扁豆在高寒地区高产的种植方法

文档序号:9309273阅读:463来源:国知局
扁豆在高寒地区高产的种植方法
【技术领域】
[0001]本发明属于农作物栽培技术领域,尤其涉及扁豆在高寒地区高产的种植方法。
【背景技术】
[0002]扁豆是豆科扁豆属的多年生或一年生缠绕藤本植物。嫩荚或成熟豆粒可食用,营养成分相当丰富,包括蛋白质、脂肪、糖类、钙、磷、铁及食物纤维、维A原、维生素B1、维生素B2、维C和氰甙、酪氨酸酶等,扁豆衣的B族维生素含量特别丰富,还有磷脂、蔗糖、葡萄糖。最引人注目的是,扁豆中含有血球凝集素,这是一种蛋白质类物质,可增加脱氧核糖核酸和核糖核酸的合成,抑制免疫反应和白细胞与淋巴细胞的移动,故能激活肿瘤病人的淋巴细胞产生淋巴毒素,对肌体细胞有非特异性的伤害作用,故有显著的消退肿瘤的作用。肿瘤患者宜常吃扁豆,有一定的辅助食疗功效。此外,扁豆还可入药,味甘、性平,归脾、胃经;有健脾、和中、益气、化湿、消暑之功效;主治脾虚兼湿,食少便溏,湿浊下注,妇女带下过多,暑湿伤中,吐泻转筋等症。
[0003]扁豆喜温暖润湿的气候条件,耐热、耐旱力强,对土适应性广,适宜在排水良好、肥沃的沙质土壤或壤土中种植,在高寒地带种植虽能开花但不结荚。目前,有关扁豆栽培和种植的报道较少,如专利CN 104521475 A公开的扁豆的高产栽培方法,披露了包括步骤:“①种植时间选择;②选地与整地;③土壤预处理;④拌种灭菌搭建蔓藤支架;⑥施肥?’⑦病虫防治;⑧采摘”的栽培方法;专利CN 101647360 A公开的一种扁豆栽培方法,披露了包括步骤:“①作畦;②种植;③搭架;④打顶施肥”的栽培方法;专利CN 104521487 A公开的扁豆一年两熟高效设施种植方法,披露了包括步骤:“①茬口安排:早茬扁豆于7月上中旬腾茬;后茬扁豆于6月上中旬育秧,7月中旬移栽;②后茬扁豆栽培管理:A.实施防虫网全覆盖栽培实施与前茬扁豆错行错穴移栽或定植;C.10月下旬霜期来临前大棚覆膜,白天通风降温,夜晚保温防冻。”的栽培方法。以上专利所披露的种植方法均是在适宜条件下种植的,虽然专利CN104521487A公开的技术方案中披露了保温防冻措施,但其是为越冬而设置的,在高寒地区种植时,在整个种植过程中始终得做好保温措施,而该方法显然费时费力,在实际生产中难以实现全过程保温。此外,经检索,目前尚未有关扁豆在高寒地区丰产的报道。

