背板及LED面板的制作方法

背板及led面板
技术领域
[0001]
本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种背板及led面板。


背景技术：

[0002]
在mini-led或micro-led基板的制程中，通常需要在基板上形成一白油层。而白油工艺一般采用丝印工艺或喷印工艺。其中丝印工艺精度较高，但对基板存在直接接触，容易刮伤基板，导致金属层出现短路现象；喷印工艺可避免与基板直接接触，能有效避免刮伤基板，但是其印刷精度难以保证，容易出现白油溢流至与led绑定的焊盘区域，引起焊盘发生氧化变色，导致上锡异常，led无法正常打件。


技术实现要素：

[0003]
本申请实施例提供一种背板及led面板，以解决现有的led基板采用喷印工艺制备白油反射层时，白油容易溢流进焊盘区域的技术问题。
[0004]
本申请实施例提供一种背板，其包括：
[0005]
驱动基板，所述驱动基板包括基底和设置在所述基底上的导电垫；
[0006]
缓冲层，所述缓冲层设置在所述驱动基板上，所述缓冲层上开设有开口，所述开口暴露出所述导电垫；所述缓冲层包括挡墙，所述挡墙围绕所述开口设置；以及
[0007]
反射层，所述反射层设置在所述驱动基板上，且所述反射层位于所述挡墙远离所述开口的一侧。
[0008]
在本申请实施例所述的背板中，所述导电垫包括反射金属层，所述挡墙与所述反射金属层的部分重叠设置。
[0009]
在本申请实施例所述的背板中，所述挡墙具有底切结构，所述底切结构向所述挡墙的方向延伸；自所述驱动基板向所述挡墙的方向上，所述底切结构的宽度递减；
[0010]
所述反射层延伸入所述底切结构。
[0011]
在本申请实施例所述的背板中，所述缓冲层包括主体部分，所述主体部分和所述挡墙之间设置有沟道，所述沟道围绕所述挡墙设置；
[0012]
所述反射层至少设置在所述主体部分上且延伸入所述沟道。
[0013]
在本申请实施例所述的背板中，所述缓冲层包括基层和设置在所述基层内的孔洞结构和/或柔性粒子。
[0014]
在本申请实施例所述的背板中，所述柔性粒子的柔性大于所述基层的柔性。
[0015]
在本申请实施例所述的背板中，所述孔洞结构包括气体空间。
[0016]
在本申请实施例所述的背板中，所述孔洞结构还包括外壳，所述外壳包裹所述气体空间。
[0017]
在本申请实施例所述的背板中，所述基层靠近所述反射层的一侧设置有孔隙，所述孔隙连通于所述气体空间。
[0018]
在本申请实施例所述的背板中，所述缓冲层的材料包括光阻材料。
[0019]
在本申请实施例所述的背板中，所述驱动基板还包括依次设置在所述基底上的第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层，所述第二金属层包括所述导电垫，所述开口贯穿所述钝化层。
[0020]
本申请还涉及一种led面板，其包括led芯片和上述任意一项实施例所述的背板；所述led芯片设置在所述背板上。
[0021]
本申请的背板及led面板通过在开口周围设置挡墙，以在进行反射层的喷印工艺时，避免反射层的材料溢流至开口裸露的导电垫上；另外，在驱动基板上设置缓冲层的主体部分，进而在进行反射层的丝印工艺时，起到保护驱动基板的作用。
附图说明
[0022]
为了更清楚地说明本申请实施例，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
[0023]
图1为本申请第一实施例的背板的俯视结构示意图；
[0024]
图2为本申请第一实施例的背板的剖视结构示意图；
[0025]
图3为本申请第二实施例的背板的剖视结构示意图；
[0026]
图4为本申请第三实施例的背板的俯视结构示意图；
[0027]
图5为本申请第三实施例的背板的剖视结构示意图；
[0028]
图6为本申请第三实施例的背板的另一剖视结构示意图；
[0029]
图7为本申请第三实施例的背板的缓冲层的结构示意图；
[0030]
图8为本申请第四实施例的背板的剖视结构示意图；
[0031]
图9为本申请第四实施例的背板的缓冲层的结构示意图；
[0032]
图10为本申请实施例的led面板的结构示意图。
具体实施方式
