大豆胚轴小部位植换与超积温诱导育种的制作方法

文档序号:309174阅读:274来源:国知局
专利名称:大豆胚轴小部位植换与超积温诱导育种的制作方法
技术领域
本发明属大豆种子改良与培育。
背景技术
大豆是世界上最重要的农作物之一,提高产量与品质是人们最期望的 追求。选育良种与使用化肥是当前提高其产量的两大主流做法,而转基因品种人们对它 并不欢迎。

发明内容
本发明的内容是选丰德4号大豆与小白豆在休眠期过后,用专利 《200910136687. 9》清水稀释后浸泡M小时做引动渗透处理,处理好后用铰刀在大豆的上 胚轴与下胚轴中间铰出2-3毫米,直径50微米的孔一个,然后在白豆的同部位取出长2-3 毫米直径50微的一段放入大豆孔内,作好后放入育苗箱做低温8-10°C炼芽,12-15天后播 种,用本发明处理的大豆株高可达1. 1米,干生15-18节,每节生夹4-7个,并可长出5个豆 粒豆夹,且抗逆性好,抗病、抗倒伏,耐低温,生长活力强,提高产量10% -15%。
具体实施例方式丰德4号大豆与小白豆同时放入专利《200910135687. 9》稀释液中 浸泡M小时后,在大豆的上胚轴与下胚轴中间铰出直径50微米深2毫米的孔一个,在小白 豆同部位取出与孔相对应的一段植入大豆孔中,然后放育苗箱以8-10°C低温炼芽12-15天 后播种,以常规模式管理直至成熟收割。权利要求
1.大豆胚轴小部位植换与超积温诱导育种属大豆种子改良与培育,其特征在于大豆 与小白豆同时放入专利《200910135687. 9》稀释液中浸泡M小时后,在大豆的上胚轴与下 胚轴中间铰出直径50微米深2毫米的孔一个,在小白豆同部位取出与孔相对应的一段植入 大豆孔中。
全文摘要
大豆胚轴小部位植换与超积温诱导育种,属大豆种子改良与培育,选丰德4号大豆与小白豆在休眠期过后,用专利《200910136687.9》清水稀释后浸泡24小时做引动渗透处理,处理好后用铰刀在大豆的上胚轴与下胚轴中间铰出2-3毫米,直径50微米的孔一个,然后在白豆的同部位取出长2-3毫米直径50微的一段放入大豆孔内,作好后放入育苗箱做低温8-10℃炼芽,12-15天后播种,用本发明处理的大豆株高可达1.1米,干生15-18节,每节生夹4-7个,并可长出5个豆粒豆夹,且抗逆性好,抗病、抗倒伏,耐低温,生长活力强,提高产量10%-15%。
文档编号A01C1/00GK102037808SQ20101051706
公开日2011年5月4日 申请日期2010年10月25日 优先权日2010年10月25日
发明者曲元翠 申请人:曲元翠
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