一种像素电路及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及显示装置。

背景技术：

有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)具有自发光、对比度高、色域广、制备工艺简单、以及易形成柔性结构等优点，因此，利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。

尤其是主动式矩阵有机电致发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)，其具有无视角限制、制造成本低、应答速度快、节省功耗，而具有极大的发展潜力。

但是，目前的OLED显示面板，由于在设计以及工艺稳定性等方面的问题，发生亮点的几率非常的大，而亮点问题在许多领域的应用中，容忍度几乎为零。

目前解决亮点的方法主要为通过设备对面板中的亮点进行扫描，在确定亮点位置后通过激光切割的方案关闭像素点。但该方案效率低下且对像素的损害高，影响面板的品质和良率。而且，当像素的尺寸降低到纳米级时激光修复将无法对像素点进行修复。此外，修复后亮点变为暗点，面板的坏点数增多，导致面板的良率和品质进一步下降。

技术实现要素：

本实用新型的实施例提供一种像素电路及显示装置，可解决亮点不良的问题，且不会影响产品的品质和良率。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种像素电路，包括：主驱动模块、备用驱动模块、发光模块、熔断模块、熔断控制模块和切换模块。

具体的，所述主驱动模块，分别连接扫描信号线、数据信号线、第一电压端和熔断模块，用于在所述扫描信号线和所述数据信号线的控制下，将所述第一电压端输入的电压信号转化为驱动电流信号，并输出至所述熔断模块。

所述熔断模块，还连接所述熔断控制模块和所述发光模块，用于在所述熔断控制模块的控制下，使所述发光模块和所述主驱动模块的连接断开。

所述熔断控制模块，还连接信号输入端和接地端，用于在所述信号输入端的控制下，使所述主驱动模块输出至所述熔断模块的驱动电流信号流向所述接地端，以使所述发光模块和所述主驱动模块的连接断开。

所述备用驱动模块，分别连接所述扫描信号线、所述数据信号线、所述第一电压端和所述切换模块，用于在所述扫描信号线和所述数据信号线的控制下，将所述第一电压端输入的电压信号转化为驱动电流信号，并输出至所述切换模块。

所述切换模块，还连接所述发光模块和控制线，用于在所述控制线输入信号的控制下，使所述备用驱动模块和所述发光模块连接。

所述发光模块，还连接第二电压端，用于在所述第二电压端的控制下，通过所述主驱动模块或所述备用驱动模块输出的驱动电流信号进行发光。

可选的，所述主驱动模块包括第一晶体管、第二晶体管和第一存储电容；所述第一晶体管的栅极连接所述扫描信号线，第一极连接所述数据信号线，第二极连接所述第二晶体管的栅极；所述第二晶体管的第一极连接所述第一电压端，第二极连接所述熔断模块；所述第一存储电容的一端连接所述第二晶体管的栅极，另一端连接所述第二晶体管的第二极，或者，另一端连接所述第二晶体管的第一极。

可选的，所述备用驱动模块包括第三晶体管、第四晶体管和第二存储电容；所述第三晶体管的栅极连接所述扫描信号线，第一极连接所述数据信号线，第二极连接所述第四晶体管的栅极；所述第四晶体管的第一极连接所述第一电压端，第二极连接所述切换模块；所述第二存储电容的一端连接所述第四晶体管的栅极，另一端连接所述第四晶体管的第二极，或者，另一端连接所述第四晶体管的第一极。

可选的，所述熔断模块包括第一熔断元件；所述第一熔断元件的一端连接所述主驱动模块，另一端与所述发光模块和所述熔断控制模块均连接。

可选的，所述熔断控制模块包括第五晶体管；所述第五晶体管的栅极连接所述信号输入端，第一极连接所述熔断模块，第二极连接所述接地端。

可选的，所述切换模块包括第六晶体管；所述第六晶体管的栅极连接所述控制线，第一极连接所述备用驱动模块，第二极连接所述发光模块。

可选的，所述发光模块包括发光器件；所述发光器件的阳极与所述熔断模块和所述切换模块均连接，阴极连接所述第二电压端。

基于上述，优选的，所述像素电路还包括切换控制模块，分别连接所述控制线、所述主驱动模块、所述熔断模块、第三电压端、第四电压端和所述信号输入端，用于在所述第三电压端、所述第四电压端和所述信号输入端的控制下，当所述熔断模块使所述发光模块和所述主驱动模块的连接断开时，向所述控制线输入第二信号，使所述发光模块和所述备用驱动模块连接；否则，向所述控制线输入第一信号，使所述发光模块和所述备用驱动模块保持断开。

