技术特征：
1.一种半导体装置，包括：信号线、多个像素、模拟数字转换电路、检测电路以及放大电路，其中，所述信号线包括第一节点及第二节点，所述信号线在所述第一节点和所述第二节点之间与所述多个像素电连接，所述放大电路具有将被供应的电流放大并供应到所述第一节点的功能，所述模拟数字转换电路具有将所述第一节点的电位转换为第一信号的功能以及将所述第二节点的电位转换为第二信号的功能，所述检测电路具有对比所述第一信号和所述第二信号来生成第三信号的功能，并且，所述放大电路的电流放大率根据所述第三信号而决定。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个像素的每一个包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管，并且所述金属氧化物包含元素m(m是al、ga、y或sn)及zn。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述多个像素的每一个包括显示元件。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述模拟数字转换电路、所述检测电路及所述放大电路中的一个以上包括在沟道形成区域中包含硅的晶体管。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中所述模拟数字转换电路、所述检测电路及所述放大电路中的一个以上具有与所述多个像素中的一个以上重叠的区域。6.一种半导体装置，包括：第一层和第二层，其中，所述第一层和所述第二层被层叠设置，所述第一层包括配置为矩阵状的n个源极驱动电路(n是2以上的整数),所述第二层包括配置为矩阵状的n个块，所述n个块的每一个包括信号线以及与所述信号线电连接的多个像素，第j源极驱动电路(j是1以上且n以下的整数)与第j块所包括的所述信号线的一端及另一端电连接，所述第j源极驱动电路具有以所希望的放大率将被供应的图像数据放大并将所述放大的图像数据供应到所述第j块所包括的所述信号线的一端的功能，并且，所述第j源极驱动电路具有对比所述第j块所包括的所述信号线的一端和另一端的电位，根据所述对比结果决定所述放大率的功能。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述多个像素的每一个包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管，并且所述金属氧化物包含元素m(m是al、ga、y或sn)及zn。8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中所述n个源极驱动电路的每一个包括在沟道形成区域中包含硅的晶体管。9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体装置，其中所述第j源极驱动电路和所述第j块具有俯视时的距离为30μm以内的区域。
10.一种半导体装置，包括：信号线、各自包括布线的多个像素、模拟数字转换电路、检测电路以及放大电路，其中，所述信号线具有第一区域、第二区域，所述多个像素所包括的各布线在所述信号线的所述第一区域和所述第二区域之间具有与所述信号线重叠的区域，所述放大电路包括被供应图像信号的第一输入端子、被供应决定所述放大电路的放大率的信号的第二输入端子、以及输出放大所述图像信号而成的信号且电连接到所述第一区域的第一输出端子，所述模拟数字转换电路包括电连接到所述第一区域的第三输入端子、电连接到所述第二区域的第四输入端子、以及电连接到所述检测电路的第二输出端子，并且，所述检测电路包括电连接到所述第二输入端子的第三输出端子。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述模拟数字转换电路具有输出基于所述第一区域和所述第二区域的电位差的信号的功能。12.一种摄像装置，包括：具有采用权利要求1至11中任一项所述的半导体装置的显示部的取景器；以及透镜。13.一种头戴显示器，包括：采用权利要求1至11中任一项所述的半导体装置的显示部；以及透镜及带状固定件。14.根据权利要求13所述的头戴显示器，其中所述显示部弯曲。15.一种半导体装置的工作方法，该半导体装置包括：信号线、多个像素、模拟数字转换电路、检测电路、放大电路、电流调节部以及电流生成电路，其中所述信号线包括第一节点及第二节点，所述信号线在所述第一节点和所述第二节点之间与所述多个像素电连接，并且所述放大电路包括第一输入端子、第二输入端子及输出端子，该工作方法包括如下步骤：所述第一节点的电位及所述第二节点的电位都被供应到所述模拟数字转换电路的第一步骤；在所述模拟数字转换电路中，将所述第一节点的电位及所述第二节点的电位分别转换为第一信号及第二信号并供应到所述检测电路的第二步骤；在所述检测电路中，进行所述第一信号和所述第二信号的对比，根据所述对比结果的第三信号被供应到所述电流调节部的第三步骤；将电流从所述电流生成电路经过所述电流调节部供应到所述放大电路的所述第二输入端子的第四步骤；所述放大电路的所述第一输入端子被供应图像信号的第五步骤；以及
进行从所述放大电路的所述输出端子向所述第一节点的供应的第五步骤。16.根据权利要求15所述的半导体装置的工作方法，其中所述图像信号是将k位数字信号(k是2以上的整数)转换为模拟值的信号，所述第一信号及所述第二信号是m位数字信号(m是1以上的整数)，并且k大于m。17.根据权利要求15或16所述的半导体装置的工作方法，其中所述放大电路根据被供应到所述第二输入端子的电流的增大而降低从所述输出端子输出的信号的阻抗。18.根据权利要求15至17中任一项所述的半导体装置的工作方法，其中在所述第三步骤中所述第一信号和所述第二信号一致，并且在所述第四步骤中供应到所述第二输入端子的所述电流被减弱。19.根据权利要求15至18中任一项所述的半导体装置的工作方法，其中所述多个像素的每一个包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管，并且所述金属氧化物包含元素m(m是al、ga、y或sn)及zn。20.根据权利要求15至19中任一项所述的半导体装置的工作方法，其中所述多个像素的每一个包括显示元件。21.根据权利要求15至20中任一项所述的半导体装置的工作方法，其中所述模拟数字转换电路、所述检测电路及所述放大电路中的一个以上包括在沟道形成区域中包含硅的晶体管。
技术总结
提供一种功耗低的半导体装置。此外，提供一种高速工作的半导体装置。此外，提供一种电路面积小的半导体装置。此外，提供一种新颖半导体装置。本发明是一种半导体装置，其中信号线在第一节点和第二节点之间与多个像素电连接，放大电路具有将被供应的电流放大并供应到第一节点的功能，模拟数字转换电路具有将第一节点的电位转换为第一信号的功能以及将第二节点的电位转换为第二信号的功能，检测电路具有对比第一信号和第二信号来生成第三信号的功能，放大电路的电流放大率根据第三信号而决定。定。定。
技术研发人员：木村清贵 小林英智 池田隆之
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：2020.04.28
技术公布日：2021/12/10