阈值电压侦测方法、侦测装置及显示装置与流程

文档序号:30788372发布日期:2022-07-16 09:01阅读:197来源:国知局
阈值电压侦测方法、侦测装置及显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域,具体涉及一种阈值电压侦测方法、侦测装置及显示装置。


背景技术:

2.有机发光二极管(organic light emitting diode,简称oled)显示装置因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点,已被广泛地应用于各种电子设备中。在有源矩阵型有机发光二极管显示装置的驱动方式下,像素驱动电路设有用于驱动有机发光二极管发光的驱动晶体管。由于驱动晶体管工作在饱和区,流经驱动晶体管的电流会受到驱动晶体管自身的阈值电压以及迁移率的影响。因此,为保证有机发光二极管显示装置显示亮度的均匀性,需要对不同子像素之间的阈值电压差异以及迁移率差异进行侦测,再基于侦测进行补偿。
3.在传统的阈值电压侦测方法中,向驱动晶体管提供一初始vgs(栅源电压),利用源跟随的方式,保持驱动晶体管的栅极电压不变,使驱动晶体管的源极电压抬升至vgs=v
th
(驱动晶体管的阈值电压)状态,流过驱动晶体管的电流大小趋近于零,对此状态下的驱动晶体管的源极电压进行侦测,可计算出驱动晶体管的阈值电压,再将得到的阈值电压叠加至显示时的数据电压上,以实现阈值电压差异的补偿,解决阈值电压差异导致的显示亮度不均匀性。
4.然而,由于栅源电压随着侦测时间而减小以及侦测线路的寄生电容远大于单个子像素的存储电容,驱动晶体管的源极电压抬升越来越慢,侦测出像素中驱动晶体管的阈值电压需要很长时间。这在很大程度上会影响到工厂产能以及侦测设备的投入。另一方面,对阈值电压进行侦测只能在黑画面下进行,因此,用户开启显示装置前或者关闭显示装置后的待机时间会变长,用户使用体验也收到极大影响。


技术实现要素:

5.本技术提供一种阈值电压侦测方法,可以有效缩短驱动晶体管的阈值电压侦测时间,进而提升驱动晶体管的阈值电压侦测效率。
6.第一方面,本技术提供一种阈值电压侦测方法,其包括:
7.步骤s1,提供一像素,所述像素包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、电容及发光元件;所述驱动晶体管的栅极与第一节点电连接,所述驱动晶体管的源极与漏极中的一者与第一电源电连接,所述驱动晶体管的源极与漏极中的另一者与第二节点电连接;所述第一晶体管的栅极与扫描线电连接,所述第一晶体管的源极与漏极中的一者与数据线电连接,所述第一晶体管的源极与漏极中的另一者与所述第一节点电连接;所述第二晶体管的栅极与控制线电连接,所述第二晶体管的源极与漏极中的一者与所述第二节点电连接,所述第二晶体管的源极与漏极中的另一者与侦测线电连接;所述电容的第一端与所述第一节点电连接,所述电容的第二端与所述第二节点电连接;
8.步骤s2,初始化所述第一节点的电压得到第一初始电压,初始化所述第二节点的电压得到第二初始电压,以使所述驱动晶体管导通;
9.步骤s3,控制所述第一晶体管以及所述第二晶体管导通,并且控制所述侦测线处于浮置状态,以使所述第一节点的电压维持在所述第一初始电压,使所述第二节点的电压抬升,在预设时间段后,对所述第二节点的电压进行侦测,得到侦测电压;
10.步骤s4,根据所述侦测电压以及所述第一初始电压得到参考阈值电压;
11.步骤s5,将所述侦测电压与所述第二初始电压进行比较,若所述侦测电压等于所述第二初始电压,则将所述参考阈值电压设定为所述驱动晶体管的实际阈值电压。
12.在本技术提供的阈值电压侦测方法中,所述阈值电压侦测方法还包括:若所述侦测电压不等于所述第二初始电压,则根据所述参考阈值电压以及所述第二初始电压得到第三初始电压,并返回所述步骤s2,所述第三初始电压用于在所述步骤s2中,初始化所述第一节点的电压。
