AMOLED像素驱动电路及驱动方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法。

背景技术：

有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(Integrated Circuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。

传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压转换为电流，其中一个薄膜晶体管为开关薄膜晶体管，用于控制数据信号的进入，另一个薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，用于控制通过有机发光二极管的电流，因此驱动薄膜晶体管的阈值电压的重要性便十分明显，阈值电压的正向或负向漂移都有会使得在相同数据信号下有不同的电流通过有机发光二极管。然而，目前由低温多晶硅或氧化物半导体制作的薄膜晶体管因光照、源漏电极电压应力作用等因素，在使用过程中均会发生阈值电压漂移现象。传统的2T1C电路中，驱动薄膜晶体管的阈值电压的漂移无法通过调节得到改善，因此需要通过添加新的薄膜晶体管或新的信号的方式来减弱阈值电压漂移带来的影响，即使得AMOLED像素驱动电路具有补偿功能。

现有技术中不乏使用传统单栅极薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管的AMOLED像素补偿电路，通过探测驱动薄膜晶体管的阈值电压，然后根据阈值电压的漂移程度调整所需输入的数据信号值的大小。这种电路的缺点在于传统单栅极薄膜晶体管在受到电压、光照等应力作用后，阈值电压通常向正向漂移而增大，因此数据信号也要相应增大，以减弱驱动薄膜晶体管阈值电压漂移的影响，而数据信号的增大又进一步加剧了对驱动薄膜晶体管的电压应力，加快了阈值电压漂移，形成恶性循环。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，能够有效补偿驱动薄膜晶体管及有机发光二极管的阈值电压，简化数据信号，使流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。

本发明的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够对驱动薄膜晶体管及有机发光二极管的阈值电压进行有效补偿，解决由阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题，使有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。

为实现上述目的，本发明提供了一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；

所述第一薄膜晶体管为双栅极薄膜晶体管，用于驱动有机发光二极管，其底栅电性连接第一节点，顶栅电性连接第二节点，源极电性连接有机发光二极管的阳极，漏极电性连接第三节点；

所述第二薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接第四节点；

所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极接入预设电压，漏极电性连接第一节点；

所述第四薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，源极接入预设电压，漏极电性连接第四节点；

所述第五薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极电性连接第二节点，漏极电性连接第三节点；

所述第六薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号，源极接入电源电压，漏极电性连接第三节点；

所述第一电容的一端电性连接第一节点，另一端电性连接第四节点；

所述第二电容的一端电性连接第二节点，另一端接地；

所述有机发光二极管的阳极电性连接第一薄膜晶体管的源极，阴极接地。

所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、及第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。

所述第一扫描信号、第二扫描信号、及第三扫描信号均通过外部时序控制器提供。

所述预设电压为一恒定电压。

所述第一扫描信号、第二扫描信号、及第三扫描信号相组合，先后对应于一预充电阶段、一阈值电压编程阶段、及一驱动发光阶段；

在所述预充电阶段，所述第一扫描信号提供低电位，所述第二扫描信号及第三扫描信号均提供高电位；

在所述阈值电压编程阶段，所述第一扫描信号及第三扫描信号提供均低电位，所述第二扫描信号提供高电位；

在所述驱动发光阶段中，所述第一扫描信号及第三扫描信号均提供高电位，所述第二扫描信号提供低电位。

本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；

所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；

所述第一薄膜晶体管为双栅极薄膜晶体管，用于驱动有机发光二极管，其底栅电性连接第一节点，顶栅电性连接第二节点，源极电性连接有机发光二极管的阳极，漏极电性连接第三节点；

