一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法
【专利摘要】本发明公开了一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法，通过1)、外植体获取及脱毒；2)、外植体诱导培养；3)、丛生芽培养；4)、生根培养；5)、炼苗；6)、大田培育，将实验室克隆技术与大棚训练方法技术结合繁殖吉赛拉砧木，解决了以往繁殖速度慢，且砧木品种差的问题，繁育速度相比扦插繁育提高30倍以上，技术先进，节省时间，一年可繁育10——100万株生产苗木，有很高的推广价值和应用价值。
【专利说明】一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法
【技术领域】[0001]本发明涉及樱桃栽培领域，特别涉及大樱桃吉塞拉快速繁育方法。
【背景技术】
[0002]大樱桃原产于欧洲，为优良的乔木水果果树品种，因大樱桃具有果实成熟期早、果粒大、色泽绚丽、口感好、经济效益高等诸多特点，而且营养物种丰富，保健功能强，深受消费者喜爱。中国属引种栽培国家，发展速度很快。同时大樱桃又是嫁接栽培的果树品种，生产栽培过程中，砧木品种选用十分重要。因为砧木决定树势、树龄、抗性、适应性，也影响丰产性能、果实品质和花果时间等。针对不能用种子繁殖的多倍体植物，目前采用常规扦插繁殖的缺点主要表现为:
[0003]1、技术不稳定。
[0004]2、扦插的材料来源少，材料不能达到理想的繁育目的。
[0005]3、繁殖技术为常规方法，不能与现代先进的科学技术接轨。
[0006]繁殖速度慢，不能满足产业化发展的需要。
[0007]“吉塞拉”是由德国育成的三倍体优良矮化砧木品种。具有使树体矮化开张、早花早果、早熟和丰产、稳产、抗旱、抗寒、固地性好，对土壤适应范围广等诸多优点。在目前，中国大樱桃产业化大发展的背景下，良种砧木远跟不上生产需要，市场苗木极为混乱，不良砧木品种会给产业持续发展带来许多负面效应，到目前许多地区已经出现了树体不健康(病害严重)、死树、不结果或果实品质差等现象，而且良种繁育技术不够先进，
[0008]综上，之前生产中砧木繁殖多以种子繁殖求得效益和速度，对砧木质量的重要问题重视不够，所以砧木品种不优、混乱。吉塞拉是大樱桃的优良砧木品种，但为3倍体生物，没有种子，所以大量快速繁殖有难度。有扦插繁殖技术应用，但繁殖速度较慢，远不能满足生产需要。
【发明内容】
[0009]为解决上述现有技术存在的问题，本发明提出一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法，通过实验室克隆技术与大棚训练方法技术结合，繁育速度相比扦插繁育提高30倍以上，技术先进，节省时间，一年可繁育10——100万株生产苗木，有很高的推广价值和应用价值。
[0010]为达到上述目的，本发明的技术方案为:
[0011]一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法，包括如下步骤:
[0012]I)、外植体获取及脱毒
[0013]外植体要通过材料脱毒、杀菌消毒后获取无菌茎尖；
[0014]2)、外植体诱导培养
[0015]外植体诱导培养基:MS+6-BA0.5mg / L+ZT0.4mg / L+IBA0.1mg / L，对“吉塞拉”外植体诱导培养30d，获得新生芽体。
[0016]3)、丛生芽增殖培养[0017]选择用MS为基本培养基，用4种激素6-BA (6_苄氨基嘌呤)、ZT (玉米素)、ΚΤ (激动素)、IBA (吲哚丁酸)组合，对“吉塞拉”外植体诱导培养25d ;可明显提高丛生芽增殖系数(达到11)。
[0018]4)、生根培养
[0019]采用:1 / 4MS+6-BA0.3mg / L+IBA0.5mg / L培养基，黑暗处理15d进行生根培养，生根效果达到5根/株左右。
[0020]5)、炼苗技术
[0021]炼苗基质及配方选用:草粪:园土 =1:1配比，在大棚对炼苗环境(温度、湿度)全程控制7d.炼苗温度保持在18°C~26°C之间，炼苗湿度保持在80%。成活率达90%以上；
[0022]6)、大田培育
[0023]通过炼苗成活的幼苗在移入大田，在自然环境中培育2——3月。