13.在本技术提供的阈值电压侦测方法中,所述步骤s4具体包括:根据所述第一初始电压和所述侦测电压之间的差值得到所述参考阈值电压;其中,v
参考
(n)=vg(n)-vs(n),其中,v
参考
(n)表示第n次侦测中得到的所述参考阈值电压,vg(n)表示第n次侦测中的第一初始电压,vs(n)表示第n次侦测中得到的侦测电压。
14.在本技术提供的阈值电压侦测方法中,所述根据所述参考阈值电压以及所述第二初始电压得到第三初始电压的步骤,具体包括:根据所述参考阈值电压以及所述第二初始电压之和得到所述第三初始电压;其中,vg(n+1)=vpre+v
参考
(n),vg(n+1)表示第n次侦测得到的所述第三初始电压,vpre表示每次侦测中的第二初始电压,n为大于1的整数。
15.在本技术提供的阈值电压侦测方法中,当第一次侦测时,所述步骤s2具体包括:所述扫描线提供扫描信号,使得所述第一晶体管导通,所述第一数据线提供第一预设电压至所述第一节点;所述控制线提供控制信号,使得所述第二晶体管导通,所述第二数据线提供第二预设电压至所述第二节点。
16.在本技术提供的阈值电压侦测方法中,所述第一预设电压大于所述第二预设电压,且所述第一预设电压与所述第二预设电压之间的差值不小于所述实际阈值电压。
17.在本技术提供的阈值电压侦测方法中,所述阈值电压侦测方法还包括:在所述步骤s5之后,控制所述第一晶体管导通,重置所述第一节点的电压;控制所述第二晶体管导通,重置所述第二节点的电压。
18.在本技术提供的阈值电压侦测方法中,执行所述步骤s2至步骤s5的侦测时间段位于垂直空白区。
19.第二方面,本技术还提供一种阈值电压装置,包括:
20.一像素,所述像素包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、电容及发光元件;所述驱动晶体管的栅极与第一节点电连接,所述驱动晶体管的源极与漏极中的一者与第一电源电连接,所述驱动晶体管的源极与漏极中的另一者与第二节点电连接;所述第一晶体管的栅极与扫描线电连接,所述第一晶体管的源极与漏极中的一者与数据线电连接,所述第一晶体管的源极与漏极中的另一者与所述第一节点电连接;所述第二晶体管的栅极与控制线电连接,所述第二晶体管的源极与漏极中的一者与所述第二节点电连接,所述第二晶体管的源极与漏极中的另一者与侦测线电连接;所述电容的第一端与所述第一节点电连接,
所述电容的第二端与所述第二节点电连接;
21.初始化模块,所述初始化模块用于初始化所述第一节点的电压得到第一初始电压,以及初始化所述第二节点的电压得到第二初始电压,以使得所述驱动晶体管导通;
22.侦测模块,所述侦测模块用于控制所述第一节点的电压维持于所述第一初始电压,以使所述第二节点的电压基于所述第一电源抬升,于预设时间段后,对所述第二节点的电压进行侦测,得到侦测电压;
23.计算模块,所述计算模块用于根据所述侦测电压以及所述第一初始电压得到参考阈值电压;
24.比较模块,所述比较模块用于将所述侦测电压与所述第二初始电压进行比较。
25.存储模块,所述存储模块用于存储所述参考阈值电压,若所述侦测电压等于所述第二初始电压,则将所述参考阈值电压存储为所述驱动晶体管的实际阈值电压。
26.在本技术提供的阈值电压侦测装置中,所述阈值电压侦测装置还包括:
27.返回初始化模块,所述返回初始化模块用于若所述侦测电压不等于所述第二初始电压,使所述初始化模块继续初始化所述第一节点和所述第二节点的电压,以使所述驱动晶体管导通。
28.在本技术提供的阈值电压侦测装置中,所述阈值电压侦测装置还包括:
29.重置模块,所述重置模块用于在步骤s5之后,重置所述第一节点的电压以及重置所述第二节点的电压。
30.第三方面,本技术还提供一种显示装置,其包括以上所述的阈值电压侦测装置。