所述第二薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接第四节点；

所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极接入预设电压，漏极电性连接第一节点；

所述第四薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，源极接入预设电压，漏极电性连接第四节点；

所述第五薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极电性连接第二节点，漏极电性连接第三节点；

所述第六薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号，源极接入电源电压，漏极电性连接第三节点；

所述第一电容的一端电性连接第一节点，另一端电性连接第四节点；

所述第二电容的一端电性连接第二节点，另一端接地；

所述有机发光二极管的阳极电性连接第一薄膜晶体管的源极，阴极接地；

步骤2、进入预充电阶段；

所述第一扫描信号提供低电位，第四薄膜晶体管关闭，第二扫描信号提供高电位，第二、第三、及第五薄膜晶体管打开，第三扫描信号提供高电位，第六薄膜晶体管打开，所述第一薄膜晶体管的漏极与顶栅写入电源电压，第一节点即第一薄膜晶体管的底栅写入预设电压，第四节点写入数据信号提供的电压，第一电容进行充电，两端的电压差为Vdata-Vpre，其中Vdata为数据信号提供的电压，Vpre为预设电压；

步骤3、进入阈值电压编程阶段；

所述第一扫描信号保持低电位，第四薄膜晶体管关闭，所述第二扫描信号保持高电位，第二、第三、及第五薄膜晶体管打开，第三扫描信号提供低电位，第六薄膜晶体管关闭，第一薄膜晶体管打开，第一薄膜晶体管的漏极与顶栅的电压随时间不断下降，第一薄膜晶体管的阈值电压不断上升，当第一薄膜晶体管的阈值电压达到Vth＝Vpre-Vs，其中Vth为第一薄膜晶体管的阈值电压，Vs为第一薄膜晶体管的源极电压，第一薄膜晶体管的阈值电压不再变化，此时第一薄膜晶体管的顶栅的电压存储在第二电容中；

步骤4、进入驱动发光阶段；

所述第一扫描信号提供高电位，第四薄膜晶体管打开，第二扫描信号提供低电位，第二、第三、及第五薄膜晶体管关闭，第三扫描信号提供高电位，第六薄膜晶体管打开，第一薄膜晶体管的顶栅的电压值在第二电容的存储作用下保持不变，维持第一薄膜晶体管的阈值电压为Vth＝Vpre-Vs，第四节点写入预设电压，第一节点即第一薄膜晶体管的底栅的电压值变为2Vpre-Vdata，第一薄膜晶体管打开，有机发光二极管发光，且流经所述有机发光二极管的电流与第一薄膜晶体管的阈值电压及有机发光二极管的阈值电压均无关。

所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、及第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。

所述第一扫描信号、第二扫描信号、及第三扫描信号均通过外部时序控制器提供。

所述预设电压为一恒定电压。

本发明的有益效果：本发明提供的一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法，利用双栅极薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管，在预充电阶段使第一薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管的漏极与顶栅写入电源电压，第一薄膜晶体管的底栅及第一电容的一端写入预设电压，第一电容的另一端写入数据信号提供的电压；在阈值电压编程阶段使第一薄膜晶体管的顶栅电压降低而阈值电压升高，直至阈值电压提升至Vth＝Vpre-Vs；在驱动发光阶段，第二电容使得第一薄膜晶体管的顶栅电压保持不变，维持其阈值电压仍为Vth＝Vpre-Vs，第一薄膜晶体管的底栅的电压值变为2Vpre-Vdata，第一薄膜晶体管打开，有机发光二极管发光，且流过有机发光二极管的电流与第一薄膜晶体管的阈值电压及有机发光二极管的阈值电压均无关，有效补偿了驱动薄膜晶体管及有机发光二极管的阈值电压，简化了数据信号，保证了有机发光二极管的发光亮度均匀，改善了画面的显示效果。

附图说明

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图中，

图1为本发明的AMOLED像素驱动电路的电路图；

图2为本发明的AMOLED像素驱动电路的时序图；

图3为本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤2的示意图；

图4为本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤3的示意图；

图5为本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤4的示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图1及图2，本发明提供一种6T2C结构的AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第一电容C1、第二电容C2、及有机发光二极管D1。

所述第一薄膜晶体管T1为双栅极薄膜晶体管，其底栅BG电性连接第一节点A，顶栅TG电性连接第二节点B，源极电性连接有机发光二极管D1的阳极，漏极电性连接第三节点C；该双栅极的第一薄膜晶体管T1作为驱动薄膜晶体管，用于驱动有机发光二极管D1，根据目前的研究，双栅极薄膜晶体管的特点在于电压与光照应力对其阈值电压的影响较小，同时其阈值电压与顶栅电压呈负相关趋势，即顶栅电压越大，阈值电压越小；

