角平面EFKL用于涂抹石蜡，平面LKJI用于粘贴美纹胶带；
[0041]图5为本实施例3中单晶晶棒的结构示意图，EFGH是晶棒的待粘接面，EFKL为单晶晶棒的圆弧倒角面。
【具体实施方式】
[0042]下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0043]实施例1
[0044]参见附图2，一种晶棒的粘接方法，包括以下步骤:
[0045](I)取多晶硅棒作为待粘胶晶棒，对晶棒的待粘接面进行清洁，之后涂抹胶水进行预抹胶，待胶水完全固化40min后形成均匀的预抹胶层，所述预抹胶层的厚度为100 μπι ;之后对预抹胶层进行粗糙化处理，所述粗糙化处理是采用手工砂纸对预抹胶层打磨；
[0046](2)取承载板，在承载板的待粘接面上涂抹万达wd3640双组分AB胶水，将步骤
(I)所述带预抹胶层的晶棒与承载板进行粘接，待胶水固化4h后，形成二次抹胶层，完成晶棒的粘接。
[0047]其中，待粘胶多晶晶棒的结构如图4所示，平面ADHE和BCGF是晶棒的两个端面，AB方向为晶棒的长度方向，AB —般长约100-260mm，BK或AL方向为钢线切割晶棒的方向。平面EFGH是晶棒与承载板的待粘接面，平面EFKL是一个倒角平面，其与晶棒的长度方向AB相平行，倒角的宽度约为1.5mm，在此倒角平面上涂抹石蜡，平面LKJI是平面LKBA的一部分，平面LKJI与倒角平面EFKL相邻，在平面LKJI处粘贴美纹胶带，胶带宽度20_30mm。
[0048]在棱线EH和FG处，不需要粘贴美纹胶带，溢出的余胶采用利器如美工刀片刮除即可，因为端面位置切割出的硅片一般为废片，所以无需担心刮除余胶对晶棒的损伤。
[0049]值得注意的是，平面DCGH与平面ABKL对称，在其相应位置也需要涂抹石蜡和粘贴美纹胶带(这里未画出)。另外，平面ABCD为后续晶棒的导向条粘接面。
[0050]其中，步骤⑴中，所述预抹胶具体为:(参见附图3)
[0051]a.取清洁后的多晶晶棒(如图4所不)，在晶棒待粘接面的两对称倒角面12处均匀涂一层石蜡，形成涂蜡层，所述倒角面与所述晶棒的长度方向平行，在紧临所述晶棒倒角面12处的13区域粘贴美纹纸胶带，12、13之间无空隙；
[0052]b.将万达wd3640双组分AB胶水涂抹在晶棒的待粘接面14上，待胶水初步固化15min后，立即将美纹胶带撕除，紧临晶棒倒角面的两对称侧面13区域的大部分溢出胶水也随美纹胶带的撕除而去掉，并用聚氯乙烯条铲除石蜡及涂蜡层上的余胶，最后用无尘纸蘸酒精擦拭涂抹石蜡和粘贴美纹胶带的位置，去除剩余的少量余胶。待所述胶水完全固化时间45min后，得到带预抹胶层的晶棒。
[0053]本实施例1粘接后的晶棒如图2所示，晶棒I与承载板2之间存在预抹胶层11、二次抹胶层21，11的厚度为100 μ m，11和21层的总厚度为200 μ m。由于预抹胶层11的存在，在进行二次抹胶时，几乎不会对晶棒粘接面造成裂纹，同时几乎消除了空胶现象产生的不良影响，在对粘接后的晶棒进行切片，发现切割硅片时的崩缺率为4.8%，隐裂率为0.4%。
[0054]而传统的晶棒粘接方法(只有本实施例1的步骤2)，切割硅片时的崩缺率为6.1%,隐裂率为1.0%，相比而目，本发明的晶棒粘接方法，大大提尚了切割娃片的良品率。
[0055]实施例2
[0056]按实施例1的技术方案基本相同，不同之处在于，所述预抹胶层的厚度为120 μπι，步骤(I)中，胶水的固化时间为45min，步骤(2)中，胶水的固化时间为6h，所述预抹胶层和二次抹胶层的总厚度为250 μπι。
[0057]将实施例2所得的粘接后的晶棒进行切割，所得硅片的崩缺率为4.9%，隐裂率为
0.