进一步可选的，所述切换控制模块包括第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第二熔断元件；所述第七晶体管的栅极和第一极连接所述第三电压端，第二极连接所述第二熔断元件的一端；所述第二熔断元件的另一端与所述第八晶体管的第一极和所述控制线均连接；所述第八晶体管的栅极和第二极连接所述第四电压端；所述第九晶体管的栅极连接所述信号输入端，第一极连接所述第八晶体管的第一极，第二极与所述主驱动模块和所述熔断模块均连接。

其中，所述第七晶体管的宽长比为所述第八晶体管的宽长比的10倍以上；所述第七晶体管和所述第八晶体管常开；所述第七晶体管为P型晶体管，所述第八晶体管和第九晶体管为N型晶体管；或者，所述第七晶体管为N型晶体管，所述第八晶体管和所述第九晶体管为P型晶体管。

第二方面，提供一种显示装置，包括第一方面所述的像素电路。

本实用新型的实施例提供一种像素电路及显示装置，通过向扫描信号线输入扫描信号，向数据信号线输入关闭信号，并在信号输入端的控制下，若所述像素电路存在常亮不良，则主驱动模块输出至熔断模块的驱动电流信号流向接地端，发光模块和主驱动模块的连接断开，从而可解决常亮不良的问题，否则由于主驱动模块没有驱动电流信号输出，发光模块和主驱动模块保持连接，仍然通过主驱动模块驱动发光模块进行发光。在此基础上，若所述像素电路存在常亮不良，发光模块和主驱动模块的连接断开，通过控制线的控制，可使发光模块和备用驱动模块连接，以使备用驱动模块驱动发光模块进行发光。其中，当所述像素电路正常工作时，扫描信号线输入扫描信号，数据信号线输入数据信号，主驱动模块或备用驱动模块输出的驱动电流信号驱动发光模块发光。基于此，可知，本实用新型实施例在解决常亮不良问题的基础上，不会对像素造成损伤，而且可达到对像素进行修复的目的，避免由于常亮不良而影响产品的品质和良率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种像素电路的结构示意图一；

图2为图1所示像素电路的各个模块的一种具体结构示意图一；

图3为图1所示像素电路的各个模块的一种具体结构示意图二；

图4为本实用新型实施例提供的一种像素电路的结构示意图二；

图5为图4所示像素电路的各个模块的一种具体结构示意图；

图6a-图6d为图5所示的像素电路对应不同情况时的等效电路图；

图7a为像素电路正常工作时的时序图一；

图7b为像素电路正常工作时的时序图二；

图8为本实用新型实施例提供的一种像素电路的驱动方法流程图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供一种像素电路，如图1所示，包括：主驱动模块10、备用驱动模块20、发光模块30、熔断模块40、熔断控制模块50和切换模块60。

具体的，主驱动模块10，分别连接扫描信号线SL、数据信号线DL、第一电压端V1和熔断模块40，用于在扫描信号线SL和数据信号线DL的控制下，将第一电压端V1输入的电压信号转化为驱动电流信号，并输出至熔断模块40。

熔断模块40，还连接熔断控制模块50和发光模块30，用于在熔断控制模块50的控制下，使发光模块30和主驱动模块10的连接断开。

熔断控制模块50，还连接信号输入端S和接地端GND，用于在信号输入端S的控制下，使主驱动模块10输出至熔断模块40的驱动电流信号流向接地端GND，以使发光模块30和主驱动模块10的连接断开。

备用驱动模块20，分别连接扫描信号线SL、数据信号线DL、第一电压端V1和切换模块60，用于在扫描信号线SL和数据信号线DL的控制下，将第一电压端V1输入的电压信号转化为驱动电流信号，并输出至切换模块60。