所述第二薄膜晶体管T2的栅极接入第二扫描信号Scan2，源极接入数据信号Data，漏极电性连接第四节点D；

所述第三薄膜晶体管T3的栅极接入第二扫描信号Scan2，源极接入预设电压Vpre，漏极电性连接第一节点A；

所述第四薄膜晶体管T4的栅极接入第一扫描信号Scan1，源极接入预设电压Vpre，漏极电性连接第四节点D；

所述第五薄膜晶体管T5的栅极接入第二扫描信号Scan2，源极电性连接第二节点B，漏极电性连接第三节点C；

所述第六薄膜晶体管T6的栅极接入第三扫描信号Scan3，源极接入电源电压VDD，漏极电性连接第三节点C；

所述第一电容C1的一端电性连接第一节点A，另一端电性连接第四节点D；

所述第二电容C2的一端电性连接第二节点B，另一端接地；

所述有机发光二极管D1的阳极电性连接第一薄膜晶体管T1的源极，阴极接地。

具体地，所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、及第六薄膜晶体管T6均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。

具体地，所述第一扫描信号Scan1、第二扫描信号Scan2、及第三扫描信号Scan3均通过外部时序控制器提供。

具体地，所述预设电压Vpre为一恒定电压。

具体地，请参阅图2，所述第一扫描信号Scan1、第二扫描信号Scan2、及第三扫描信号Scan3相组合，先后对应于一预充电阶段1、一阈值电压编程阶段2、及一驱动发光阶段3。在所述预充电阶段1，所述第一扫描信号Scan1提供低电位，所述第二扫描信号Scan2及第三扫描信号Scan3均提供高电位；在所述阈值电压编程阶段2，所述第一扫描信号Scan1及第三扫描信号Scan3均提供低电位，所述第二扫描信号Scan2提供高电位；在所述驱动发光阶段3，所述第一扫描信号Scan1及第三扫描信号Scan3均提供高电位，所述第二扫描信号Scan2提供低电位。

具体地，请同时参阅图3至图5，并结合图1及图2，本发明的AMOLED像素驱动电路的工作过程如下：

在预充电阶段1，所述第一扫描信号Scan1提供低电位，第四薄膜晶体管T4关闭，第二扫描信号Scan2提供高电位，第二、第三、及第五薄膜晶体管T2、T3、T5打开，第三扫描信号Scan3提供高电位，第六薄膜晶体管T6打开，所述第二节点B及第三节点C写入电源电压VDD，也即第一薄膜晶体管T1的顶栅TG及漏极均写入电源电压VDD，第一节点A写入预设电压Vpre，也即第一薄膜晶体管T1的底栅BG及第一电容C1的一端写入预设电压Vpre，第四节点D写入数据信号Data提供的电压，也即第一电容C1的另一端写入数据信号Data提供的电压，此时，第一电容C1进行充电，两端的电压差为Vdata-Vpre，其中Vdata为数据信号Data提供的电压，Vpre为预设电压Vpre；

在阈值电压编程阶段2，所述第一扫描信号Scan1保持低电位，第四薄膜晶体管T4关闭，所述第二扫描信号Scan2保持高电位，第二、第三、及第五薄膜晶体管T2、T3、T5打开，第三扫描信号Scan3提供低电位，第六薄膜晶体管T6关闭，第一薄膜晶体管T1打开，随着时间推移及第一电容C1放电，第二节点B及第三节点C的电压不断下降，即第一薄膜晶体管T1的漏极与顶栅TG的电压不断下降，第一薄膜晶体管T1的阈值电压不断上升，当第一薄膜晶体管T1的阈值电压达到Vth＝Vpre-Vs，其中Vth为第一薄膜晶体管T1的阈值电压，Vs为第一薄膜晶体管T1的源极电压，第一薄膜晶体管T1的阈值电压不再变化，此时第一薄膜晶体管T1的顶栅TG的电压存储在第二电容C2中；

