一种温控花盆的制作方法

本实用新型涉及花盆，具体涉及一种温控花盆。

背景技术：

花盆，种花用的一种器皿，为口大底端小的倒圆台或倒棱台形状。益威装饰种植花卉的花盆形式多样，大小不一。花卉生产者或养花人士可以根据花卉的特性和需要以及花盆的特点选用花盆，根据制作材料不同，可以分为很多种。

如公告号为CN102835268A的专利，该专利公开了一种带隔层的花盆，包括花盆本体，所述花盆本体的盆身设置有温度计，花盆本体的盆底设置为内部中空的隔层。

在实际使用当中，冬天的时候花盆可能会处在低温的状况下，低温不利于盆内植物的生长。

技术实现要素：

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种温控花盆，在低温时，对盆体内的内盆进行加热，改善植物的生长环境。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：

一种温控花盆，包括盆体、温控电路、设置在盆体内的用于栽种的内盆，所述盆体与内盆之间设置有用于加热的电阻丝，所述温控电路包括，

检测电路，用于检测内盆的温度，并输出检测信号；

比较电路，包括，

第一比较部，耦接于检测电路以接收检测信号，并将检测信号与第一预设值进行比较后输出第一控制信号，第一预设值为盆栽所能适应的最低温；

第二比较部，耦接于检测电路与第一比较部的连接点以接收检测信号，并将检测信号与第二预设值进行比较后输出第二控制信号，第二预设值为盆栽所能适应的最高温；

控制电路，耦接于比较电路以接收第一控制信号和第二控制信号以对电阻丝进行通断电控制。

通过采用上述技术方案，盆体内温度低于第一预设值时电阻丝工作，使盆体内温度上升，当盆体内温度上升至高于第二预设值时，电阻丝停止工作，盆体内的温度下降，使整个盆体内的温度一直保持在一定值内，适应植物的生长。

本实用新型的进一步设置为：所述控制电路包括，

控开部，耦接于第一比较部以接收第一控制信号，当内盆的温度低于第一预设值时，控开部使电阻丝通电并保持通电状态；

控关部，耦接于第二比较部以接收第二控制信号，当内盆的温度高于第二预设值时，控关部使电阻丝断电并保持断电状态。

通过采用上述技术方案，通过控开部控制电阻丝工作，通过控关部使电阻丝不工作，对不同的信号进行不同的处理方式，减小电路间相互的干扰。

本实用新型的进一步设置为：所述盆体为保温材料，所述盆体与内盆下方均开设有通气孔，所述盆体内侧通气孔边缘沿通气孔周向固设有限位圈，所述内盆下方对应限位圈的位置呈凸起设置形成与限位圈配合的圆柱腔，所述限位圈为保温材料。

通过采用上述技术方案，保温材料避免热量大量流失至外部，从而使盆体内的温度可以保持在一定温度内，避免能源的浪费。

本实用新型的进一步设置为：所述盆体内侧位于开口处沿其周向固设有支撑圈，所述支撑圈为保温材料，所述圆柱腔与限位圈端面抵接时，所述支撑圈与内盆侧壁抵接。

通过采用上述技术方案，盆体与内盆之间的间隙的空气升温，从而使内盆升温，避免内盆与电阻丝的直接接触，减小内盆被烧毁的概率，限位圈、支撑圈均与内盆抵接，从而避免盆体与内盆之间间隙内的空气的流失，减小了热量的损失。

本实用新型的进一步设置为：所述盆体内侧面嵌设有电阻丝，所述检测电路为温度传感器，所述温度传感器设置在限位圈外侧面。

通过采用上述技术方案，温度传感器与电阻丝不直接接触，避免电阻丝发热时，温度传感器感应的温度与盆内的温度不同的问题。

本实用新型的进一步设置为：所述限位圈中部固设有透水混凝体层。

通过采用上述技术方案，内盆内的土壤在透水混凝层的支撑下，不会落下，避免土壤流失。

本实用新型具有以下优点：当盆体内温度低于第一预设值时电阻丝工作，使盆体内温度上升，当盆体内温度上升至高于第二预设值时，电阻丝停止工作，盆体内的温度下降，使整个盆体内的温度一直保持在一定值内，适应植物的生长。

附图说明

图1为实施例的整体结构图；

图2温控电路的电路图。

附图标记：1、盆体；2、内盆；3、电阻丝；4、支撑圈；5、通气孔；6、限位圈；7、透水混凝土层；8、圆柱腔；9、温度传感器；10、温控电路；100、检测电路；200、比较电路；201、第一比较部；202、第二比较部；300、控制电路；301、控开部；302、控关部；R1、第一电阻；R2、第二电阻；R3、第三电阻；R4、第四电阻；R5、第五电阻；R6、第六电阻；R7、第七电阻；R8、第八电阻；A、第一比较器；B、第二比较器；Q1、第一三极管；Q2、第二三极管；KM1、第一继电器；KM2、第二继电器；KM3、第三继电器；S1、第一常开触点开关；S2、第二常闭触点开关；S3、第三常开触点开关；D1、续流二极管。