31.本技术提供的阈值电压侦测方法,通过新的侦测流程以及控制时序,在每次侦测过程中控制第一晶体管以及第二晶体管导通,使驱动晶体管的栅极电压维持稳定,然后通过迭代的方式,让驱动晶体管的栅源电压经多次降压迭代之后,降低至于驱动晶体管的阈值电压相等,从而侦测到驱动晶体管的实际阈值电压;由于栅源电压从大于阈值电压的状态降低至于阈值电压相等的过程是持续迭代更新的,故侦测时间进一步明显缩短,进而提升驱动晶体管的实际阈值电压侦测效率,提升用户使用体验。
附图说明
32.图1为本技术实施例提供的阈值电压侦测方法的流程示意图;
33.图2为本技术实施例提供的像素的等效电路示意图;
34.图3为图2所示的像素的等效电路的驱动时序示意图;
35.图4为图2所示的像素的等效电路的另一种驱动时序示意图;
36.图5为基于图1所示的流程示意图进行第一次侦测的驱动时序示意图;
37.图6为基于图1所示的流程示意图进行第二次侦测的驱动时序示意图;
38.图7为基于图1所示的流程示意图进行第n次侦测的驱动时序示意图;
39.图8为本技术实施例提供的阈值电压侦测装置的结构图。
具体实施方式
40.下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基
于本技术中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
41.此外,本技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象,而不是用于描述特定顺序。术语“包括”和“具有”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。由于本技术采用的晶体管的源极、漏极是对称的,所以其源极、漏极是可以互换的。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、输出端为漏极。
42.请参阅图1,图1为本技术实施例提供的阈值电压侦测方法的第一种流程示意图。如图1所示,本技术实施例提供的阈值电压侦测方法,包括以下步骤:
43.步骤s1,提供一像素,像素包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、电容及发光元件;驱动晶体管的栅极与第一节点电连接,驱动晶体管的源极与漏极中的一者与第一电源电连接,驱动晶体管的源极与漏极中的另一者与第二节点电连接;第一晶体管的栅极与扫描线电连接,第一晶体管的源极与漏极中的一者与数据线电连接,第一晶体管的源极与漏极中的另一者与第一节点电连接;第二晶体管的栅极与控制线电连接,第二晶体管的源极与漏极中的一者与第二节点电连接,第二晶体管的源极与漏极中的另一者与侦测线电连接;电容的第一端与第一节点电连接,电容的第二端与第二节点电连接。
44.需要注意的是,本技术实施例提供的像素仅作为一种示例,本领域技术人员可根据具体需要对像素进行设置。即本技术实施例提供的像素不仅包括以上描述的器件,本技术实施例提供的像素还可以包括其它器件。例如,为进一步提升对发光元件的发光进行控制,可在第一电源和驱动晶体管之间设置一晶体管,和/或,在第二节点和发光元件之间可设置一晶体管。
45.在本技术提供的实施例中,驱动晶体管用于控制流经驱动晶体管以及发光元件的驱动电流。第一晶体管用于在扫描线提供的扫描信号的控制下,将数据线提供的电压提供至第一节点;也即第一晶体管用于在扫描线提供的扫描信号的控制下,将数据线提供的电压提供至驱动晶体管的栅极。第二晶体管用于在控制线提供的控制信号的控制下,将侦测线提供的电压提供至第二节点;也即第二晶体管用于在控制线提供的控制信号的控制下,将侦测线提供的电压提供至驱动晶体管的漏极。第二晶体管还用于在控制线提供的控制信号的控制下,对与侦测线电连接的第二节点进行侦测。
46.在本技术提供的一些实施例中,驱动晶体管、第一晶体管以及第二晶体管可以为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管中的一种或多种。驱动晶体管、第一晶体管以及第二晶体管可以为同一种类型的晶体管,从而可以避免不同类型的晶体管之间的差异性对像素造成影响。