[0024]进一步，所述步骤I)外植体获取及脱毒的具体操作为:①脱毒:将盆栽苗放入热处理箱内，进行变温 处理，开始处理时温度为30-32 V，然后每隔Id提高TC，直至37~38°C,稳定处理6周。②杀菌消毒:取1.5-2.0cm长新梢,用自来水冲洗10~12h,然后在超净工作台上用70%酒精浸泡材料30s，用0.1%升汞浸泡8~12min，并不时轻轻搅动；加入适量吐温-倾去升汞-用无菌水冲洗8~10次后，用无菌纱布吸干水分；③外植体获取:在无菌室解剖镜下，切取0.3mm左右茎尖接种至培养基培养。
[0025]进一步，所述步骤2)中培养环境条件为:清洁环境，培养温度22_28°C，光照时间8-14h / d，光照强度 1000-3000Lx。
[0026]进一步，所述步骤3)中培养基配方及具体浓度为:Ms+6_BA0.5mg / L+ZT0.2mg /L+KT0.2mg / L+IBA0.lmg/L。
[0027]进一步，所述步骤5)中炼苗基质也可为草炭土:蛭石:珍珠岩=6:3:1混合配比或草粪:园土 =1:1配比。
[0028]进一步，所述步骤5)中温度炼苗温度在18°C~26°C之间；
[0029]进一步，所述步骤5)中湿度控制方法为:试管苗移栽后的前三天湿度控制在90%以上，每天白天用喷雾喷头隔I小时喷一次水，喷洒过程中只喷叶面，不喷根部和营养土，连续三天，幼苗健康，叶子变绿，此后每天喷水两次，如此连续一周，一周后每隔两天喷洒一次稀薄营养液，隔五天喷洒一次1000倍的多菌灵液，经过一个多月的精心管理后幼苗便可健康生长。
[0030]相对于现有技术，本发明的有益效果为:通过实验室克隆技术与大棚训练方法技术结合繁殖吉赛拉砧木，解决了以往繁殖速度慢，且砧木品种差的问题，繁育速度相比扦插繁育提高30倍以上，技术先进，节省时间，一年可繁育10—50万株甚至更多的生产苗木，有很高的推广价值和应用价值。
[0031]如，2010年4月，我们成功获取12瓶“吉赛拉5号”外植体，并诱导丛生芽56个，同年研究筛选优化条件(培养基)和各环节技术，到年底(2010.12)，实验室培育芽苗约I万株。
[0032]2011年在快繁技术体系研究成熟的情况下，基于约I万株芽苗，从2012.2——9月份，开始丛生芽增殖培养，继代增殖扩繁9代，获得有效新生芽约53万个，因受实验室条件限制，无法进行再扩大，从8月份进入生根培养、大棚炼苗和扩繁的大循环过程。到2013.4月份，共从大棚连续移入大田的试管苗达到21.2万株。如果实验室培养面积宽敞，各环节操作不相碍，出苗量会成倍性大大增加。
【专利附图】
【附图说明】
[0033]图1为本发明流程图。
【具体实施方式】
[0034]下面结合附图及【具体实施方式】对本发明做进一步详细描述:
[0035]一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法，包括如下步骤:
[0036]I)、外植体获取及脱毒
[0037]外植体要通过材料脱毒、杀菌消毒后获取无菌茎尖；
[0038]2)、外植体诱导培养
[0039]外植体诱导培养基:用4种激素6-BA(6_苄氨基嘌呤)、ZT (玉米素)、KT (激动素)、IBA(吲哚丁酸)组合，MS+6-BA0.5mg / L+ZT0.4mg / L+IBA0.1mg / L，对“吉塞拉”外植体诱导培养30d，获得新生芽体。
[0040]3)、丛生芽增殖培养
[0041]选择用MS为基本培养基，用4种激素6-BA(6_苄氨基嘌呤)、ZT(玉米素)、ΚΤ(激动素)、IBA(吲哚丁酸)组合，最佳优化培养基:Ms+6-BA0.5mg / L+ZT0.2mg /L+KT0.2mg / L+IBA0.1mg / L，对“吉塞拉”外植体诱导培养25d，可明显提高丛生芽增殖系数(达到11)。
[0042]4)、生根培养
[0043]采用优化组合培养基:1 / 4MS+6-BA0.3mg / L+IBA0.5mg / L培养基，黑暗处理15d进行生根培养，生根效果达到5根/株左右。
[0044]5)、炼苗技术
[0045]炼苗基质及配方选用:草粪:园土 =1:1配比，在大棚对炼苗环境(温度、湿度)全程控制7d.炼苗温度保持在18°C~26°C之间，炼苗湿度保持在80%。成活率达90%以上；
[0046]6)、大田培育