切换模块60，还连接发光模块30和控制线CL，用于在控制线CL输入信号的控制下，使备用驱动模块20和发光模块30连接。

发光模块30，还连接第二电压端V2，用于在第二电压端V2的控制下，通过主驱动模块10或备用驱动模块20输出的驱动电流信号进行发光。

本实用新型实施例像素电路的工作方式为：当像素电路正常工作时，主驱动模块10输出的驱动电流信号通过熔断模块40流向发光模块30，以驱动发光模块30发光。此时，控制线CL输入第一信号，使发光模块30和备用驱动模块20保持断开，同时，信号输入端S输入第三信号，使发光模块30和主驱动模块10保持连接。

当像素电路存在常亮不良时，信号输入端S输入第四信号，使主驱动模块10输出至熔断模块40的驱动电流信号流向接地端，以使发光模块30和主驱动模块10的连接断开，同时，控制线CL输入第二信号，使发光模块30和备用驱动模块20连接。基于此，备用驱动模块20输出的驱动电流信号可流向发光模块30，驱动发光模块30发光。

需要说明的是，第一，对于熔断模块40，一旦在熔断控制模块50的控制下，使发光模块30和主驱动模块10的连接断开，则发光模块30和主驱动模块10不能再恢复连接状态。

第二，第一电压端V1可以连接供电电压端Vdd。第二电压端V2可以连接低电压端或接地端GND。

本实用新型实施例提供一种像素电路，通过向扫描信号线SL输入扫描信号，向数据信号线DL输入关闭信号，并在信号输入端S的控制下，若所述像素电路存在常亮不良，则主驱动模块10输出至熔断模块40的驱动电流信号流向接地端GND，发光模块30和主驱动模块10的连接断开，从而可解决常亮不良的问题，否则由于主驱动模块10没有驱动电流信号输出，发光模块30和主驱动模块10保持连接，仍然通过主驱动模块10驱动发光模块30进行发光。在此基础上，若所述像素电路存在常亮不良，发光模块30和主驱动模块10的连接断开，通过控制线CL的控制，可使发光模块30和备用驱动模块20连接，以使备用驱动模块20驱动发光模块30进行发光。其中，当所述像素电路正常工作时，扫描信号线SL输入扫描信号，数据信号线DL输入数据信号，主驱动模块10或备用驱动模块20输出的驱动电流信号驱动发光模块30发光。基于此，可知，本实用新型实施例在解决常亮不良问题的基础上，不会对像素造成损伤，而且可达到对像素进行修复的目的，避免由于常亮不良而影响产品的品质和良率。

如图2和图3所示，主驱动模块10包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第一存储电容C1。

其中，第一晶体管T1的栅极连接扫描信号线SL，第一极连接数据信号线DL，第二极连接第二晶体管T2的栅极。

第二晶体管T2的第一极连接第一电压端V1，第二极连接熔断模块40。

第一存储电容C1的一端连接第二晶体管T2的栅极，另一端连接第二晶体管T2的第二极，或者，另一端连接第二晶体管T2的第一极。

此处，第二晶体管T2为驱动晶体管。

需要说明的是，所述主驱动模块10还可以包括与第一晶体管T1并联的多个开关晶体管，和/或,还可以包括与第二晶体管T2并联的多个驱动晶体管。上述仅仅是对主驱动模块10的举例说明，其它与该主驱动模块10功能相同的结构在此不再一一赘述，但都应当属于本实用新型的保护范围。

如图2和图3所示，备用驱动模块20包括第三晶体管T3、第四晶体管T4和第二存储电容C2。

第三晶体管T3的栅极连接扫描信号线SL，第一极连接数据信号线DL，第二极连接第四晶体管T4的栅极。

第四晶体管T4的第一极连接第一电压端V1，第二极连接切换模块60。

第二存储电容C2的一端连接第四晶体管T4的栅极，另一端连接第四晶体管T4的第二极，或者，另一端连接第四晶体管T4的第一极。

此处，第四晶体管T4为驱动晶体管。

需要说明的是，所述备用驱动模块20还可以包括与第三晶体管T3并联的多个开关晶体管，和/或,还可以包括与第四晶体管T4并联的多个驱动晶体管。上述仅仅是对备用驱动模块20的举例说明，其它与该备用驱动模块20功能相同的结构在此不再一一赘述，但都应当属于本实用新型的保护范围。

