流苏嫁接日香桂的高位枝接方法和体系与流程

本发明涉及植物嫁接技术领域，尤其是涉及一种流苏嫁接日香桂的高位枝接方法。本发明还涉及一种流苏嫁接日香桂的高位枝接体系。

背景技术：

日香桂(学名：Osmanthus fragrans cv.′rixianggui′)是桂花的一个园艺品种，因具有不断开花，香气浓郁的特点而得名。但日香桂在温带季风气候地区则生长缓慢，且难以越冬。比如我国秦岭淮河以北等地区。因此，如何解决日香桂在温带季风气候地区亲和力不强、成活率不高、不开花、不越冬等问题，成为业界研究之趋势。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种流苏嫁接日香桂的高位枝接方法，它具有能够使日香桂在温带季风气候地区正常生长的特点。本发明还公开了一种流苏嫁接日香桂的高位枝接体系。

本发明所采用的第一个技术方案是：流苏嫁接日香桂的高位枝接方法，依次包括以下步骤：

1)取流苏砧木将其从0.6-1.5m的目标高度剪断，去掉上部；

2)将该流苏砧木提前3-5天喷施一次浓度为55-65mg/L萘乙酸和浓度为45-55mg/L赤霉素的混合溶液，取若干日香桂接穗用浓度为30-60mg/L的吲哚丁酸和浓度为55-65mg/L的萘乙酸的混合溶液浸泡6-8小时；

3)选择与流苏砧木上口相当的日香桂接穗，截成5-8cm、带2-6个饱 满芽的全木质化枝段，上部剪口距饱满芽0.5-1.5cm；

4)将选取好的日香桂接穗下部和流苏砧木上部均用刀削成5-6cm表面光滑的斜面，且斜面的斜长为粗度的5-8倍，然后在削面距尖端1/3处分别纵切一刀，刀深为斜长的1/3-1/2；

5)将日香桂接穗和流苏砧木的中部削尖分别插入对方的切缝中，各自削面覆盖对方切面，且使形成层对准，使日香桂接穗和流苏砧木的接触面形成“N”字形；

6)用牛皮纸绳缠绕日香桂接穗和流苏砧木接口，外缠上一层薄塑料布。

所述嫁接时间选择为中国秦岭淮河以北地区在5-9月之间进行嫁接。3、根据权利要求1所述的流苏嫁接日香桂的高位枝接方法，其特征在于：所述流苏砧木为1-2年生苗。

所述日香桂接穗为1-2年生完全木质化枝条，不能用多年生枝条。

所述日香桂接穗和流苏砧木不等时，只将一边形成层对准即可。

所述日香桂接穗不能粗于流苏砧木接口。

本发明所采用的第二个技术方案是：流苏嫁接日香桂的高位枝接体系，

所述流苏嫁接日香桂的高位枝接体系包括流苏砧木和日香桂接穗，且该日香桂接穗具有饱满芽；

在嫁接前，该流苏砧木上端具有砧木斜面，该砧木斜面的下端距地面0.6-1.5m，且该砧木斜面的斜长为流苏砧木粗度的5-6倍，同时，该砧木斜面中部设有和该流苏砧木主干平行的砧木竖切口，该砧木竖切口的上端和该砧木斜面的上端的距离为该砧木斜面斜长的1/4-1/3，该砧木竖切口的深度为该砧木斜面斜长的1/3-1/2，以及，该砧木竖切口将该流苏砧木的上端部分为顶端高度较低的砧木左插头和顶端高度较高的砧木右插头；

在嫁接前，该日香桂接穗下端具有接穗斜面，该接穗斜面上端距该饱满芽0.5-1.5cm，且接穗斜面的斜长为该日香桂接穗粗度的5-8倍，同时，该日香桂接穗的中部设有和该日香桂接穗主干平行的接穗竖切口，该接穗竖切口的上端和该接穗斜面的上端的距离为该接穗斜面斜长的1/4-1/3，该接穗竖切口的深度为该接穗斜面斜长的1/3-1/2，以及，该接穗竖切口将该日香桂接穗的下端部分为下端高度较低的接穗左插头和下端高度较高的接穗右插头；

在嫁接后，该砧木左插头插在该接穗竖切口内，该接穗右插头插在该砧木竖切口内，同时，该流苏砧木和日香桂接穗的接口处的外部缠绕有牛皮纸绳，该牛皮纸绳外部缠绕有薄塑料布。

本发明所具有的优点是：能够使日香桂在温带季风气候地区正常生长。本发明通过采用与日香桂同属木樨科植物的流苏树作为砧木，具有较强的亲和力，且耐旱耐寒。经实际验证，能够使日香桂生长旺盛，且开花不受影响。同时，该接触面为“N”字形，增大了接穗和砧木接触面积，增多了愈伤组织，提高了成活率，且具有操作简单、愈伤完好、生产效率高等优点。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：

图1是本发明的流苏砧木在嫁接前的主视图；

图2是本发明的日香桂接穗在嫁接前的主视图；

图3是本发明的流苏嫁接日香桂的高位枝接体系在嫁接后的主视图(未包含牛皮纸绳和薄塑料布)。

图中：

10、流苏砧木，11、砧木斜面，111、砧木左插头，112、砧木右插头，12、砧木竖切口；

20、日香桂接穗，21、接穗斜面，211、接穗左插头，212、接穗右插头，22、接穗竖切口，23、饱满芽。

具体实施方式

实施例，见图1至图3所示：流苏嫁接日香桂的高位枝接体系，包括流苏砧木10和日香桂接穗20。通常，该日香桂接穗20不能粗于该流苏砧木10的接口。该日香桂接穗20具有饱满芽23。当然，该饱满芽23并不仅仅为一个。本实施例中，以位于最下部的饱满芽23作为数据参照物。