[0033]
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0034]
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。
[0035]
请参照图1和图2，图1为本申请第一实施例的背板的俯视结构示意图；图2为本申请第一实施例的背板的剖视结构示意图。
[0036]
本申请实施例提供了一种背板100，其包括驱动基板11、缓冲层12和反射层13。所述缓冲层12设置在所述驱动基板11上。所述反射层13设置在所述驱动基板11上。
[0037]
所述驱动基板11包括基底111和依次设置在所述基底111上的第一金属层112、绝缘层113、第二金属层114和钝化层115。需要说明的是，所述驱动基板11还包括有源层和平坦层等其它膜层。由于驱动基板11的层级结构是现有技术，故此处不再赘述。具体的，所述
第二金属层114包括导电垫114a。
[0038]
所述缓冲层12上开设有开口12a，所述开口12a暴露出所述导电垫114a。所述缓冲层12包括挡墙121，所述挡墙121围绕所述开口12a设置。所述开口12a贯穿所述缓冲层12和所述钝化层115。
[0039]
所述反射层13位于所述挡墙121远离所述开口12a的一侧。
[0040]
本第一实施例的背板100通过在开口12a周围设置挡墙121，以在进行反射层13的喷印工艺时，避免反射层13的材料溢流至开口裸露的导电垫114a上。
[0041]
所述开口12a在垂直截图的形状呈上宽下窄的结构，如倒梯形。这样的设置便于后续绑定时，led芯片快速地穿过所述开口12a与所述导电垫114a绑定。
[0042]
可选的，所述导电垫114a包括反射金属层。所述挡墙121与所述反射金属层的部分重叠设置。需要说明的是，在本第一实施例中，“重叠设置”为间接重叠设置。
[0043]
由于所述挡墙121与所述反射金属层重叠设置，因此在后续制成的led面板中，led芯片发出的光穿过所述挡墙121辐射至所述反射金属层，并在所述反射金属层发生反射，进而提高了led面板的光利用率。
[0044]
可选的，所述导电垫114a可以是至少两层结构，其中所述反射金属层位于靠近所述挡墙121的一侧。
[0045]
可选的，所述导电垫114a也可以是单层结构，即所述导电垫114a由所述反射金属层构成。反射金属可以是银或铝等。
[0046]
当所述反射层13采用喷印工艺时，本第一实施例的背板100的制备过程如下：
[0047]
首先，提供一基底111，并在所述基底111上依次形成第一金属层112、绝缘层113、第二金属层114和钝化层115，以形成薄膜晶体管阵列结构，即驱动基板11；
[0048]
然后，在所述驱动基板11上涂布光阻，形成光阻层。对所述光阻层通过曝光、显影和烘烤处理，以形成所述挡墙121和开口12a。
[0049]
其次，采用喷印工艺在所述驱动基板11上形成所述反射层13。
[0050]
最后，按照产品需求进行切割。
[0051]
这样便完成了本第一实施例的背板100的制备过程。
[0052]
请参照图3，图3为本申请第二实施例的背板的结构示意图。本申请第二实施例提供了一种背板200，其包括驱动基板11、缓冲层12和反射层13。所述缓冲层12设置在所述驱动基板11上。所述反射层13设置在所述驱动基板11上。
[0053]
所述驱动基板11包括基底111和依次设置在所述基底111上的第一金属层112、绝缘层113、第二金属层114和钝化层115。需要说明的是，所述驱动基板11还包括有源层和平坦层等其它膜层。由于驱动基板11的层级结构是现有技术，故此处不再赘述。具体的，所述第二金属层114包括导电垫114a。
[0054]
所述缓冲层12上开设有开口12a，所述开口12a暴露出所述导电垫114a。所述缓冲层12包括挡墙121，所述挡墙121围绕所述开口12a设置。所述开口12a贯穿所述缓冲层12和所述钝化层115。
[0055]
本第二实施例的背板200与第一实施例的背板100的不同之处在于：所述挡墙121具有底切结构f1，所述底切结构f1向所述挡墙121的方向延伸。自所述驱动基板11向所述挡墙121的方向上，所述底切结构f1的宽度递减。