如图2和图3所示，所述熔断模块40包括第一熔断元件FU1；第一熔断元件FU1可以包括保险丝或保险管等，通过电压变化实现熔断功能的元件。

其中，第一熔断元件FU1的一端连接主驱动模块10，另一端与发光模块30和熔断控制模块50均连接。当主驱动模块10为上述结构时，第一熔断元件FU1的一端连接第二晶体管T2的第二极。

需要说明的是，上述仅仅是对熔断模块40的举例说明，其它与该熔断模块40功能相同的结构在此不再一一赘述，但都应当属于本实用新型的保护范围。

如图2和图3所示，熔断控制模块50包括第五晶体管T5。

其中，第五晶体管T5的栅极连接信号输入端S，第一极连接熔断模块40，第二极连接接地端GND。当熔断模块40为上述结构时，第三晶体管T5的第一极连接第一熔断元件FU1的另一端。

需要说明的是，所述熔断控制模块50还可以包括与第五晶体管T5并联的多个开关晶体管。上述仅仅是对熔断控制模块50的举例说明，其它与该熔断控制模块50功能相同的结构在此不再一一赘述，但都应当属于本实用新型的保护范围。

如图2和图3所示，切换模块60包括第六晶体管T6。

第六晶体管T6的栅极连接控制线CL，第一极连接备用驱动模块20，第二极连接发光模块30。当备用驱动模块为上述结构时，第六晶体管T6的第一极连接第四晶体管T4的第二极。

需要说明的是，所述切换模块60还可以包括与第六晶体管T6并联的多个开关晶体管。上述仅仅是对切换模块60的举例说明，其它与该切换模块60功能相同的结构在此不再一一赘述，但都应当属于本实用新型的保护范围。

发光模块30包括发光器件。图2和图3中以发光模块30为OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)进行示意。

所述发光器件的阳极与熔断模块40和切换模块60均连接，阴极连接第二电压端V2。当熔断模块40和切换模块60为上述结构时，发光器件的阳极与第一熔断元件FU1的另一端，第六晶体管T6的第二极均连接。

需要说明的是，发光器件并不限于OLED，还可以是包括LED(Light Emitting Diode，发光二极管)在内的多种电流驱动发光器件。

基于上述，如图4所示，所述像素电路还包括切换控制模块70，分别连接控制线CL、主驱动模块10、熔断模块40、第三电压端V3、第四电压端V4和信号输入端S，用于在第三电压端V3、第四电压端V4和信号输入端S的控制下，当熔断模块40使发光模块30和主驱动模块10的连接断开时，向控制线CL输入第二信号，使发光模块30和备用驱动模块20连接；否则，向控制线CL输入第一信号，使发光模块30和备用驱动模块20保持断开。

即：当扫描信号线SL输入扫描信号，数据信号线DL输入关闭信号时，信号输入端S输入第四信号，在此情况下，若存在常亮不良，则主驱动模块10输出驱动电流信号，且主驱动模块10输出的驱动电流信号流向接地端GND，从而使发光模块30和主驱动模块10的连接断开，以解决由于主驱动模块10而引起的常亮不良问题。

基于此，在第三电压端V3、第四电压端V4、信号输入端S输入第四信号的控制下，以及由于主驱动模块10输出的电流有部分流向切换控制模块70，而使得有电压施加在切换控制模块70的作用下，切换控制模块70向控制线CL输入第二信号，以使发光模块30和备用驱动模块20连接，由备用驱动模块20驱动发光模块30发光。其中，为了保证主驱动模块10和发光模块30断开后，备用驱动模块20驱动发光模块30发光，控制线CL需持续输入第二信号。

在此基础上，当扫描信号线SL输入扫描信号，数据信号线DL输入数据信号时，信号输入端S输入第三信号，可保证备用驱动模块20驱动发光模块30发光。

当扫描信号线SL输入扫描信号，数据信号线DL输入关闭信号时，信号输入端S输入第四信号，若不存在常亮不良，则主驱动模块10没有输出驱动电流信号，即使信号输入端S输入第四信号，也由于主驱动模块10没有输出驱动电流信号，对熔断模块40无影响，发光模块30和主驱动模块10仍然通过熔断模块40连接。