47.具体的,请参见图2,图2为本技术实施例提供的像素的等效电路示意图。如图2所示,本技术实施例提供的像素包括驱动晶体管t0、第一晶体管t1、第二晶体管t2、电容cst以及发光元件d。驱动晶体管t0的栅极与第一节点g电连接,驱动晶体管t0的源极与漏极中的一者与第一电源vdd电连接,驱动晶体管t0的源极与漏极中的另一者与第二节点s电连接。第一晶体管t1的栅极与扫描线s1电连接,第一晶体管t1的源极与漏极中的一者与数据线d1电连接,第一晶体管t1的源极与漏极中的另一者与第一节点g电连接。第二晶体管t2的栅极与控制线s2电连接,第二晶体管t2的源极和漏极中的一者与第二节点s电连接,第二晶体管t2的源极与漏极中的另一者与侦测线d2电连接。侦测线d2与第一开关元件k1的第一端电连
接,第一开关元件k1的第二端与侦测源adc电连接;侦测线d2与第二开关元件k2的第一端电连接,第二开关元件k2的第二端与第二节点初始电源vpre电连接。电容cst的第一端与第一节点g电连接,电容cst的第二端与第二节点s电连接。发光元件d的第一端与第二节点s电连接,发光元件d的第二端与第二电源vss电连接。
48.其中,第一开关元件k1用于导通或者断开侦测线d2与侦测源adc之间的线路。第二开关元件k2用于导通或者断开侦测线d2与第二节点初始电源vpre之间的线路。侦测源adc用于侦测侦测线d2上的电压。第二节点初始电源vpre用于提供预设漏极电压至侦测线d2。
49.请参阅图3以及图2,图3为图2所示的像素的等效电路的驱动时序示意图。如图3所示,该像素的驱动时序包括预充电时间段t1、预设时间段t2以及侦测时间段t3。在预充电时间段t1,扫描线s1提供扫描信号,使得第一晶体管t1导通,数据线d1提供的预设栅极电压供应至第一节点g,从而使第一节点g的电压为数据线d1提供的预设栅极电压;控制线s2提供控制信号,使得第二晶体管t2导通,并且,第一开关元件k1断开,第二开关元件k2导通,第二节点初始电源vpre提供预设漏极电压至第二节点s,从而使第二节点s的电压等于预设漏极电压。在预设时间段t2,扫描线s1继续提供扫描信号,控制第一晶体管t1导通,从而使第一节点g的电压维持在预设栅极电压;第一开关元件k1断开且第二开关元件k2断开,控制线s2继续提供控制信号,使第二晶体管t2导通,从而侦测线d2处于浮置状态,此时,第一电源vdd使第二节点s的电压抬升。在侦测时间段t3,扫描线s1继续提供扫描信号,控制第一晶体管t1导通,从而使第一节点g的电压仍维持在预设栅极电压;控制线s2继续提供控制信号,使第二晶体管t2导通,并且,第一开关元件k1导通,第二开关元件k2断开,从而侦测源adc基于采样信号samp对第二节点s的电压进行侦测。
50.步骤s2,初始化所述第一节点的电压得到第一初始电压,初始化所述第二节点的电压得到第二初始电压,以使所述驱动晶体管导通。
51.其中,需要说明的是,本技术实施例在未侦测出驱动晶体管的实际阈值电压的情况下,需要多次对第一节点g以及第二节点s进行初始化。并且,多次对第一节点g进行初始化之间是不连续的,且每次对第一节点g进行初始化的值是不相同的;多次对第二节点s进行初始化之间是不连续的,且每次对第二节点s进行初始化的值是相同的。例如,当对第一节点g进行第一次初始化后,执行其它步骤,待其它步骤执行完毕后,即第一次侦测结束后,可再对第一节点g进行第二次初始化,并且,对第一节点g进行第一次初始化后第一节点g的电压不等于对第一节点g进行第二次初始化后第一节点g的电压。例如,当对第二节点s进行第一次初始化后,执行其它步骤,待其它步骤执行完毕后,即第一次侦测结束后,可再对第二节点s的电压进行第二次初始化,并且,对第二节点s进行第一次初始化后第二节点g的电压等于对第二节点s进行第二次初始化后第二节点s的电压。