在嫁接前，该流苏砧木10上端具有砧木斜面11。即，该流苏砧木10的上端面为斜面状。该砧木斜面11的下端距地面0.6-1.5m，且该砧木斜面11的斜长(所谓斜长，指的是斜面的最长处的长度。下同)为流苏砧木10粗度的5-6倍。同时，该砧木斜面11中部设有和该流苏砧木10主干平行的砧木竖切口12。该砧木竖切口12的上端和该砧木斜面11的上端的距离为该砧木斜面11斜长的1/4-1/3，该砧木竖切口12的深度为该砧木斜面11斜长的1/3-1/2。以及，该砧木竖切口12将该流苏砧木10的上端部分为顶端高度较低的砧木左插头111和顶端高度较高的砧木右插头112。

在嫁接前，该日香桂接穗20下端具有接穗斜面21。即，该日香桂接穗20的下端面为斜面状。该接穗斜面21上端距该饱满芽23为0.5-1.5cm，且接穗斜面21的斜长为该日香桂接穗20粗度的5-8倍。同时，该日香桂接穗20的中部设有和该日香桂接穗20主干平行的接穗竖切口22。该接穗竖切口22的上端和该接穗斜面21的上端的距离为该接穗斜面21斜长的1/4-1/3，该接穗竖切口22的深度为该接穗斜面21斜长的1/3-1/2。以及，该接穗竖切口22将该日香桂接穗20的下端部分为下端高度较低的接穗左插头211和下端高度较高的接穗右插头212。

在嫁接时，该流苏砧木10和日香桂接穗20削制及嫁接最好同时进行，先削流苏砧木10，再削日香桂接穗20，然后用力均匀，使两者接触紧密，随削随接随扎，一次完成嫁接。

在嫁接后，该砧木左插头111插在该接穗竖切口22内。此时，该砧木左插头111将该接穗竖切口22撑开为“人”字形。该接穗右插头212插在该砧木竖切口12内。此时，该接穗右插头212将该砧木竖切口12撑开为“人”字形。同时，该流苏砧木10和日香桂接穗20的接口处的外部缠绕有牛皮纸绳(图上未示出)，该牛皮纸绳外部缠绕有薄塑料布(图上未示出)。

这样，该流苏嫁接日香桂的高位枝接体系采用接穗法，接口形状像“N”字形，接穗与砧木的削法只需2刀。可以称该体系为N-2型。换句话说，该体系只需两刀，操作较为简单，且接口紧密，不宜脱落，接触面大，愈伤完好。

更具体的讲，前述流苏嫁接日香桂的高位枝接体系可以配合以流苏嫁接日香桂的高位枝接方法。该方法依次包括以下步骤：

1)取1-2年生苗的流苏砧木将其从0.6-1.5m的目标高度剪断，去掉上部。即，下部即为前述流苏砧木10。

2)取若干流苏砧木10在嫁接前3-5天喷施一次浓度为55mg/L的萘乙酸和浓度为45mg/L赤霉素的混合溶液。该萘乙酸和赤霉素的混合溶液亦可为60mg/L的萘乙酸和浓度为50mg/L赤霉素的混合溶液或者为65mg/L的萘乙酸和浓度为55mg/L赤霉素的混合溶液。取若干日香桂接穗20用浓度为30mg/L的吲哚丁酸和浓度为55mg/L的萘乙酸的混合溶液浸泡6-8小时。该日香桂接穗采用1-2年生完全木质化枝条，不能用多年生枝条。该吲哚丁酸和萘乙酸的混合溶液亦可为50mg/L的吲哚丁酸和浓度为60mg/L的萘乙酸的 混合溶液或者为60mg/L的吲哚丁酸和浓度为65mg/L的萘乙酸的混合溶液。即，相当于对若干流苏砧木10和若干日香桂接穗20进行了预处理。

3)选择与流苏砧木10上口相当的日香桂接穗20，截成5-8cm、带2-6个饱满芽的全木质化枝段，上部剪口距位于最下部的饱满芽23为0.5-1.5cm。

4)将选取好的该日香桂接穗20下部和该流苏砧木10上部均用刀削成5-6cm表面光滑的斜面。即，形成前述接穗斜面21和砧木斜面11。而且，斜面的斜长为粗度的5-8倍，然后在削面距尖端1/4-1/3处分别纵切一刀，刀深为斜长的1/3-1/2。即，分别形成前述接穗竖切口22和砧木竖切口12。

5)将该日香桂接穗20和流苏砧木10的中部削尖分别插入对方的切缝中，各自削面覆盖对方切面，且使形成层对准，使日香桂接穗和流苏砧木的接触面形成“N”字形。

6)用牛皮纸绳缠绕该日香桂接穗20和该流苏砧木10接口处，外缠上一层薄塑料布。

针对中国秦岭淮河以北地区，嫁接时间选择为5-9月之间时成活率最高。

当该日香桂接穗20和流苏砧木10不等时，只需将一边形成层对准即可。但各自削面覆盖对方切面，使接触面形成“N”字形，增大接穗和砧木的接触面积。

该日香桂接穗20不能粗于该流苏砧木10接口。

综上所述，本发明通过采用与日香桂同属木樨科植物的流苏树作为砧木，具有较强的亲和力，且耐旱耐寒。经实际验证，能够使日香桂生长旺盛，且开花不受影响。同时，该接触面为“N”字形，增大了接穗和砧木接触面积，增多了愈伤组织，提高了成活率，使嫁接成活率达到96％以上，具有操作简单、愈伤完好、生产效率高等优点。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。