基于此，在第三电压端V3、第四电压端V4、信号输入端S输入第四信号的控制下，切换控制模块70向控制线CL输入第一信号，使发光模块30和备用驱动模块20保持断开。

在此基础上，当扫描信号线SL输入扫描信号，数据信号线DL输入数据信号时，信号输入端S输入第三信号，控制线CL输入第一信号，可保证主驱动模块10驱动发光模块30发光。

本实用新型实施例通过在像素电路中设置切换控制模块70，并使其与控制线CL、主驱动模块10、熔断模块40、第三电压端V3、第四电压端V4和信号输入端S连接，可在信号输入端S输入第四信号时，若熔断模块40使发光模块30和主驱动模块10的连接断开，则在第三电压端V3、第四电压端V4的控制下，以及主驱动模块10的作用下，向控制线CL输入第二信号，实现在发光模块30和主驱动模块10的连接断开时，自动使发光模块30和备用驱动模块20连接的目的；而在信号输入端S输入第四信号，但对熔断模块40无影响，或在信号输入端S输入第三信号时，可保证像素电路的正常工作。

进一步优选的，如图5所示，切换控制模块70包括第七晶体管T7、第八晶体管T8、第九晶体管T9和第二熔断元件FU2。

具体的，第七晶体管T7的栅极和第一极连接第三电压端V3，第二极连接第二熔断元件FU2的一端。

第二熔断元件FU2的另一端与第八晶体管T8的第一极和控制线CL均连接。

第八晶体管T8的栅极和第二极连接第四电压端V4。

第九晶体管T9的栅极连接信号输入端S，第一极连接第八晶体管T8的第一极，第二极与主驱动模块10和熔断模块40均连接。当主驱动模块10和熔断模块40为上述结构时，第九晶体管T9的第二极与第二晶体管T2的第二极和第一熔断元件FU1的一端均连接。

其中，第七晶体管T7的宽长比为第八晶体管T8的宽长比的10倍以上；第七晶体管T7和第八晶体管T8常开；第七晶体管T7为P型晶体管，第八晶体管T8和第九晶体管T9为N型晶体管；或者，第七晶体管T7为N型晶体管，第八晶体管T8和第九晶体管T9为P型晶体管。

具体的，当信号输入端S输入第四信号时，第九晶体管T9导通，基于此，若主驱动模块10在数据信号线DL输入关闭信号时，仍有驱动电流信号输出，则主驱动模块10输出的电流有部分流向切换控制模块70，而使得有电压作用到切换控制模块70上，并通过导通的第九晶体管T9作用到第二熔断元件FU2的另一端，从而使得第二熔断元件FU2两端的电压发生改变，第二熔断元件FU2熔断，第四电压端V4向控制线CL输入第二信号，使发光模块30和备用驱动模块20连接。

在此基础上，当扫描信号线SL输入扫描信号，数据信号线DL输入数据信号时，信号输入端S输入第三信号，可保证备用驱动模块20驱动发光模块30发光。

当信号输入端S输入第四信号时，若主驱动模块10在数据信号线DL输入关闭信号时，没有驱动电流信号输出，则第二熔断元件FU2两端的电压没有变化，此时由于第七晶体管T7的宽长比为第八晶体管T8的宽长比的10倍以上，因此，第八晶体管T8的电阻大于第七晶体管T7的电阻。基于此，当第四电压端V4为高电压端(即第二信号为高电压信号)，第三电压端V3为低电压端时，可向控制线CL输入低电压信号(即第一信号)，使发光模块30和备用驱动模块20保持断开；当第四电压端V4为低电压端(即第二信号为低电压信号)，第三电压端V3为高电压端时，可向控制线CL输入高电压信号(即第一信号)，使发光模块30和备用驱动模块20保持断开。

在此基础上，当扫描信号线SL输入扫描信号，数据信号线DL输入数据信号时，信号输入端S输入第三信号，第九晶体管T9截止，第二熔断元件FU2两端的电压没有变化，在第三电压端V3和第四电压端V4的控制下，向控制线CL输入第一信号，可保证主用驱动模块10驱动发光模块30发光。

需要说明的是，第一，当第七晶体管T7为P型晶体管，第八晶体管T8和第九晶体管T9为N型晶体管时，第三电压端V3为低电压端，第四电压端V4为高电压端。基于此，当切换模块60包括第六晶体管T6时，第六晶体管T6为N型。

