 5mg/l+NAA 0. 3mg/l，培养基中加入6. 5g/ 1的琼脂，23g/l的蔗糖，pH值为5.6，增殖继代周期为30(1，培养温度为241，光照时间为 13h/d，光照强度为22001UX，增殖培养17d后分化出丛生芽，丛生芽增殖系数达2. 5倍，平均 芽高为2. 7cm，且芽苗生长健壮、叶片展开较好。(4)生根培养将步骤3)中2. 5 3. 5cm的丛生芽切下，接种到生根培养基上进 行生根培养，该培养基为1/2MS+NAA 0. 2mg/l+活性炭300mg/l，培养基中加入6. 5g/l的琼 脂，23g/l的蔗糖，pH值为5. 6，培养周期为32d，培养温度为24°C，光照时间为13h/d，光照 强度为22001UX，IOd后芽基部开始出现白色根原基突起，逐渐长出新根，19d后幼苗基部长 出数条完整根系，形成完整小苗，生根率为85%，平均生根数为2. 8个，平均根长为3. 5cm。(5)植株的驯化与移栽将步骤4)中得到的完整小苗连瓶置于自然光照下闭口炼 苗，IOd后取出，洗净附着的培养基，置于1000倍多菌灵溶液中浸泡24s，然后移栽于体积比 为5 1的泥炭土和蛭石的混合基质中，喷雾保湿85%，遮荫80%，保温22°C培养，成活率 达 90%。实施例3(1)外植体的选择与消毒取栉花竹芋新生地下侧芽为外植体，剥去展开的叶片 和叶鞘，用水冲洗干净，切除基部木质化组织，将侧芽切成1. 4cm的幼芽，用水冲洗26min， 在无菌条件下用70%酒精消毒25s，再用0. 升汞消毒14min，无菌水冲洗4次，放入瓶中 备用；(2)幼芽启动培养在无菌操作台上，从瓶中取出步骤1)中的幼芽，剥去与药液接触而受伤的最外层苞叶，接种于幼芽启动培养基上进行启动培养，该培养基为MS+6-BA 4.Omg/1+NAA 0. 2mg/l，培养基中加入7. Og/Ι的琼脂，25g/l的蔗糖，pH值为5. 6，培养周期 为33d，培养温度为25°C，光照时间为15h/d，光照强度为25001UX，培养15d后侧芽开始萌 动，在侧芽基部诱导出幼芽，每个外植体启动分化2. 7个幼芽。(3)芽增殖培养将步骤2)中1. 0 1. 5cm的幼芽切下，分成单株转接到芽增殖培 养基中进行增殖培养，该培养基为MS+6-BA 2. 8mg/l+NAA 0. 4mg/l，培养基中加入7. Og/1 的琼脂，25g/l的蔗糖，pH值为5. 6，培养周期为33d，培养温度为25°C，光照时间为15h/d， 光照强度为25001UX，增殖培养15d后分化出丛生芽，丛生芽增殖系数达3. 0倍，平均芽高为 2. 5cm，且芽苗生长健壮、叶片展开较好。(4)生根培养将步骤3)中2. 5 3. 5cm的丛生芽切下，接种到生根培养基上进行 生根培养，该培养基为1/2MS+NAA 0. 25mg/l+活性炭400mg/l，培养基中加入7. Og/Ι的琼 脂，25g/l的蔗糖，pH值为5. 6，培养周期为33d，培养温度为25°C，光照时间为15h/d，光照 强度为25001ux，12d后芽基部开始出现白色根原基突起，逐渐长出新根，23d后幼苗基部长 出数条完整根系，形成完整小苗，生根率为92%，平均生根数为2. 3个，平均根长为3. 7cm。(5)植株的驯化与移栽将步骤4)中得到的完整小苗连瓶置于自然光照下闭口炼 苗，14d后取出，洗净附着的培养基，置于1000倍多菌灵溶液中浸泡26s，然后移栽于体积比 为5 1的泥炭土和蛭石的混合基质中，喷雾保湿86%，遮荫80%，保温23°C培养，成活率 达 95%。实施例4(1)外植体的选择与消毒取栉花竹芋新生地下侧芽为外植体，剥去展开的叶片 和叶鞘，用水冲洗干净，切除基部木质化组织，将侧芽切成1. 4cm的幼芽，用水冲洗28min， 在无菌条件下用70%酒精消毒28s，再用0. 升汞消毒15min，无菌水冲洗4次，放入瓶中 备用；(2)幼芽启动培养在无菌操作台上，从瓶中取出步骤1)中的幼芽，剥去与药液 接触而受伤的最外层苞叶，接种于幼芽启动培养基上进行启动培养，该培养基为MS+6-BA 4. 5mg/l+NAA 0. 2mg/l，培养基中加入7. Og/Ι的琼脂，28g/l的蔗糖，pH值为5. 