在驱动发光阶段3，所述第一扫描信号Scan1提供高电位，第四薄膜晶体管T4打开，第二扫描信号Scan2提供低电位，第二、第三、及第五薄膜晶体管T2、T3、T5关闭，第三扫描信号Scan3提供高电位，第六薄膜晶体管T6打开，第二节点B即第一薄膜晶体管T1的顶栅TG的电压值在第二电容C2的存储作用下保持不变，维持第一薄膜晶体管T1的阈值电压为Vth＝Vpre-Vs，第四节点D写入预设电压Vpre，也即第一电容C1的另一端的电压由数据信号Data提供的电压变为预设电压Vpre，为保证第一电容C1两端的电压差保持Vdata-Vpre，第一节点A即第一薄膜晶体管T1的底栅BG的电压值V_BG变为2Vpre-Vdata，第一薄膜晶体管T1打开，有机发光二极管D1发光。

根据流过有机发光二极管的电流公式：

I＝β(V_BG-Vth-V_S)²

＝β(2Vpre-Vdata–Vpre+Vs-Vs)²

＝β(Vpre-Vdata)²

其中，β为一与薄膜晶体管特性有关的常值系数。

可见流过第一薄膜晶体管T1及有机发光二极管D1的电流值与第一薄膜晶体管T1的阈值电压无关，同时也与有机发光二极管D1的阈值电压无关，只与输入的数据信号Data的电压值有关，补偿了驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，并且补偿了有机发光二极管老化产生的阈值电压漂移，保证了流过机发光二极管的电流的稳定性，使有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。

请同时参阅图3至图5，结合图1与图2，基于上述AMOLED像素驱动电路，本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路。

如图1所示，所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第一电容C1、第二电容C2、及有机发光二极管D1。

所述第一薄膜晶体管T1为双栅极薄膜晶体管，其底栅BG电性连接第一节点A，顶栅TG电性连接第二节点B，源极电性连接有机发光二极管D1的阳极，漏极电性连接第三节点C；该双栅极的第一薄膜晶体管T1作为驱动薄膜晶体管，用于驱动有机发光二极管D1，根据目前的研究，双栅极薄膜晶体管的特点在于电压与光照应力对其阈值电压的影响较小，同时其阈值电压与顶栅电压呈负相关趋势，即顶栅电压越大，阈值电压越小；

所述第二薄膜晶体管T2的栅极接入第二扫描信号Scan2，源极接入数据信号Data，漏极电性连接第四节点D；

所述第三薄膜晶体管T3的栅极接入第二扫描信号Scan2，源极接入预设电压Vpre，漏极电性连接第一节点A；

所述第四薄膜晶体管T4的栅极接入第一扫描信号Scan1，源极接入预设电压Vpre，漏极电性连接第四节点D；

所述第五薄膜晶体管T5的栅极接入第二扫描信号Scan2，源极电性连接第二节点B，漏极电性连接第三节点C；

所述第六薄膜晶体管T6的栅极接入第三扫描信号Scan3，源极接入电源电压VDD，漏极电性连接第三节点C；

所述第一电容C1的一端电性连接第一节点A，另一端电性连接第四节点D；

所述第二电容C2的一端电性连接第二节点B，另一端接地；

所述有机发光二极管D1的阳极电性连接第一薄膜晶体管T1的源极，阴极接地。

具体地，所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、及第六薄膜晶体管T6均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。

具体地，所述第一扫描信号Scan1、第二扫描信号Scan2、及第三扫描信号Scan3均通过外部时序控制器提供。

具体地，所述预设电压Vpre为一恒定电压。

步骤2、进入预充电阶段1。

所述第一扫描信号Scan1提供低电位，第四薄膜晶体管T4关闭，第二扫描信号Scan2提供高电位，第二、第三、及第五薄膜晶体管T2、T3、T5打开，第三扫描信号Scan3提供高电位，第六薄膜晶体管T6打开，所述第二节点B及第三节点C写入电源电压VDD，也即第一薄膜晶体管T1的顶栅TG及漏极均写入电源电压VDD，第一节点A写入预设电压Vpre，也即第一薄膜晶体管T1的底栅BG及第一电容C1的一端写入预设电压Vpre，第四节点D写入数据信号Data提供的电压，也即第一电容C1的另一端写入数据信号Data提供的电压，此时，第一电容C1进行充电，两端的电压差为Vdata-Vpre，其中Vdata为数据信号Data提供的电压，Vpre为预设电压Vpre。