[0056]
所述反射层13延伸入所述底切结构f1内。因此在后续制成的led面板中，led芯片发出的光穿过所述挡墙121辐射至所述底切结构f1内的反射层13，并在所述反射层13发生反射，进而提高了led面板的光利用率。
[0057]
请参照图4和图5，图4为本申请第三实施例的背板的俯视结构示意图；图5为本申请第三实施例的背板的剖视结构示意图。
[0058]
本申请第三实施例提供了一种背板300，其包括驱动基板11、缓冲层12和反射层13。所述缓冲层12设置在所述驱动基板11上。所述反射层13设置在所述驱动基板11上。
[0059]
所述驱动基板11包括基底111和依次设置在所述基底111上的第一金属层112、绝缘层113、第二金属层114和钝化层115。需要说明的是，所述驱动基板11还包括有源层和平坦层等其它膜层。由于驱动基板11的层级结构是现有技术，故此处不再赘述。具体的，所述第二金属层114包括导电垫114a。
[0060]
所述缓冲层12上开设有开口12a，所述开口12a暴露出所述导电垫114a。所述缓冲层12包括挡墙121，所述挡墙121围绕所述开口12a设置。所述开口12a贯穿所述缓冲层12和所述钝化层115。
[0061]
本第三实施例的背板100与第一实施例的背板100或第二实施例的背板200的不同之处在于：
[0062]
所述缓冲层12还包括主体部分122，所述主体部分122和所述挡墙121之间设置有沟道12f，所述沟道12f围绕所述挡墙121设置。所述反射层13至少设置在所述主体部分122上且延伸入所述沟道12f。
[0063]
如图5所示，当本第三实施例的背板300采用喷印工艺形成所述反射层13时，流体材料喷涂在所述缓冲层12的主体部分122上，且溢流至所述沟道12f内，并被所述挡墙121阻挡，避免流体材料溢流至导电垫114a上造成不良。即所述反射层13覆盖所述沟道12f。
[0064]
如图6所示，当本第三实施例的背板300采用丝印工艺形成所述反射层13时，反射性材料形成在所述缓冲层12上，刮刀跟缓冲层12接触，缓冲层12吸收刮刀施加在其上的作用力，从而保护了驱动基板11；此外，反射性材料还会在刮刀的作用下进入所述沟道12f。
[0065]
另外，在所述缓冲层12的制程中，所述挡墙121、所述主体部分122、所述沟道12f和所述开口12a采用同一道光罩制成。
[0066]
在本第三实施例的背板300中，如图7所示，所述缓冲层12包括基层12b和设置在所述基层12b内的孔洞结构12c。所述孔洞结构12c包括外壳12c1和气体空间12c2。所述外壳12c1包裹所述气体空间12c2。
[0067]
在所述反射层13的丝印制程中，刮刀接触缓冲层12，所述孔洞结构12c起到吸收刮刀作用力的效果，进而避免了刮刀损伤所述驱动基板11。
[0068]
需要说明的是，所述气体空间12c2由可热分解和/或光分解的材质分解为气体形成。因此，所述外壳12c1起到保护和密封气体空间12c2的作用，避免气体撑破所述基层12b，进而保证缓冲层12表面的平整性，为反射层13的形成提供平整的基础面。
[0069]
此外，“可热分解和/或光分解的材质”下文简称为“可分解材质”。
[0070]
在一些实施例中，所述缓冲层12包括设置在所述基层12b内的柔性粒子；即采用柔性粒子替换孔洞结构12c。其中，所述柔性粒子的柔性大于所述基层12b的柔性。所述柔性粒子起到吸收刮刀作用的作用。
[0071]
在一些实施例中，所述缓冲层12还包括设置在所述基层12b内的柔性粒子；即孔洞结构12c和柔性粒子同时存在所述基层12b内。其中，所述柔性粒子的柔性大于所述基层12b的柔性。
[0072]
在第三实施例的背板300中，所述反射层13形成在所述缓冲层12上。所述反射层13的材料可以是白色油墨，或其他可用于丝印工艺的反射性材料。
[0073]
可选的，所述缓冲层12的材料包括光阻材料。具体的，所述缓冲层12的基层12b的材料可以是聚苯乙烯(ps)或可溶性聚四氟乙烯(pfa)等光阻材料。
[0074]
可选的，所述缓冲层12的厚度大于或等于3微米，且小于或等于10微米。需要说明的是，若所述缓冲层12的厚度小于3微米，则其起不到较好的防刮效果；若所述缓冲层12的厚度大于10微米，一方面增大成本，另一方面不便于led芯片进行绑定。