7，培养周期 为32d，培养温度为26°C，光照时间为15h/d，光照强度为28001UX，培养13d后侧芽开始萌 动，在侧芽基部诱导出幼芽，每个外植体启动分化2. 8个幼芽。(3)芽增殖培养将步骤2)中1. 0 1. 5cm的幼芽切下，分成单株转接到芽增殖培 养基中进行增殖培养，该培养基为MS+6-BA 2. 5mg/l+NAA 0. 3mg/l，培养基中加入7. Og/ 1的琼脂，28g/l的蔗糖，pH值为5. 7，增殖继代周期为32d，培养温度为26°C，光照时间为 15h/d，光照强度为28001UX，增殖培养15d后分化出丛生芽，丛生芽增殖系数达3. 2倍，平均 芽高为3. 0cm，且芽苗生长健壮、叶片展开较好。(4)生根培养将步骤3)中2. 5 3. 5cm的丛生芽切下，接种到生根培养基上进 行生根培养，该培养基为1/2MS+NAA 0. 2mg/l+活性炭500mg/l，培养基中加入7. Og/Ι的琼 脂，28g/l的蔗糖，pH值为5. 7，培养周期为32d，培养温度为26°C，光照时间为15h/d，光照 强度为28001ux，12d后芽基部开始出现白色根原基突起，逐渐长出新根，23d后幼苗基部长 出数条完整根系，形成完整小苗，生根率为87%，平均生根数为2. 8个，平均根长为3. 2cm。(5)植株的驯化与移栽将步骤4)中得到的完整小苗连瓶置于自然光照下闭口炼苗，10d后取出，洗净附着的培养基，置于1000倍多菌灵溶液中浸泡20s，然后移栽于体积比 为5 1的泥炭土和蛭石的混合基质中，喷雾保湿87%，遮荫80%，保温23°C培养，成活率 达 93%。实施例5(1)外植体的选择与消毒取栉花竹芋新生地下侧芽为外植体，剥去展开的叶片 和叶鞘，用水冲洗干净，切除基部木质化组织，将侧芽切成1. 5cm的幼芽，用水冲洗30min， 在无菌条件下用70%酒精消毒30s，再用0. 升汞消毒16min，无菌水冲洗5次，放入瓶中
(2)幼芽启动培养在无菌操作台上，从瓶中取出步骤1)中的幼芽，剥去与药液 接触而受伤的最外层苞叶，接种于幼芽启动培养基上进行启动培养，该培养基为MS+6-BA 5. Omg/1+NAA 0. 3mg/l，培养基中加入8. Og/1的琼脂，30g/l的蔗糖，pH值为5. 8，培养周期 为35d，培养温度为27°C，光照时间为16h/d，光照强度为30001UX，培养18d后侧芽开始萌 动，在侧芽基部诱导出幼芽，每个外植体启动分化2. 5个幼芽。(3)芽增殖培养将步骤2)中1. 0 1. 5cm的幼芽切下，分成单株转接到芽增殖培 养基中进行增殖培养，该培养基为MS+6-BA 3. 5mg/l+NAA 0. 5mg/l，培养基中加入8. Og/1 的琼脂，30g/l的蔗糖，pH值为5. 8，培养周期为35d，培养温度为27°C，光照时间为16h/d， 光照强度为30001UX，增殖培养18d后分化出丛生芽，丛生芽增殖系数达2. 8倍，平均芽高为 2. 8cm，且芽苗生长健壮、叶片展开较好。(4)生根培养将步骤3)中2. 5 3. 5cm的丛生芽切下，接种到生根培养基上进 行生根培养，该培养基为1/2MS+NAA 0. 3mg/l+活性炭600mg/l，培养基中加入8. Og/1的琼 脂，30g/l的蔗糖，pH值为5. 8，培养周期为35d，培养温度为27°C，光照时间为16h/d，光照 强度为30001ux，12d后芽基部开始出现白色根原基突起，逐渐长出新根，25d后幼苗基部长 出数条完整根系，形成完整小苗，，生根率为92%，平均生根数为2. 6个，平均根长为3. 0cm。(5)植株的驯化与移栽将步骤4)中得到的完整小苗连瓶置于自然光照下闭口炼 苗，15d后取出，洗净附着的培养基，置于1000倍多菌灵溶液中浸泡30s，然后移栽于体积比 为5 1的泥炭土和蛭石的混合基质中，喷雾保湿90%，遮荫85%，保温25°C培养，成活率 达 88%。虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明做了详细的描述，但在 本发明基础上，可以对之作一些修改和改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因 此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。
