本实用新型涉及一种单晶基片切割台，属于材料处理加工领域。
背景技术：
要获取纳米薄膜的截面样品，传统的方法是利用衬底划痕处附近的应力集中，使衬底发生断裂。但这一方法更适用于生长在Si或者 ITO玻璃等基片上的薄膜，对于铝酸镧、钛酸锶等脆性基片，尤其是当衬底尺寸较小时(如5mm*5mm*0.5mm)，若所施加外力的方向和力道稍有偏差，脆性衬底容易碎裂，导致样品浪费。因此目前大多数实验人员会把购买到的大单晶基片直接交由厂商用专业器材，如镭射激光切割，一方面增加了实验的成本，另一方面也无法根据实验测试需要切割成任意大小尺寸。现有针对单晶基片的切割主要有三种，一种是金刚石刀直接切割，一种是用低速锯和金刚石刀片切割，还有一种是用镭射激光切割机切割。第三种方式能实现精确切割，然而设备价格较高，很少有科研单位有采购。低速锯和金刚石刀片切割的方式则对切割的尺寸有一定限制。当原始衬底本身尺寸已经很小时，要将其固定在机器上切割是非常困难的，并且由于刀片切割过程中容易摩擦到薄膜的截面，通常会造成需观察截面的损坏。而如果用金刚石刀切割后利用材料的脆性断裂制造出需要的截面，对于脆性的基片而言是非常困难的，尤其在购买得到的基片本身已经非常小的情况下，容易造成基片无规碎裂。目前实验室常用的切割办法容易造成基片碎裂，能否切割好小块样品完全取决于操作人员的熟练程度。
技术实现要素：
为了解决目前单晶基片衬底切割时易碎问题，本实用新型提出了一种便于实验室人员可以自行在实验室内对易碎单晶基片进行切割、有效节约了单晶基片切割台。
本实用新型所述的单晶基片切割台，其特征在于：包括用于搁置单晶基片的基台和受力后可向内弯曲的按压弹片，所述基台包括用于安装按压弹片的安装平台和用于切断单晶基片的切割部，所述切割部具有两对称向下的斜平面，两斜平面的上边相交形成相交棱，相交棱的一端延伸至安装平台处；所述按压弹片安装在所述安装平台上，所述按压弹片的一端延伸至切割部的相交棱正上方，并且按压弹片与相交棱之间留有用于卡住单晶基片的间隙。
所述相交棱水平布置。
所述按压弹片的底面设有用于按压弹片受力后向内弯曲的凹槽，且凹槽的中心轴与相交棱共垂面。
所述按压弹片为矩形结构，且按压弹片的一端固装在水平的安装平台上，按压弹片的另一端延伸至切割部的相交棱正上方。
所述间隙的宽度大于单晶基片的宽度，定义间隙的宽度为位于按压弹片正下方的相交棱的长度。
这种单晶基片切割台装置的基台为“山”形的金属台。中间顶端高，两侧为两个对称的向下的斜面。中间位置顶端有一白色的塑料片作为按压弹片，白色塑料片底部中间开有一小凹槽，便于塑料片在外力作用下向内弯曲。
在需要切割单晶基片时，即可用金刚石刻笔和钢尺在基片背面刻一条划痕，将基片背面朝上，卡进按压弹片和基台中间的间隙里，用手按压在按压弹片凹槽两侧的位置，往下压。由于塑料片比需要切割的基片更宽，更方便手指着力，并且两侧施压使力能更均匀分散在基片的背面，更容易切割出规整的断面。
本实用新型的有益效果是：非常小巧轻便，设计也很简单，适合于实验室内切割基片用。由于其原理也是利用基片本身的脆性断裂，并不会造成基片表面的样品截面损坏。
附图说明
图1是本实用新型的俯视图。
图2是本实用新型的正视图。
图3是本实用新型的侧视图。
图4是图1的A处放大图。
图5a是本实用新型的工作原理图之一。
图5b是本实用新型的工作原理图之二。
具体实施方式
下面结合附图进一步说明本实用新型
参照附图：
实施例1本实用新型所述的单晶基片切割台，包括用于搁置单晶基片的基台1和受力后可向内弯曲的按压弹片2，所述基台1包括用于安装按压弹片的安装平台11和用于切断单晶基片的切割部12，所述切割部12具有两对称向下的斜平面121，两斜平面121的上边相交形成相交棱122，相交棱122的一端延伸至安装平台11处；所述按压弹片2安装在所述安装平台11上，所述按压弹片2的一端延伸至切割部12的相交棱122正上方，并且按压弹片2与相交棱122 之间留有用于卡住单晶基片3的间隙。
所述相交棱122水平布置。
所述按压弹片2的底面设有用于按压弹片受力后向内弯曲的凹槽，且凹槽的中心轴与相交棱122共垂面。
所述按压弹片2为矩形结构，且按压弹片2的一端固装在水平的安装平台11上，按压弹片2的另一端延伸至切割部12的相交棱122 正上方。
所述间隙的宽度大于单晶基片的宽度，定义间隙的宽度为位于按压弹片正下方的相交棱的长度。
这种单晶基片切割台装置的基台为“山”形的金属台。中间顶端高，两侧为两个对称的向下的斜面。中间位置顶端有一白色的塑料片作为按压弹片，白色塑料片底部中间开有一小凹槽，便于塑料片在外力作用下向内弯曲。
在需要切割单晶基片时，即可用金刚石刻笔和钢尺在基片背面刻一条划痕，将基片背面朝上，卡进按压弹片和基台中间的间隙里，用手按压在按压弹片凹槽两侧的位置，往下压。由于塑料片比需要切割的基片更宽，更方便手指着力，并且两侧施压使力能更均匀分散在基片的背面，更容易切割出规整的断面。
本说明书实施例所述的内容仅仅是对实用新型构思的实现形式的列举，本实用新型的保护范围不应当被视为仅限于实施例所陈述的具体形式，本实用新型的保护范围也包括本领域技术人员根据本实用新型构思所能够想到的等同技术手段。