1.一种有源矩阵基板，
具有由多个像素区域规定的显示区域，
具备基板和支撑于上述基板的多个氧化物半导体tft，上述有源矩阵基板的特征在于，
上述多个氧化物半导体tft各自具有：
下部栅极电极，其设置于上述基板上；
栅极绝缘层，其覆盖上述下部栅极电极；
氧化物半导体层，其配置于上述栅极绝缘层上，隔着上述栅极绝缘层与上述下部栅极电极重叠，并且包含沟道区域和位于沟道区域的两侧的源极接触区域及漏极接触区域；
源极电极，其与上述氧化物半导体层的上述源极接触区域接触；
漏极电极，其与上述氧化物半导体层的上述漏极接触区域接触；
绝缘层，其覆盖上述氧化物半导体层、上述源极电极以及上述漏极电极；以及
上部栅极电极，其设置于上述绝缘层上，隔着上述绝缘层与上述氧化物半导体层重叠，
当从上述基板的法线方向观看时，上述上部栅极电极与作为上述源极电极和上述漏极电极中的一方的第1电极不重叠，并且作为上述源极电极和上述漏极电极中的另一方的第2电极与上述下部栅极电极不重叠。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，
上述上部栅极电极以使形成于上述上部栅极电极与上述第1电极之间的静电电容成为形成于上述上部栅极电极与上述第2电极之间的静电电容的80％以下的方式配置，
上述第2电极以使形成于上述第2电极与上述下部栅极电极之间的静电电容成为形成于上述第1电极与上述下部栅极电极之间的静电电容的80％以下的方式配置。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，
当从上述基板的法线方向观看时，上述上部栅极电极的上述第1电极侧的端部与上述第1电极的上述上部栅极电极侧的端部分开2μm以上。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
当从上述基板的法线方向观看时，上述第2电极的上述下部栅极电极侧的端部与上述下部栅极电极的上述第2电极侧的端部分开2μm以上。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述氧化物半导体层的厚度是10μm以下。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述多个氧化物半导体tft包含设置于上述多个像素区域的多个像素tft。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的有源矩阵基板，
具有设置于上述显示区域的周边的非显示区域，
具备设置于上述非显示区域的周边电路，
上述多个氧化物半导体tft包含：多个第1tft，其设置于上述非显示区域，包含于上述周边电路；以及多个第2tft，其设置于上述显示区域或者上述非显示区域，
上述多个第1tft的上述氧化物半导体层与上述多个第2tft的上述氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，
上述多个第1tft的上述沟道区域中的载流子浓度高于上述多个第2tft的上述沟道区域中的载流子浓度。
8.根据权利要求7所述的有源矩阵基板，
上述周边电路是多路分配电路。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述氧化物半导体层包含in-ga-zn-o系半导体。
10.根据权利要求9所述的有源矩阵基板，
上述in-ga-zn-o系半导体包含结晶质部分。
11.一种显示装置，其特征在于，
具备权利要求1至10中的任意一项所述的有源矩阵基板。