[0047]通过炼苗成活的幼苗在移入大田，在自然环境中培育2——3月。
[0048]进一步，所述步骤I)外植体获取及脱毒的具体操作为:①脱毒:将盆栽苗放入热处理箱内，进行变温处理，开始处理时温度为30-32 V，然后每隔Id提高TC，直至37~38°C,稳定处理6周。②杀菌消毒:取1.5-2.0cm长新梢,用自来水冲洗10~12h,然后在超净工作台上用70%酒精浸泡材料30s，用0.1%升汞浸泡8~12min，并不时轻轻搅动；加入适量吐温-倾去升汞-用无菌水冲洗8~10次后，用无菌纱布吸干水分；③外植体获取:在解剖镜下，切取0.3mm左右茎尖接种至培养基培养。
[0049]进一步，所述步骤2)中培养环境条件为:清洁环境，培养温度22_28°C，光照时间8-14h / d，光照强度 1000-3000Lx。
[0050]进一步，所述步骤3)中培养基配方及具体浓度为:Ms+6-BA0.5mg / L+ZT0.2mg /L+KT0.2mg / L+IBA0.lmg/L。
[0051]进一步，所述步骤4)中培养基配方及具体浓度为:1 / 4MS+6-BA0.3mg /L+IBA0.5mg / L培养基，黑暗处理IOd进行生根培养。
[0052]进一步，所述步骤5)中炼苗基质也可为草炭土:蛭石:珍珠岩=6:3:1混合配比或草粪:园土 =1:1配比。
[0053]进一步，所述步骤5)中温度炼苗温度在18°C~26°C之间；
[0054]进一步，所述步骤5)中湿度控制方法为:试管苗移栽后的前三天湿度控制在90%以上，每天白天用喷雾喷头隔I小时喷一次水，喷洒过程中只喷叶面，不喷根部和营养土，连续三天，幼苗健康，叶子变绿，此后每天喷水两次，如此连续一周，一周后每隔两天喷洒一次稀薄营养液，隔五天喷洒一次1000倍的多菌灵液，经过一个多月的精心管理后幼苗便可健康生长。
[0055]如图1所示，一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法，其步骤为:
[0056]1、外植体获取及脱毒
[0057]外植体要通过材料脱毒、杀菌消毒等过程后获取茎尖等无菌材料。①脱毒:将盆栽苗放入热处理箱内，进行变温处理，开始处理时温度为30-32°C，然后每隔Id提高I °C，直至37~38°C，稳定处理6周。②杀菌消毒:取1.5-2.0cm长新梢 ，用自来水冲洗10~12h，然后在超净工作台上用70%酒精浸泡材料30s，用0.1 %升汞浸泡8~12min，并不时轻轻搅动。加入适量吐温-倾去升汞-用无菌水冲洗8~10次后，用无菌纱布吸干水分。③外植体获取:在解剖镜下，切取0.3mm左右茎尖接种至培养基培养。
[0058]2、外植体诱导培养
[0059]外植体诱导培养基:外植体诱导培养基:用4种激素6-BA(6_节氨基嘌呤)、ZT (玉米素)、KT (激动素)、IBA (吲哚丁酸)组合，即:MS+6-BA0.5mg / L+ZT0.4mg /L+IBA0.1mg / L，对“吉塞拉”外植体诱导培养30d，获得新生芽体。
[0060]培养环境条件:培养温度22_28°C，光照时间8_14h / d，光照强度1000_3000Lx。培养室保持清洁卫生，发现污染及时清除，以防蔓延和相互传染。
[0061]3、丛生芽培养技术
[0062]择用MS为基本培养基，用4种激素6-BA (6_苄氨基嘌呤)、ZT (玉米素)、ΚΤ (激动素)、ΙΒΑ(吲哚丁酸)组合，最佳优化培养基:Ms+6-BA0.5mg / L+ZT0.2mg / L+KT0.2mg /L+IBA0.1mg / L，对“吉塞拉”外植体诱导培养25d，可明显提高丛生芽增殖系数(达到11)。
[0063]4、生根培养技术
[0064]采用优化组合培养基:1 / 4MS+6-BA0.3mg / L+IBA0.5mg / L培养基，黑暗处理15d进行生根培养，生根效果达到5根/株左右。
[0065]5、炼苗技术
[0066]“吉赛拉”炼苗基质，最佳配方是I / 2草粪+1 / 2园土。炼苗效果成活率达到90.2%，而且生长速度快，植株粗壮，叶片浓绿。另外，用草炭土:蛭石:珍珠岩=6:3:1混合配方，炼苗成活率可达88%，而生长速度较快，植株粗壮，叶片浓绿。