具体实施方式

参照附图对本实用新型做进一步说明。

一种温控花盆，如图1所示：包括盆体1、设置在盆体1内的用于栽种的内盆2、温控电路10，盆体1与内盆2之间设置有用于加热的电阻丝3。

如图1所示：盆体1为保温材料，盆体1与内盆2下方均开设有通气孔5，盆体1内侧通气孔5边缘沿通气孔5周向固设有限位圈6，内盆2下方对应限位圈6的位置呈凸起设置形成与限位圈6配合的圆柱腔8，限位圈6中部对应通气孔5的位置固设有透水混凝土层7，限位圈6为保温材料。

如图1所示：盆体1内侧位于开口处沿其周向固设有支撑圈4，支撑圈4为保温材料，圆柱腔8与限位圈6端面抵接时，支撑圈4与内盆2侧壁抵接。

如图1所示：电阻丝3设置在盆体1侧面嵌设有电阻丝3，限位圈6外侧面设置有温度传感器9。

如图2所示：温控电路10包括，设置为温度传感器9的用于检测内盆2的温度并输出检测信号的检测电路100、耦接于检测电路100的比较电路200、耦接于比较电路200的控制电阻丝3是否通电的控制电路300。

如图2所示：比较电路200包括第一比较部201、第二比较部202。

如图2所示：第一比较部201包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一比较器A，第一电阻R1一端耦接于直流电，第一电阻R1另一端耦接于第二电阻R2一端，第二电阻R2另一端接地，第一比较器A正相端耦接于第一电阻R1与第二电阻R2的连接点以接收第一预设值，第一预设值为盆栽所能适应的最低温；第一比较器A反相端耦接于温度传感器9以接收检测信号。

如图2所示：第二比较部202包括第三电阻R3、第四电阻R4、第二比较器B，第三电阻R3一端耦接于直流电，第三电阻R3另一端耦接于第四电阻R4一端，第四电阻R4另一端接地，第二比较器B反相端耦接于第三电阻R3与第四电阻R4的连接点以接收第二预设值，第二预设值为盆栽所能适应的最高温；第二比较器B正相端耦接于温度传感器9与第一比较器A反相端的连接点以接收检测信号。

如图2所示：控制电路300包括控开部301、控关部302。电阻丝3一端耦接于直流电，另一端接地。

如图2所示：控开部301包括第五电阻R5、第六电阻R6、第三继电器KM3、第一三极管Q1，第五电阻R5一端耦接于第一比较器A输出端，第五电阻R5另一端耦接于第一三极管Q1基极；第一三极管Q1的集电极耦接于第一继电器KM1，第一三极管Q1的发射极接地；第一继电器KM1耦接于直流电，第一继电器KM1包括第一常开触点开关S1，第一常开触点开关S1串联于电阻丝3与直流电之间。

如图2所示：第六电阻R6一端耦接于第五电阻R5与第一三极管Q1基极的连接点，第六电阻R6另一端耦接于第一三极管Q1与地的连接点；第三继电器KM3一端耦接于第一继电器KM1与直流电连接点，第三继电器KM3另一端耦接于第一继电器KM1与第一三极管Q1集电极的连接点，第三继电器KM3包括第三常开触点开关S3，第三常开触点开关S3一端耦接于第一继电器KM1与第一三极管Q1集电极的连接点，第三常开触点开关S3另一端接地。

如图2所示：控关部302包括第七电阻R7、第八电阻R8、续流二极管D1、第二三极管Q2，第七电阻R7一端耦接于一端耦接于第二比较器B输出端，第七电阻R7另一端耦接于第二三极管Q2基极；第二三极管Q2的集电极耦接于第二继电器KM2，第二三极管Q2的发射极接地。

如图2所示：第八电阻R8，一端耦接于第七电阻R7与第二三极管Q2基极的连接点，另一端耦接于第二三极管Q2与地的连接点；第二继电器KM2耦接于直流电，第二继电器KM2包括第二常闭触点开关S2，第二常闭触点开关S2串联于第三常开触点开关S3与地之间。续流二极管D1一端耦接于第二继电器KM2与第二三极管Q2集电极的连接点，续流二极管D1另一端耦接于第二继电器KM2与地的连接点。

工作原理：温度传感器9将盆体1与内盆2之间的温度，输出检测信号至第一比较器A反相端与第二比较器B的正相端，第一比较器A对检测信号进行比较，若检测到的温度低于盆栽所能适应的最低温，输出的第一控制信号使第一三极管Q1导通，使第一继电器KM1与第三继电器KM3工作，第一继电器KM1的第一常开触点开关S1闭合，电阻丝3工作发热，第三继电器KM3的第三常开触点开关S3闭合，使第一继电器KM1在第一三极管Q1不导通的状态下仍能工作。

电阻丝3发热，使盆体1内的温度上升，当盆体1的温度上升至高于第二预设值时，第一三极管Q1不导通，第二比较器B输出的第二控制信号使第二三极管Q2导通，第二三极管Q2导通后，第二继电器KM2工作，第二继电器KM2的常闭触点开关工作，从而使第一继电器KM1与第三继电器KM3不工作，使电阻丝3不发热。盆体1内温度低时电阻丝3工作，使盆体1内温度上升，当盆体1内温度上升至一定值时，电阻丝3停止工作，使整个盆体1内的温度一直保持在一定值内，适应植物的生长。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。