权利要求
一种栉花竹芋的组培快速繁殖方法，其特征在于包括如下步骤1)外植体的选择与消毒取栉花竹芋新生地下侧芽为外植体，剥去展开的叶片和叶鞘，用水冲洗干净，切除基部木质化组织，将侧芽切成1.0～1.5cm的幼芽，用水冲洗20～30min，在无菌条件下用70％酒精消毒20～30s，再用0.1％升汞消毒12～16min，无菌水冲洗3～5次，放入瓶中备用；2)幼芽启动培养在无菌操作台上，从瓶中取出步骤1)中的幼芽，剥去与药液接触而受伤的最外层苞叶，接种于幼芽启动培养基上进行启动培养，培养周期为28～35d，培养温度为23～27℃，光照时间为12～16h/d，光照强度为2000～3000lux；3)芽增殖培养将步骤2)中1.0～1.5cm的幼芽切下，分成单株转接到芽增殖培养基中进行增殖培养，增殖继代周期为28～35d，培养温度为23～27℃，光照时间为12～16h/d，光照强度为2000～3000lux；4)生根培养将步骤3)中2.5～3.5cm的丛生芽切下，接种到生根培养基上进行生根培养，培养周期为30～35d，培养温度为23～27℃，光照时间为12～16h/d，光照强度为2000～3000lux；5)植株的驯化与移栽将步骤4)中得到的完整小苗连瓶置于自然光照下闭口炼苗，10～15d后取出，洗净附着的培养基，置于1000倍多菌灵溶液中浸泡20～30s，然后移栽于体积比为5∶1的泥炭土和蛭石的混合基质中，喷雾保湿80％～90％，遮荫75％～85％，保温20～25℃培养。
2.根据权利要求1所述的一种栉花竹芋组培快速繁殖方法，其特征在于所述的步骤2)中的幼芽启动培养基为MS+6-BA3. 0 5. Omg/1+NAA 0. 1 0. 3mg/l，其中MS为常规 基本培养基Murashige&Skoog 1962，6_BA为6-苄基腺嘌呤，NAA为萘乙酸。
3.根据权利要求1所述的一种栉花竹芋组培快速繁殖方法，其特征在于所述的步骤3)中的芽增殖培养基为MS+6-BA2. 0 3. 5mg/l+NAA 0. 2 0. 5mg/l，其中MS为常规基 本培养基Murashige&Skoog 1962，6-BA为6-苄基腺嘌呤，NAA为萘乙酸。
4.根据权利要求1所述的一种栉花竹芋组培快速繁殖方法，其特征在于所述的步骤4)中的生根培养基为l/^MS+NAA0. 1 0. 3mg/l+活性炭200 600mg/l，其中MS为常 规基本培养基Murashige&Skoog 1962，将该常规基本培养基中的大量元素浓度减半得到 1/2MS，NAA为萘乙酸。
5.根据权利要求1所述的一种栉花竹芋组培快速繁殖方法，其特征在于所述的幼芽 启动培养基、芽增殖培养基、生根培养基中均加入6. 0 8. Og/Ι的琼脂和20 30g/l的白 砂糖。
6.根据权利要求1所述的一种栉花竹芋组培快速繁殖方法，其特征在于所述的芽启 动培养基、芽增殖培养基和生根培养基的PH值均为5. 6 5. 8。
全文摘要
本发明公开了一种栉花竹芋的组培快速繁殖方法。以栉花竹芋的新生地下侧芽为外植体，经过外植体消毒、芽启动培养、芽增殖培养、生根培养，形成完整的植株小苗，将完整小苗驯化、移栽到育苗基质中，长成正常的栉花竹芋植株。本发明的栉花竹芋组培快速繁殖方法，地下侧芽培养13d即可启动新芽萌发，每个地下侧芽可分化芽数为2.8个，经过35d培养增殖系数达3.2，生根率达92％，移栽成活率达95％。本发明通过组培快速繁殖技术实现了对栉花竹芋单株的保存，克服了栉花竹芋育苗周期太长、繁殖系数低的问题，可进行种苗工厂化大规模生产，以适应市场对栉花竹芋的需求。
文档编号A01H4/00GK101796923SQ20101013357
公开日2010年8月11日 申请日期2010年3月26日 优先权日2010年3月26日
发明者张超, 楼楠男, 荣松, 鲁守臣 申请人:浙江传化生物技术有限公司