本发明涉及一种蓝宝石片的制备方法，尤其涉及一种蓝宝石无边框触屏面板的制备方法，属于蓝宝石加工技术领域。
背景技术：
现代生活中，手机、平板电脑等电子产品已经成为人们必不可少的电子产品，而大屏幕已成为手机等电子产品的发展趋势，这就对触摸屏面板的强度及透光性要求越来越高。随着科技的进步，蓝宝石材质的触屏面板应用越来越广泛。蓝宝石具有很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，可以在高温下保持高强度、优良的热属性和透过率，并且防化学腐蚀。用蓝宝石为原料制成的触屏面板，清晰度高、立体感好、表面耐划伤，消费者满意度高。中国专利文献ZL201420600055.1公开了一种高强度手机触摸屏，包括触摸屏和壳体，触摸屏的下表面内嵌有彩带，壳体采用包裹的方式与触摸屏连接，壳体的上表面外侧设有凸起，触摸屏包括盖板玻璃、蓝宝石层、偏光片、触摸传感器和绝缘保护层，盖板玻璃上表面覆盖有类金刚石薄膜，蓝宝石层设在盖板玻璃下方，偏光片设在蓝宝石层下方，触摸传感器设在偏光片下方的触屏区内，偏光片下方的非触屏区内设有遮光材料层，遮光材料层下方设有触摸传感器与FPC之间的连接线路，绝缘保护层从下面覆盖触摸传感器及连接电路。本实用新型不易破损、功能性强，强度高，透光性好，防辐射，防反光，功能十分多样，满足人们的使用需求。但该发明的触摸屏仍存在质量差，成品率低的问题。
技术实现要素：
本发明解决的技术问题是：提出一种成片质量高，废品率低，生产效率高的蓝宝石无边框触屏面板的制备方法。为了解决上述技术问题，本发明提出的技术方案是：一种蓝宝石摄触屏面板的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：步骤一、晶体生长；在晶体生长炉的坩埚内装入纯净的Al2O3原料，所述坩埚上方设有可旋转和升降的提拉杆，提拉杆的下端夹设有C晶向的籽晶；将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体，升温至2100～2200℃，使得Al2O3熔融，控制熔体的液面温度为2055℃，将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触，持续0.5～1h；待籽晶与熔体充分沾润后，提拉并转动籽晶，从而实现缩颈—扩肩—等径生长；缩颈阶段，控制熔体的液面温度为2050℃，以3～5mm/h的速度向上提拉籽晶，以45～48r/min的速度转动籽晶；扩肩阶段，控制熔体的液面温度为2048℃，以8～10mm/h的速度向上提拉籽晶，以50～55r/min的速度转动籽晶；等径阶段，控制熔体的液面温度为2052℃，以5～8mm/h的速度向上提拉籽晶，以48～50r/min的速度转动籽晶；待晶体生长结束后，将晶体生长炉内的温度降至1580～1680℃，再对晶体进行退火处理，控制温度以80～100℃/h的速度缓慢降温并持续18～22h，从而得到晶体；步骤二、晶体开方；对晶体进行定向，然后使用开方机进行开方，从而得到C向晶块；步骤三、晶体切割；采用金刚砂线切割设备对C向晶块进行切割，从而得到晶片；步骤四、激光切片；将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体，将晶片按需求切割成相应大小；步骤五、研磨；采用研磨机对晶片进行研磨；研磨时，加入研磨液，研磨盘对晶片加压至0.02～0.022Mpa，研磨盘的转速为1000～1200r/min；研磨完成后用无水乙醇清洗；所述研磨液组分包括：0.5～2%的颗粒大小为10～20μm的立方氮化硼粉末，14～16%的烷基酚聚氧乙烯醚，4～6%的甘油，9～11%的聚丙二醇400，其余为去离子水；步骤六、倒边；采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的四周和边角进行倒边处理；步骤七、退火；将晶片放入退火炉内，以180～220℃/h的速度进行升温将温度升至1600℃，升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温2～6h，然后以200℃/h的温度进行降温，降温时在1000℃、500℃分别保温2～3h冷却至室温取出；步骤八、双面化学抛光；先用无水乙醇对晶片进行清洗，然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定；抛光时，加入抛光液，抛光盘对晶片加压至0.12～0.15Mpa，抛光盘的转速为1000～1500r/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后，在室温下进行自然冷却；所述抛光液组分包括：0.5～2%的颗粒大小为1～6μm的立方氮化硼粉末，14～16%的烷基酚聚氧乙烯醚，4～6%的甘油，9～11%的聚丙二醇400，0.5～2%的纳米二氧化硅，使得抛光液PH值为11.0～13.0的碱性溶液，其余为去离子水；抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值；步骤九、涂油墨；将镀膜后的晶片盖上镂空板，在晶片的边缘处刷涂油墨且重复刷涂三层；步骤十、热烘；将涂完油墨的晶片放入热烘机中热烘2～3h后，空冷至室温。