当第七晶体管T7为N型晶体管，第八晶体管T8和第九晶体管T9为P型晶体管时，第三电压端V3为高电压端，第四电压端V4为低电压端。基于此，当切换模块60包括第六晶体管T6时，第六晶体管T6为P型。

其中，当熔断控制模块50包括第五晶体管T5时，第五晶体管T5的类型与第九晶体管T9的类型一致。

第二，第一熔断元件FU1和第二熔断元件FU2可以相同，也可以不同。

第三，所述切换控制模块70还可以包括多个并联的第七晶体管T7，包括多个并联的第八晶体管T8，包括多个并联的第九晶体管T9。上述仅仅是对切换控制模块70的举例说明，其它与该切换控制模块70功能相同的结构在此不再一一赘述，但都应当属于本实用新型的保护范围。

基于上述对各模块具体电路的描述，当图5中的第五晶体管T5、第六晶体管T6、第八晶体管T8、第九晶体管T9为N型晶体管，其他晶体管为P型晶体管，且第三电压端V3为低电压端、第四电压端V4为高电压端时，对如图5所示的像素电路的工作过程进行详细的描述。其中，本实用新型实施例提供的等效电路图中，处于截止状态的晶体管以打“×”表示，处于熔断状态的熔断元件以打“×”表示。

结合如图7a所示的时序，当扫描信号线SL输入扫描信号、数据信号线DL输入关闭信号时，正常情况下，如图6a所示，第一晶体管T1导通、第二晶体管T2截止，第三晶体管T3导通、第四晶体管T4截止；同时,信号输入端S输入偏压(Bias)信号(即第四信号)，第五晶体管T5和第九晶体管T9导通，但由于第二晶体管T2无驱动电流信号输出，第一熔断元件FU1两端的电压无变化，第一熔断元件FU1不熔断，主驱动模块10和发光模块30保持连接，并且对第二熔断元件FU2两端的电压也无变化，第二熔断元件FU2不熔断，向控制线CL输入低电压信号(即第一信号)，第六晶体管T6截止，备用驱动模块20和发光模块30保持断开。

在此基础上，当扫描信号线SL输入扫描信号、数据信号线DL输入数据信号时，如图6b所示，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4均导通；同时，信号输入端S输入关闭信号(即第三信号)，第五晶体管T5、第九晶体管T9、第六晶体管T6均截止，由第二晶体管T2驱动发光器件发光。

当扫描信号线SL输入关闭信号、数据信号线DL输入数据信号时，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4均截止；信号输入端S输入关闭信号。

结合如图7b所示的时序，当扫描信号线SL输入扫描信号、数据信号线DL输入关闭信号时，若第二晶体管T2由于设计以及工艺稳定性等原因导致近似常开，则如图6c所示，第一晶体管T1导通，第二晶体管T2有驱动电流信号输出；同时,信号输入端S输入偏压(Bias)信号(即第四信号)，第五晶体管T5和第九晶体管T9导通，使第二晶体管T2输出的驱动电流信号分别流向接地端GND和第九晶体管T9，此时由于第一熔断元件FU1两端的电压发生变化，使得第一熔断元件FU1熔断，主驱动模块10和发光模块30的连接断开，并且由于第二熔断元件FU2两端的电压也发生变化，使得第二熔断元件FU2也熔断，向控制线CL输入高电压信号(即第二信号)，第六晶体管T6常开，备用驱动模块20和发光模块30连接。其中，在此情况下，不管信号输入端S输入关闭信号还是偏压信号，都不影响第六晶体管T6的导通。

在此基础上，当扫描信号线SL输入扫描信号、数据信号线DL输入数据信号时，如图6d所示，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4导通；同时，信号输入端S输入关闭信号(即第三信号)，第五晶体管T5和第九晶体管T9截止，由第四晶体管T4驱动发光器件发光。

当扫描信号线SL输入关闭信号、数据信号线DL输入数据信号时，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4均截止；信号输入端S输入关闭信号。

需要说明的是，本实用新型对除了第二晶体管T2和第四晶体管T4，即驱动晶体管以外的晶体管的第一极、第二极不做限定，第一极可以是漏极，第二极可以是源极；或者第一极可以是源极，第二极可以是漏极。当驱动晶体管为P型晶体管时，由于P型晶体管的源极电压高于漏极电压，因此，驱动晶体管的第一极为源极，第二极为漏极。当驱动晶体管为N型晶体管时，与P型晶体管正好相反。