[0075]
当所述反射层13采用丝印工艺时，本第三实施例的背板300的制备过程如下：
[0076]
首先，提供一基底111，并在所述基底111上依次形成第一金属层112、绝缘层113、第二金属层114和钝化层115，以形成薄膜晶体管阵列结构，即驱动基板11；
[0077]
然后，提供光刻胶混合了粒子的混合材料。所述粒子包括所述外壳12c1和可分解材质，所述外壳12c1包裹所述可分解材质。
[0078]
接着，在所述驱动基板11上涂布所述混合材料，形成混合材料层。对所述混合材料层通过曝光、显影和烘烤处理，以形成所述挡墙121、主体部分122、开口12a和沟道12f；后分解所述粒子内的可分解材质，以形成具有所述孔洞结构12c。
[0079]
其次，采用丝印工艺在所述缓冲层12上形成所述反射层13。
[0080]
最后，按照产品需求进行切割。
[0081]
这样便完成了本第三实施例的背板300的制备过程。
[0082]
请参照图8，图8为本申请第四实施例的背板的结构示意图。
[0083]
本申请第四实施例提供了一种背板400，其包括驱动基板11、缓冲层12和反射层13。所述缓冲层12设置在所述驱动基板11上。所述反射层13设置在所述驱动基板11上。
[0084]
所述驱动基板11包括基底111和依次设置在所述基底111上的第一金属层112、绝缘层113、第二金属层114和钝化层115。需要说明的是，所述驱动基板11还包括有源层和平坦层等其它膜层。由于驱动基板11的层级结构是现有技术，故此处不再赘述。具体的，所述第二金属层114包括导电垫114a。
[0085]
所述缓冲层12上开设有开口12a，所述开口12a暴露出所述导电垫114a。所述缓冲层12包括挡墙121，所述挡墙121围绕所述开口12a设置。所述开口12a贯穿所述缓冲层12和所述钝化层115。
[0086]
本第四实施例的背板400与第三实施例的背板300的不同之处在于：如图9所示，所述基层12b靠近所述反射层13的一侧设置有孔隙12d。可选的，所述缓冲层12中至少部分的孔洞结构12c连通于所述孔隙12d。所述孔隙12d的作用在于进一步吸收刮刀对所述缓冲层12的作用力。
[0087]
需要说明的是，可分解材质在分解后产生的气体撑破所述基层12b，以形成孔隙12d。由于可分解材质处在所述基层12b的不同深度，导致不同深度的可分解材质所受的束缚力不同；因此当可分解材质被分解为气体后，若气体空间12c2的内部压力大于所述基层12b对其的束缚力时，便会突破所述基层12b形成所述孔隙12d；若气体空间12c2的内部压力
小于所述基层12b对其的束缚力时，所述气体空间12c2便完整的束缚在所述基层12b内。
[0088]
在本第四实施例的背板400中，所述孔洞结构12c可以包括外壳12c1。所述外壳12c1上设置有被气体撑破而形成的开口。
[0089]
另外，在一些实施例中，所述孔洞结构12c也可以仅包括气体空间12c2。可分解材质被分解为气体以形成所述气体空间12c2，其中该气体撑破所述基层12b的表面，以在所述基层12b形成所述孔隙12d。
[0090]
另外，本第四实施例仅示出采用丝印工艺形成反射层13的结构示意图，但并不限于此。但本第四实施例采用喷印工艺形成反射层13时，反射层13可以不覆盖挡墙121。
[0091]
请参照图10，图10为本申请实施例的led面板的结构示意图。本申请实施例还涉及一种led面板1000，其包括led芯片el和背板bl。所述led芯片el设置在所述背板bl上。背板bl为上述任意一个实施例所述的背板(100、200、300、400)。
[0092]
需要说明的是，led为发光二极管芯片。其可以是mini-led、mirco-led或其他led。
[0093]
本申请的背板及led面板通过在开口周围设置挡墙，以在进行反射层的喷印工艺时，避免反射层的材料溢流至开口裸露的导电垫上；另外，在驱动基板上设置缓冲层的主体部分，进而在进行反射层的丝印工艺时，起到保护驱动基板的作用。
[0094]
以上对本申请实施例所提供的一种背板及led面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。