[0067]另外试管苗移栽后的前三天必须控制好温湿度，湿度应控制在90%以上，每天白天用喷雾喷头隔I小时喷一次水，喷洒过程中只喷叶面，不喷根部和营养土，这样连续三天，幼苗健康，叶子变绿，此后每天喷水两次，如此连续一周。一周后每隔两天喷洒一次稀薄营养液，隔五天喷洒一次1000倍的多菌灵液，经过一个多月的精心管理后幼苗便可健康生长。炼苗温度一般应保持在15°c~28°C之间，最佳温度炼苗温度在15°C~25°C之间。[0068]6、大田培育
[0069]通过炼苗成活的幼苗在2——3月移入大田进行培育，培育条件为自然环境。
[0070]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限`定的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法，其特征在于，包括如下步骤: 1)、外植体获取及脱毒: 外植体要通过材料脱毒、杀菌消毒后获取无菌茎尖； 2)、外植体诱导培养: 外植体诱导培养基:用MS+6-BA0.5mg / L+ZT0.4mg / L+IBA0.1mg / L，对“吉塞拉”外植体诱导培养30d，获得新生芽体； 3)、丛生芽增殖培养: 选择用MS为基本培养基，用4种激素6-BA (6-苄氨基嘌呤)、ZT (玉米素)、KT (激动素)、IBA(吲哚丁酸)组合，对“吉塞拉”外植体诱导培养25d ； 4)、生根培养: 采用:1 / 4MS+6-BA0.3mg / L+IBA0.5mg / L培养基，黑暗处理15d进行生根培养，生根效果达到5根/株左右； 5)、炼苗技术 炼苗基质及配方选用:草粪:园土 =1:1配比，在大棚对炼苗环境(温度、湿度)全程控制7d ;炼苗温度保持在18°C~26°C之间，炼苗湿度保持在80%。成活率达90%以上； 6)、大田培育 通过炼苗成活的幼苗在移入大田，`在自然环境中培育2——3月。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤I)外植体获取及脱毒的具体操作为:①脱毒:将盆栽苗放入热处理箱内，进行变温处理，开始处理时温度为30-32°C，然后每隔Id提高I °C，直至37~38°C，稳定处理6周。②杀菌消毒:取1.5-2.0cm长新梢，用自来水冲洗10~12h，然后在超净工作台上用70%酒精浸泡材料30s，用0.1 %升汞浸泡8~12min，并不时轻轻搅动；加入适量吐温-倾去升汞-用无菌水冲洗8~10次后，用无菌纱布吸干水分；③外植体获取:在解剖镜下，切取0.3mm左右茎尖接种至培养基培养。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤2)中培养环境条件为:清洁环境，培养温度22-28°C，光照时间8-14h / d，光照强度1000_3000Lx。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤3)中培养基的具体浓度为:MS+6-BA0.5-1.0mg / L ；ZT0.1-0.2mg / L ；IBA0.3mg / L。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤5)中炼苗基质也可为草炭土:蛭石:珍珠岩=6:3:1混合配比。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤5)中温度炼苗温度在15°C~25°C之间。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤5)中湿度控制方法为:试管苗移栽后的前三天湿度控制在90%以上，每天白天用喷雾喷头隔I小时喷一次水,喷洒过程中只喷叶面，不喷根部和营养土，连续三天，幼苗健康，叶子变绿，此后每天喷水两次，如此连续一周，一周后每隔两天喷洒一次稀薄营养液，隔五天喷洒一次1000倍的多菌灵液，经过一个多月的精心管理后幼苗便可健康生长。
【文档编号】A01H4/00GK103688852SQ201310478199
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年10月15日 优先权日:2013年10月15日
【发明者】白文钊, 代贵华 申请人:陕西理工学院