[0058]实施例3
[0059]取单晶硅棒作为待粘胶晶棒，按实施例1的技术方案对晶棒进行粘胶，不同之处在于，所述预抹胶层的厚度为80 μm，步骤(I)中，胶水的固化时间为30min，步骤(2)中，胶水的固化时间为6h，所述预抹胶层和二次抹胶层的总厚度为200 μπι。
[0060]其中，待粘胶单晶晶棒的结构如图5所示，平面ADHE和BCGF是晶棒的两个端面，AB方向为晶棒的长度方向，BK或AL方向为钢线切割晶棒的方向。平面EFGH是晶棒与承载板的待粘接面，平面EFKL是一个圆弧倒角面，其与晶棒的长度方向AB相平行，圆弧倒角面的圆弧直径约为200_，紧临晶棒待粘接面的倒角平面的部分区域处涂抹石蜡，在紧临所述涂蜡层的剩余倒角面处粘贴美纹胶带(这里未分别画出)，其中，涂蜡层的宽度为1.5mm，胶带宽20_。
[0061]以上对本发明做了详尽的描述，其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明的精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种晶棒的粘接方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)取晶棒，在晶棒的待粘接面上涂抹胶水进行预抹胶，待所述胶水完全固化后形成均匀的预抹胶层； (2)取承载板，在承载板的待粘接面上涂抹胶水，将步骤(I)所述带预抹胶层的晶棒与承载板进行粘接，待所述胶水固化后，形成二次抹胶层，完成晶棒的粘接。
2.如权利要求1所述的晶棒的粘接方法，其特征在于，所述晶棒为多晶硅棒或单晶硅棒。
3.如权利要求1所述的晶棒的粘接方法，其特征在于，步骤(I)中，对所述晶棒进行预抹胶前，在紧临所述晶棒的待粘接面的两对称倒角面处均匀涂一层石蜡，所述倒角面与所述晶棒的长度方向平行，在紧临所述晶棒倒角面处粘贴美纹胶带。
4.如权利要求1所述的晶棒的粘接方法，其特征在于，步骤(I)中，对所述晶棒进行预抹胶15-20min后，清理余胶，得到带预抹胶层的晶棒。
5.如权利要求1所述的晶棒的粘接方法，其特征在于，步骤(I)中，在所述预抹胶层形成后，还包括对预抹胶层进行粗糙化处理。
6.如权利要求1所述的晶棒的粘接方法，其特征在于，步骤(I)中，所述预抹胶层的厚度为 80-120 μπ?ο
7.如权利要求1所述的晶棒的粘接方法，其特征在于，步骤(I)中，所述预抹胶固化的时间为30-45min。
8.如权利要求1所述的晶棒的粘接方法，其特征在于，所述预抹胶层和二次抹胶层的总厚度为200-300 μ m。
9.如权利要求1所述的晶棒的粘接方法，其特征在于，步骤(2)中，所述胶水的固化时间为4-6ho
10.如权利要求1所述的晶棒的粘接方法，其特征在于，步骤(I)、(2)中，所述胶水为双组分AB胶。
【专利摘要】本发明提供了一种晶棒的粘接方法，在将晶棒和承载板粘接之前，预先在晶棒上进行预抹胶形成抹胶层，待胶水固化后，再将有预抹胶层的晶棒与承载板通过二次抹胶粘接起来。该晶棒的粘接方法简单、高效，可以减少晶棒粘接面裂纹、消除空胶现象产生的不良影响，进而减少切割硅片时的崩缺、隐裂率，提高了硅片的良品率。
【IPC分类】B28D5-00
【公开号】CN104760145
【申请号】CN201510194282
【发明人】范立峰, 章金兵, 宋绍林, 曹琦
【申请人】江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年4月22日