步骤3、进入阈值电压编程阶段2。

所述第一扫描信号Scan1保持低电位，第四薄膜晶体管T4关闭，所述第二扫描信号Scan2保持高电位，第二、第三、及第五薄膜晶体管T2、T3、T5打开，第三扫描信号Scan3提供低电位，第六薄膜晶体管T6关闭，第一薄膜晶体管T1打开，随着时间推移及第一电容C1放电，第二节点B及第三节点C的电压不断下降，即第一薄膜晶体管T1的漏极与顶栅TG的电压不断下降，第一薄膜晶体管T1的阈值电压不断上升，当第一薄膜晶体管T1的阈值电压达到Vth＝Vpre-Vs，其中Vth为第一薄膜晶体管T1的阈值电压，Vs为第一薄膜晶体管T1的源极电压，第一薄膜晶体管T1的阈值电压不再变化，此时第一薄膜晶体管T1的顶栅TG的电压存储在第二电容C2中。

步骤4、进入驱动发光阶段3。

在驱动发光阶段3，所述第一扫描信号Scan1提供高电位，第四薄膜晶体管T4打开，第二扫描信号Scan2提供低电位，第二、第三、及第五薄膜晶体管T2、T3、T5关闭，第三扫描信号Scan3提供高电位，第六薄膜晶体管T6打开，第二节点B即第一薄膜晶体管T1的顶栅TG的电压值在第二电容C2的存储作用下保持不变维持第一薄膜晶体管T1的阈值电压为Vth＝Vpre-Vs，第四节点D写入预设电压Vpre，也即第一电容C1的另一端的电压由数据信号Data提供的电压变为预设电压Vpre，为保证第一电容C1两端的电压差保持Vdata-Vpre，第一节点A即第一薄膜晶体管T1的底栅BG的电压值V_BG变为2Vpre-Vdata，第一薄膜晶体管T1打开，有机发光二极管D1发光。

根据流过有机发光二极管的电流公式：

I＝β(V_BG-Vth-V_S)²

＝β(2Vpre-Vdata–Vpre+Vs-Vs)²

＝β(Vpre-Vdata)²

其中，β为一与薄膜晶体管特性有关的常值系数。

可见流过第一薄膜晶体管T1及有机发光二极管D1的电流值与第一薄膜晶体管T1的阈值电压无关，同时也与有机发光二极管D1的阈值电压无关，只与输入的数据信号Data的电压值有关，补偿了驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，并且补偿了有机发光二极管老化产生的阈值电压漂移，保证了流过机发光二极管的电流的稳定性，使有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。

综上所述，本发明提供的一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法，利用双栅极薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管，在预充电阶段使第一薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管的漏极与顶栅写入电源电压，第一薄膜晶体管的底栅及第一电容的一端写入预设电压，第一电容的另一端写入数据信号提供的电压；在阈值电压编程阶段使第一薄膜晶体管的顶栅电压降低而阈值电压升高，直至阈值电压提升至Vth＝Vpre-Vs；在驱动发光阶段，第二电容使得第一薄膜晶体管的顶栅电压保持不变，维持其阈值电压仍为Vth＝Vpre-Vs，第一薄膜晶体管的底栅的电压值变为2Vpre-Vdata，第一薄膜晶体管打开，有机发光二极管发光，且流过有机发光二极管的电流与第一薄膜晶体管的阈值电压及有机发光二极管的阈值电压均无关，有效补偿了驱动薄膜晶体管及有机发光二极管的阈值电压，简化了数据信号，保证了有机发光二极管的发光亮度均匀，改善了画面的显示效果。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。