本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括上所述的任意一种像素电路。

考虑到硅基OLED显示装置，其分辨率较高，容易出现像素常亮不良，因此，优选所述显示装置为OLED显示装置。

本实用新型实施例的显示装置具有与本实用新型前述实施例提供的像素电路相同的有益效果，由于像素电路在前述实施例中已经进行了详细说明，此处不再赘述。

本实用新型实施例还通过一种像素电路的驱动方法，用于驱动如上所述的任意一种像素电路，如图8所示，所述方法包括：

S10、在对所述像素电路进行测试时，扫描信号线SL输入扫描信号，数据信号线DL输入关闭信号，信号输入端S输入第四信号，以在主驱动模块10有驱动电流信号输出时，使发光模块30和主驱动模块10的连接断开。

其中，第四信号可以是偏压信号。

此处，若所述像素电路存在常亮不良，则主驱动模块10输出至熔断模块40的驱动电流信号流向接地端GND，发光模块30和主驱动模块10的连接断开；否则，即使信号输入端S输入第四信号，也由于主驱动模块10没有驱动电流信号输出，发光模块30和主驱动模块10仍然通过熔断模块40连接。

S20、当发光模块30和主驱动模块10的连接断开时，控制线CL输入第二信号，使发光模块30和备用驱动模块20连接；当发光模块30和主驱动模块10仍然保持连接时，控制线CL输入第一信号，使发光模块30和备用驱动模块20保持断开。

S30、在所述像素电路正常工作时，扫描信号线SL输入扫描信号，数据信号线DL输入数据信号，信号输入端S输入第三信号，主驱动模块10或备用驱动模块20输出的驱动电流信号驱动发光模块30发光。

其中，第三信号可以是关闭信号。

此处，当备用驱动模块20输出的驱动电流信号驱动发光模块30发光时，控制线CL一直输入第二信号；当主驱动模块10输出的驱动电流信号驱动发光模块30发光时，控制线CL一直输入第一信号。

本实用新型实施例提供一种像素电路的驱动方法，通过向扫描信号线SL输入扫描信号，向数据信号线DL输入关闭信号，并在信号输入端S的控制下，若所述像素电路存在常亮不良，则主驱动模块10输出至熔断模块40的驱动电流信号流向接地端GND，发光模块30和主驱动模块10的连接断开，从而可解决常亮不良的问题，否则由于主驱动模块10没有驱动电流信号输出，发光模块30和主驱动模块10保持连接，仍然通过主驱动模块10驱动发光模块30进行发光。在此基础上，若所述像素电路存在常亮不良，发光模块30和主驱动模块10的连接断开，通过控制线CL的控制，可使发光模块30和备用驱动模块20连接，以使备用驱动模块20驱动发光模块30进行发光。其中，当所述像素电路正常工作时，扫描信号线SL输入扫描信号，数据信号线DL输入数据信号，主驱动模块10或备用驱动模块20输出的驱动电流信号驱动发光模块30发光。基于此，可知，本实用新型实施例在解决常亮不良问题的基础上，不会对像素造成损伤，而且可达到对像素进行修复的目的，避免由于常亮不良而影响产品的品质和良率。

优选的，控制线CL输入第一信号或第二信号，包括：在第三电压端V3、第四电压端V4的控制下，在信号输入端S输入第四信号时，若存在常亮不良，则切换控制模块70向控制线CL输入第二信号，否则，向控制线CL输入第一信号；在信号输入端S输入第三信号时，若发光模块30和主驱动模块10的连接断开，则切换控制模块70向控制线CL输入第二信号，否则向控制线CL输入第一信号。

这样，可在信号输入端S输入第四信号时，若熔断模块40使发光模块30和主驱动模块10的连接断开，则在第三电压端V3、第四电压端V4的控制下，以及主驱动模块10的作用下，向控制线CL输入第二信号，实现在发光模块30和主驱动模块10的连接断开时，自动使发光模块30和备用驱动模块20连接的目的；而在信号输入端S输入第四信号，但对熔断模块40无影响，或在信号输入端S输入第三信号时，可保证像素电路的正常工作。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。