对上述技术方案的改进为：所述步骤一中，将晶体生长炉内的温度降至1600℃，再对晶体进行退火处理，控制温度以100℃/h的速度缓慢降温并持续22h。对上述技术方案的改进为：所述步骤三中，金刚砂线的直径为0.14～0.16mm，金刚砂线上金刚石的粒径为30～40μm，金刚砂线在切割时以12～15m/s的速度运动，晶体相对于金刚砂线的移动速度为0.2～0.3mm/min，切割时不断向金刚砂线喷洒切割液，所述切割液中含有粒径为20～30μm的金刚石颗粒和粒径为50～60μm的刚玉颗粒。对上述技术方案的改进为：所述步骤四中，激光束的直径为0.015～0.02mm，切割速度为3～5mm/s。对上述技术方案的改进为：所述步骤四中，所述保护气体为氮气。对上述技术方案的改进为：所述步骤五中，所述研磨液中含有粒径为3～6μm的氧化铝颗粒。对上述技术方案的改进为：所述步骤七中，升温时，在300℃保温2h，在800℃保温3h，在1600℃保温4h。对上述技术方案的改进为：所述步骤八中，所述碱性溶液为KOH。对上述技术方案的改进为：所述步骤八中，所述抛光液PH值为12.0。对上述技术方案的改进为：所述步骤八中，抛光盘对晶片加压至0.135Mpa。本发明具有积极的效果：（1）本发明的触屏面板制备方法，先激光取片再研磨、抛光，可以提高研磨、抛光的生产效率，由于蓝宝石硬度大，抛光时必须施加较大的压力，在抛光之前退火有利于消除线切割、研磨等机械加工工序所产生的内应力，使得晶片在抛光时不宜碎裂，有效提高成品率。（2）本发明的触屏面板制备方法，严格控制晶体生长时的界面温度、拉升速度、旋转速度和退火参数，将界面温度控制在2048～2052℃，拉升速度控制在3～10mm/h，旋转速度控制在45～55r/min，退火温度控制在1580～1680℃（优选1600℃），以80～100℃/h的速度缓慢降温并持续18～22h，从而使得晶体的产能高，缺陷密度低，质量好，成品率高，可以大大地降低生产成本。（3）本发明的触屏面板制备方法，严格控制研磨和抛光的参数以及研磨液和抛光液的成分，有利于提高研磨和抛光的效率，提高研磨和抛光的成品率，制备出的晶片结构完整，无物理损伤，表面细腻，光滑，形变小。研磨液和抛光液中，适量的立方氮化硼粉末充当磨料，硬度高，耐磨性好；烷基酚聚氧乙烯醚、甘油、聚丙二醇400和去离子水形成的悬浮液黏度和界面膜性质稳定，使得磨料悬浮稳定，均匀度好，不会粘并，有利于提高研磨和抛光的质量和效率。适量的烷基酚聚氧乙烯醚是一种非离子表面活性剂，其性质稳定，具有分散、乳化、润湿等多种性能，是悬浮液获得优异性能最主要的成分；甘油比重合适，与水和有机溶液都有很好的溶解性，作为辅助分散剂非常适合；聚丙二醇400具有乳化、润湿的作用，并且可以有效增稠，有效提升悬浮液的黏度和界面膜性质。另外，抛光液中含有适量的纳米SiO2，粒度均匀、分散性好、平坦化效率高。碱性溶液KOH使得抛光液为碱性，通过化学腐蚀辅助抛光，从而抛光效果更好，抛光效率更好。为了保持抛光液的稳定性，从而保证抛光的效率和质量，必须不断地补充碱性溶液，维持抛光液PH值基本不变。（4）本发明的触屏面板制备方法，通过涂刷三层油墨然后烘干，使得晶片的边缘不透光，可以有效地防止光线从晶片的侧面进入，对成像造成影响。（5）本发明的触屏面板采用蓝宝石为基材制成，由于蓝宝石硬度高，耐磨性好，使得触屏面板不易磨损和划伤；蓝宝石C向介电常数为11.4，而A向和M向均为9.4，本发明晶体生长时采用C向籽晶，保证了触屏面板对介电常数的要求。通过本发明的蓝宝石无边框触屏面板制备方法制成的指纹识别面板，光洁度高，透光性好，光学性能达标，且成片质量高，废品率低，生产效率高，应用前景广阔。