本发明属于农业种植技术领域，具体涉及一种用于甜叶菊的浸种液。
背景技术：
甜叶菊是菊科草本植物，原产巴拉圭一带，八十年代初我国引种栽培成功，其叶片中甜菊糖苷的甜度是蔗糖300倍以上，被称为是最有开发价值和前途的健康新糖源。甜叶菊为异花授粉植物，种子带浮毛、易带菌，加上种子体积小、活力低等缺点，在甜叶菊早春育苗过程中，甜叶菊种子在萌发过程中极易受到低温、冷害、高温等逆境影响，造成萌发过程中极易失去发芽力，萌发时间长，发芽率与发芽势降低，出苗不整齐，成苗差，影响甜叶菊大田生产。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种用于甜叶菊的浸种液，可以显著提高甜叶菊种子的发芽率。
本发明提供了如下的技术方案：
一种用于甜叶菊的浸种液，所述每公斤浸种液按重量计包括，褐黑素2-10 mg、氯化钙20-30 mg、水杨酸6-10 mg、PEG4000 0.5-0.7 g、硫酸锰2-4 mg、硫酸锌1-3 mg、碳酸钠6-10 mg、硫酸铜1-3 mg、余量为蒸馏水和乙醇。
优选的，所述每公斤浸种液按重量计包括，褐黑素4-8 mg、氯化钙22-28 mg、水杨酸7-9 mg、PEG4000 0.5-0.6 g、硫酸锰2-3 mg、硫酸锌1-2 mg、碳酸钠6-8 mg、硫酸铜1-2 mg、余量为蒸馏水和乙醇。
优选的，所述每公斤浸种液按重量计包括，褐黑素6 mg、氯化钙25 mg、水杨酸8 mg、PEG4000 0.6 g、硫酸锰3 mg、硫酸锌2 mg、碳酸钠8 mg、硫酸铜2 mg、余量为蒸馏水和乙醇。
优选的，所述蒸馏水和乙醇的质量比为（20-30）：1.
浸种液的制备方法，包括以下步骤，
1）在加热和搅拌的条件下将氯化钙、硫酸锰、硫酸锌、碳酸钠和硫酸铜加入至蒸馏水中充分溶解,得到溶液A；
2）将褐黑素、水杨酸和PEG4000溶于适量的乙醇中，得到溶液B；
3）将步骤1）中的溶液A和步骤2）中的溶液B均匀混合，补充蒸馏水至所需重量。
优选的，所述步骤1）中加热温度为30℃-50℃。
优选的，所述步骤1）中搅拌速度为60-80转/分钟。
本发明的有益效果是：通过褐黑素、氯化钙、水杨酸、PEG4000 、硫酸锰、硫酸锌、碳酸钠、硫酸铜、蒸馏水和乙醇制备的浸种液的浸泡下，显著提高了甜叶菊种子的发芽率。
具体实施方式
实施例1
一种用于甜叶菊的浸种液，所述每公斤浸种液按重量计包括，褐黑素2 mg、氯化钙20 mg、水杨酸6 mg、PEG4000 0.5 g、硫酸锰2 mg、硫酸锌1 mg、碳酸钠6 mg、硫酸铜1 mg、余量为蒸馏水和乙醇。
优选的，所述蒸馏水和乙醇的质量比为20：1.
浸种液的制备方法，包括以下步骤，
1）在加热和搅拌的条件下将氯化钙、硫酸锰、硫酸锌、碳酸钠和硫酸铜加入至蒸馏水中充分溶解,得到溶液A；
2）将褐黑素、水杨酸和PEG4000溶于适量的乙醇中，得到溶液B；
3）将步骤1）中的溶液A和步骤2）中的溶液B均匀混合，补充蒸馏水至所需重量。
所述步骤1）中加热温度为30℃。
所述步骤1）中搅拌速度为60转/分钟。
实施例2
一种用于甜叶菊的浸种液，所述每公斤浸种液按重量计包括，褐黑素6 mg、氯化钙25 mg、水杨酸8 mg、PEG4000 0.6 g、硫酸锰3 mg、硫酸锌2 mg、碳酸钠8 mg、硫酸铜2 mg、余量为蒸馏水和乙醇。
优选的，所述蒸馏水和乙醇的质量比为25：1.
浸种液的制备方法，包括以下步骤，
1）在加热和搅拌的条件下将氯化钙、硫酸锰、硫酸锌、碳酸钠和硫酸铜加入至蒸馏水中充分溶解,得到溶液A；
2）将褐黑素、水杨酸和PEG4000溶于适量的乙醇中，得到溶液B；
3）将步骤1）中的溶液A和步骤2）中的溶液B均匀混合，补充蒸馏水至所需重量。
所述步骤1）中加热温度为40℃。
所述步骤1）中搅拌速度为70转/分钟。
实施例3
一种用于甜叶菊的浸种液，所述每公斤浸种液按重量计包括，褐黑素10 mg、氯化钙30 mg、水杨酸10 mg、PEG4000 0.7 g、硫酸锰4 mg、硫酸锌3 mg、碳酸钠10 mg、硫酸铜3 mg、余量为蒸馏水和乙醇。
所述蒸馏水和乙醇的质量比为30：1.
浸种液的制备方法，包括以下步骤，
1）在加热和搅拌的条件下将氯化钙、硫酸锰、硫酸锌、碳酸钠和硫酸铜加入至蒸馏水中充分溶解,得到溶液A；
2）将褐黑素、水杨酸和PEG4000溶于适量的乙醇中，得到溶液B；
3）将步骤1）中的溶液A和步骤2）中的溶液B均匀混合，补充蒸馏水至所需重量。
所述步骤1）中加热温度为50℃。
所述步骤1）中搅拌速度为80转/分钟。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。