【发明内容】

[0004]本发明的目的在于:提供一种扁豆在高寒地区高产的种植方法,解决扁豆在高寒地区种植开花不结荚的问题,实现扁豆在高寒地区高产。
[0005]为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
[0006]扁豆在高寒地区高产的种植方法,包括步骤:
[0007]I)整地、施基肥:选择排水良好、肥沃的沙质土壤或壤土,亩施由鸡粪、猪粪、煤灰、多菌灵按照3?5:3?7:1?1.5:0.01?0.03的比例混合而成的基肥3000?3500千克,然后翻耕、耙细、整平;
[0008]2)育苗:将籽粒饱满、无伤痕扁豆种子在30?40°C温水中浸泡10?12小时,再放入体积分数为0.01 %的升汞溶液中脱毒I?3分钟,取出后自来水冲洗2?3次,然后以5X5厘米的株距挖穴播种,播前向穴内放入少量秸杆灰;
[0009]3)炼苗:播后4?5天出苗,20?25天时幼苗达2叶一心,此时进行炼苗;
[0010]4)定植:炼苗完成后进行移栽,移栽后3?5天进行补苗,10?12天时间苗,移栽苗行距25?30厘米,间距20?25厘米;
[0011]5)除草、培土:间苗10天后开始松土除草、除草深度2?3厘米;当苗高10?15厘米时,以苗根为中心,沿东南方向进行培土,培土高3?5厘米,培土距苗根5?8厘米;
[0012]6)压苗:在培土结束后,沿着培土方向,在距离苗根8厘米处,用手轻压使苗尖向培土方向倒伏,然后在轻压处埋土 ;
[0013]7)追肥:在初花期亩施碳铵35?40千克、尿素I?15千克、磷酸铵40?50千克、氮磷钾复合肥10?15千克,同时每亩喷施含硼、钼元素的叶面肥10?15千克;
[0014]8)搭架:在追肥完成后,沿培土走向搭15?20厘米的蔓藤架,并将扁豆固定在蔓藤架上;
[0015]9)病虫害防治。
[0016]进一步,所述的基肥混合配比为:鸡粪:猪粪:煤灰:多菌灵=4.5:3.8:1:0.02。
[0017]与现有扁豆种植方法相比,本发明的有益效果在于:
[0018]1、本发明在施基肥时以猪粪、鸡粪和煤灰等热性粪肥为主,使得高寒地区土壤温度始终处于适合扁豆出苗、生长的温度环境中,保证扁豆根系生长良好发达,解决高寒地区扁豆开花不结荚的问题;同时结合培土、压苗操作,使得扁豆个体矮小化,避免植株受风冻而出现不利现象。
[0019]2、本发明实现了高寒地区种植扁豆并达到高产的目的,对扁豆种植业的发展起到了积极地推广作用。
[0020]3、本发明搭设比常规低矮的蔓藤架,结合培土、压苗操作,尽量减少大风对开花和结英的影响,保证扁?尚广,同时提尚扁?的品质。
【具体实施方式】
[0021]下面结合具体实施例对本发明的技术方案作进一步说明,旨在帮助同领域技术人员对本发明的理解,不限制权利范围。
[0022]实施例1
[0023]扁豆在高寒地区高产的种植方法,包括步骤:
[0024]I)整地、施基肥:选择排水良好、肥沃的沙质土壤或壤土,亩施由鸡粪、猪粪、煤灰、多菌灵按照3?5:3?7:1?1.5:0.01?0.03的比例混合而成的基肥3000?3500千克,然后翻耕、耙细、整平;
[0025]2)育苗:将籽粒饱满、无伤痕扁豆种子在30?40°C温水中浸泡10?12小时,再放入体积分数为0.01 %的升汞溶液中脱毒I?3分钟,取出后自来水冲洗2?3次,然后以5X5厘米的株距挖穴播种,播前向穴内放入少量秸杆灰;
[0026]3)炼苗:播后4?5天出苗,20?25天时幼苗达2叶一心,此时进行炼苗;
[0027]4)定植:炼苗完成后进行移栽,移栽后3?5天进行补苗,10?12天时间苗,移栽苗行距25?30厘米,间距20?25厘米;
[0028]5)除草、培土:间苗10天后开始松土除草、除草深度2?3厘米;当苗高10?15厘米时,以苗根为中心,沿东南方向进行培土,培土高3?5厘米,培土距苗根5?8厘米;
[0029]6)压苗:在培土结束后,沿着培土方向,在距离苗根8厘米处,用手轻压使苗尖向培土方向倒伏,然后在轻压处埋土 ;
[0030]7)追肥:在初花期亩施碳铵35?40千克、尿素I?15千克、磷酸铵40?50千克、氮磷钾复合肥10?15千克,同时每亩喷施含硼、钼元素的叶面肥10?15千克;
[0031]8)搭架:在追肥完成后,沿培土走向搭15?20厘米的蔓藤架,并将扁豆固定在蔓藤架上;
[0032]9)病虫害防治。
[0033]在实际种植过程中,根据当地种植田土壤肥力和气温条件,基肥原料成分配比有所变化,但最佳配比为:鸡粪:猪粪:煤灰:多菌灵=4.5:3.8:1:0.02。
[0034]为了验证本发明的实际效果,在种植过程中,选择1X 10米范围内的扁豆进行观察,观察区内扁豆无少苗、复苗现象(复苗即是指每穴仅有I株扁豆),经跟踪观察,观察区内所有扁豆植株均正常开花,且后续操作中基本无死苗现象。经试验统计,在压苗时由于操作不当出现植株断裂,但不会造成植株死亡;待结荚后统计,在正常开花的情况下,结荚率达到97%以上,并且发病率在0.7%以下。
[0035]以上实施例说明,本发明的种植方法具有很好的效果,适宜在高寒地区种植扁豆。
【主权项】
1.扁豆在高寒地区高产的种植方法,包括步骤:1)整地、施基肥,2)育苗,3)炼苗,4)定植,5)除草、培土,6)压苗,7)追肥,8)搭架,9)病虫害防治,其特征在于:所述的步骤I)施基肥中,基肥是由鸡粪、猪粪、煤灰、多菌灵组合而成,其混合配比为:鸡粪:猪粪:煤灰:多菌灵=3?5:3?7:1?1.5:0.0l?0.03 ;所述的步骤5)培土中,当苗高10?15厘米时,以苗根为中心,沿东南方向进行培土,培土高3?5厘米,培土距苗根5?8厘米;所述的步骤6)压苗是在培土结束后,沿着培土方向,在距离苗根8厘米处,用手轻压使苗尖向培土方向倒伏,然后在轻压处埋土。2.如权利要求1所述的扁豆在高寒地区高产的种植方法,其特征在于:所述的基肥混合配比为:鸡粪:猪粪:煤灰:多菌灵=4.5:3.8:1:0.02。3.如权利要求1所述的扁豆在高寒地区高产的种植方法,其特征在于:所述的步骤7)追肥是在初花期亩施碳铵35?40千克、尿素I?15千克、磷酸铵40?50千克、氮磷钾复合肥10?15千克,同时每亩喷施含硼、钼元素的叶面肥10?15千克。4.如权利要求1所述的扁豆在高寒地区高产的种植方法,其特征在于:所述的步骤8)搭架是在追肥完成后,沿培土走向搭15?20厘米的蔓藤架,并将扁豆固定在蔓藤架上。
【专利摘要】本发明公开了扁豆在高寒地区高产的种植方法,包括步骤:1)整地、施基肥,2)育苗,3)炼苗,4)定植,5)除草、培土,6)压苗,7)追肥,8)搭架,9)病虫害防治,其特征在于:所述的步骤1)施基肥中,基肥是由鸡粪、猪粪、煤灰、多菌灵组合而成;所述的步骤5)培土中,当苗高10~15厘米时,以苗根为中心,沿东南方向进行培土,培土高3~5厘米,培土距苗根5~8厘米;所述的步骤6)压苗是在培土结束后,沿着培土方向,在距离苗根8厘米处,用手轻压使苗尖向培土方向倒伏,然后在轻压处埋土。本发明实现了高寒地区种植扁豆并达到高产的目的,对扁豆种植业的发展起到了积极地推广作用。
【IPC分类】C05G3/00, A01G9/12, A01G1/00, A01B79/02
【公开号】CN105027869
【申请号】CN201510312918
【发明人】贺逢宝
【申请人】贺逢宝
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年6月9日
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