具体实施方式实施例1本实施例的蓝宝石无边框触屏面板制备方法具体包括如下步骤：步骤一、晶体生长；在晶体生长炉的坩埚内装入纯净的Al2O3原料，所述坩埚上方设有可旋转和升降的提拉杆，提拉杆的下端夹设有C晶向的籽晶；将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体，升温至2200℃，使得Al2O3熔融，控制熔体的液面温度为2055℃，将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触，持续1h；待籽晶与熔体充分沾润后，提拉并转动籽晶，从而实现缩颈—扩肩—等径生长；缩颈阶段，控制熔体的液面温度为2050℃，以5mm/h的速度向上提拉籽晶，以48r/min的速度转动籽晶；扩肩阶段，控制熔体的液面温度为2048℃，以10mm/h的速度向上提拉籽晶，以55r/min的速度转动籽晶；等径阶段，控制熔体的液面温度为2052℃，以8mm/h的速度向上提拉籽晶，以50r/min的速度转动籽晶；待晶体生长结束后，将晶体生长炉内的温度降至1680℃，再对晶体进行退火处理，控制温度以100℃/h的速度缓慢降温并持续22h，从而得到晶体；步骤二、晶体开方；对晶体进行定向，然后使用开方机进行开方，从而得到C向晶块；步骤三、晶体切割；采用金刚砂线切割设备对C向晶块进行切割，从而得到晶片；步骤四、激光切片；将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体，将晶片按需求切割成相应大小；步骤五、研磨；采用研磨机对晶片进行研磨；研磨时，加入研磨液，研磨盘对晶片加压至0.022Mpa，研磨盘的转速为1200r/min；研磨完成后用无水乙醇清洗；所述研磨液组分包括：2%的颗粒大小为20μm的立方氮化硼粉末，16%的烷基酚聚氧乙烯醚，6%的甘油，11%的聚丙二醇400，其余为去离子水；步骤六、倒边；采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的四周和边角进行倒边处理；步骤七、退火；将晶片放入退火炉内，以220℃/h的速度进行升温将温度升至1600℃，升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温6h，然后以200℃/h的温度进行降温，降温时在1000℃、500℃分别保温3h冷却至室温取出；步骤八、双面化学抛光；先用无水乙醇对晶片进行清洗，然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定；抛光时，加入抛光液，抛光盘对晶片加压至0.15Mpa，抛光盘的转速为1500r/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后，在室温下进行自然冷却；所述抛光液组分包括：2%的颗粒大小为6μm的立方氮化硼粉末，16%的烷基酚聚氧乙烯醚，6%的甘油，11%的聚丙二醇400，2%的纳米二氧化硅，使得抛光液PH值为13.0的碱性溶液，其余为去离子水；抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值；步骤九、涂油墨；将镀膜后的晶片盖上镂空板，在晶片的边缘处刷涂油墨且重复刷涂三层；步骤十、热烘；将涂完油墨的晶片放入热烘机中热烘3h后，空冷至室温。实施例2本实施例的蓝宝石无边框触屏面板制备方法具体包括如下步骤：步骤一、晶体生长；在晶体生长炉的坩埚内装入纯净的Al2O3原料，所述坩埚上方设有可旋转和升降的提拉杆，提拉杆的下端夹设有C晶向的籽晶；将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体，升温至2100℃，使得Al2O3熔融，控制熔体的液面温度为2055℃，将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触，持续0.5h；待籽晶与熔体充分沾润后，提拉并转动籽晶，从而实现缩颈—扩肩—等径生长；缩颈阶段，控制熔体的液面温度为2050℃，以3mm/h的速度向上提拉籽晶，以45r/min的速度转动籽晶；扩肩阶段，控制熔体的液面温度为2048℃，以8mm/h的速度向上提拉籽晶，以50r/min的速度转动籽晶；等径阶段，控制熔体的液面温度为2052℃，以5mm/h的速度向上提拉籽晶，以48r/min的速度转动籽晶；待晶体生长结束后，将晶体生长炉内的温度降至1580℃，再对晶体进行退火处理，控制温度以80℃/h的速度缓慢降温并持续18h，从而得到晶体；步骤二、晶体开方；对晶体进行定向，然后使用开方机进行开方，从而得到C向晶块；步骤三、晶体切割；采用金刚砂线切割设备对C向晶块进行切割，从而得到晶片；步骤四、激光切片；将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体，将晶片按需求切割成相应大小；步骤五、研磨；采用研磨机对晶片进行研磨；研磨时，加入研磨液，研磨盘对晶片加压至0.02Mpa，研磨盘的转速为1000r/min；研磨完成后用无水乙醇清洗；所述研磨液组分包括：0.5%的颗粒大小为10μm的立方氮化硼粉末，14%的烷基酚聚氧乙烯醚，4%的甘油，9%的聚丙二醇400，其余为去离子水；步骤六、倒边；采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的四周和边角进行倒边处理；步骤七、退火；将晶片放入退火炉内，以180℃/h的速度进行升温将温度升至1600℃，升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温2h，然后以200℃/h的温度进行降温，降温时在1000℃、500℃分别保温2h冷却至室温取出；步骤八、双面化学抛光；先用无水乙醇对晶片进行清洗，然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定；抛光时，加入抛光液，抛光盘对晶片加压至0.12Mpa，抛光盘的转速为1000r/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后，在室温下进行自然冷却；所述抛光液组分包括：0.5%的颗粒大小为1μm的立方氮化硼粉末，14%的烷基酚聚氧乙烯醚，4%的甘油，9%的聚丙二醇400，0.5%的纳米二氧化硅，使得抛光液PH值为11.0的碱性溶液，其余为去离子水；抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值；步骤九、涂油墨；将镀膜后的晶片盖上镂空板，在晶片的边缘处刷涂油墨且重复刷涂三层；步骤十、热烘；将涂完油墨的晶片放入热烘机中热烘2h后，空冷至室温。实施例3本实施例的蓝宝石无边框触屏面板制备方法具体包括如下步骤：步骤一、晶体生长；在晶体生长炉的坩埚内装入纯净的Al2O3原料，所述坩埚上方设有可旋转和升降的提拉杆，提拉杆的下端夹设有C晶向的籽晶；将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体，升温至2150℃，使得Al2O3熔融，控制熔体的液面温度为2055℃，将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触，持续1h；待籽晶与熔体充分沾润后，提拉并转动籽晶，从而实现缩颈—扩肩—等径生长；缩颈阶段，控制熔体的液面温度为2050℃，以3～5mm/h的速度向上提拉籽晶，以46r/min的速度转动籽晶；扩肩阶段，控制熔体的液面温度为2048℃，以9mm/h的速度向上提拉籽晶，以50r/min的速度转动籽晶；等径阶段，控制熔体的液面温度为2052℃，以5mm/h的速度向上提拉籽晶，以48r/min的速度转动籽晶；待晶体生长结束后，将晶体生长炉内的温度降至1600℃，再对晶体进行退火处理，控制温度以90℃/h的速度缓慢降温并持续20h，从而得到晶体；步骤二、晶体开方；对晶体进行定向，然后使用开方机进行开方，从而得到C向晶块；步骤三、晶体切割；采用金刚砂线切割设备对C向晶块进行切割，从而得到晶片；步骤四、激光切片；将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体，将晶片按需求切割成相应大小；步骤五、研磨；采用研磨机对晶片进行研磨；研磨时，加入研磨液，研磨盘对晶片加压至0.02Mpa，研磨盘的转速为1100r/min；研磨完成后用无水乙醇清洗；所述研磨液组分包括：1%的颗粒大小为15μm的立方氮化硼粉末，15%的烷基酚聚氧乙烯醚，5%的甘油，10%的聚丙二醇400，其余为去离子水；步骤六、倒边；采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的四周和边角进行倒边处理；步骤七、退火；将晶片放入退火炉内，以200℃/h的速度进行升温将温度升至1600℃，升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温4h，然后以200℃/h的温度进行降温，降温时在1000℃、500℃分别保温2.5h冷却至室温取出；步骤八、双面化学抛光；先用无水乙醇对晶片进行清洗，然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定；抛光时，加入抛光液，抛光盘对晶片加压至0.13Mpa，抛光盘的转速为1200r/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后，在室温下进行自然冷却；所述抛光液组分包括：1%的颗粒大小为3μm的立方氮化硼粉末，15%的烷基酚聚氧乙烯醚，5%的甘油，10%的聚丙二醇400，1%的纳米二氧化硅，使得抛光液PH值为12.0的碱性溶液，其余为去离子水；抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值；步骤九、涂油墨；将镀膜后的晶片盖上镂空板，在晶片的边缘处刷涂油墨且重复刷涂三层；步骤十、热烘；将涂完油墨的晶片放入热烘机中热烘2h后，空冷至室温。本发明的一种蓝宝石无边框触屏面板的制备方法不局限于上述实施例所述的具体技术方案，凡采用等同替换形成的技术方案均为本发明要求的保护范围。