52.具体的,当第一次侦测时,步骤s2具体包括:扫描线s1提供扫描信号,使得第一晶体管t1导通,数据线d1提供第一预设电压vg(1)至第一节点g,第一预设电压即第一节点的初始电压,也即第一初始电压;控制线s2提供控制信号,使得第二晶体管t2导通,侦测线d2提供第二预设电压vpre至第二节点s,第二预设电压vpre即第二节点的初始电压,也即第二初始电压。当第n次侦测时,步骤s2具体包括:扫描线s1提供扫描信号,使得第一晶体管t1导通,数据线d1提供第一初始电压vg(n)至第一节点g;其中,vg(n)=vg(n-1)+vth(n-1)',n表示侦测的次数,vg(n)表示第n次侦测中的第一初始电压,vg(n-1)表示第n-1次侦测中的第
一初始电压,vth(n-1)'表示第n-1次侦测中得到的阈值电压特征值,n为大于1的整数。
53.在本实施例中,通过设定第一预设电压vg(1),在第一次侦测时,对第一节点g进行第一次初始化,从而第一节点g在第一次初始化时,第一预设电压vg(1)为第一节点g的第一初始电压。对第一节点g进行第n次侦测时,对第一节点g进行第n次初始化,第n次初始化第一节点g需要的电压值通过公式vg(n)=vg(n-1)+vth(n-1)'计算得出。至于第二节点s的初始化,每次第二节点s初始化后的电压为第二预设电压vpre,第二预设电压vpre可以根据实际需要进行设定。
54.在本技术的一些实施例中,第一预设电压大于第二预设电压,且第一预设电压于第二预设电压之间的差值不小于驱动晶体管的实际阈值电压。
55.步骤s3,控制第一晶体管以及第二晶体管导通,并且控制侦测线处于浮置状态,以使第一节点的电压维持在第一初始电压,使第二节点的电压抬升,在预设时间段后,对第二节点的电压进行侦测,得到侦测电压。
56.具体的,步骤s3具体包括:扫描线s1继续提供扫描信号,控制第一晶体管t1导通,从而使第一节点g的电压维持在第一初始电压;第一开关元件k1断开和第二开关元件k2断开,控制线s2继续提供控制信号,第二晶体管t2导通,从而使侦测线d2处于浮置状态,此时,驱动晶体管t0导通,第一电源vdd使第二节点s的电压抬升。间隔预设时间段后,扫描线s1继续提供扫描信号,控制第一晶体管t1导通,从而使第一节点g的电压维持在第一初始电压;控制线s2继续提供控制信号,第二晶体管t2导通,第一开关元件k1导通,第二开关元件k2断开,从而侦测源adc对第二节点s的电压进行侦测,得到侦测电压vs。
57.步骤s4,根据侦测电压以及第一初始电压得到参考阈值电压。
58.具体的,步骤s4具体包括:根据第一初始电压和侦测电压之间的差值得到参考阈值电压;其中,v
参考
(n)=vg(n)-vs(n),v
参考
(n)表示第n次侦测中得到的参考阈值电压,vg(n)表示第n次侦测中的第一初始电压,vs(n)表示第n次侦测中得到的侦测电压。
59.需要注意的是,在确定驱动晶体管的实际阈值电压之前,每次侦测过程中得到的侦测电压值是不相同的。
60.步骤s5,将侦测电压与第二初始电压进行比较,若侦测电压等于第二初始电压,则将参考阈值电压设定为驱动晶体管的实际阈值电压。
61.进一步的,若侦测电压不等于第二初始电压,则根据参考阈值电压以及第二初始电压得到第三初始电压,并返回步骤s2,第三初始电压用于在所述步骤s2中,初始化第一节点的电压。
62.其中,将第二节点s的侦测电压vs与第二初始电压vpre比较,若第二节点s的侦测电压vs不等于第二初始电压vpre,即在本技术实施例提供的阈值电压侦测方法中,先执行步骤s1,接着执行步骤s2,接着执行步骤s3,接着执行步骤s4,再接着执行步骤s5,若第二节点s的侦测电压vs不等于第二初始电压vpre,则继续执行步骤s2、步骤s3、步骤s4以及步骤s5,直至第二节点s的侦测电压vs等于预设电压vpre,则将参考阈值电压设定为驱动晶体管t0的实际阈值电压。
63.具体的,根据参考阈值电压以及第二初始电压得到第三初始电压的步骤,具体包括:根据参考阈值电压以及第二初始电压之和得到第三初始电压,其中,vg(n+1)=vpre+v
参考
(n),vg(n+1)表示第n次侦测得到的所述第三初始电压,vpre表示每次侦测中的第二初
始电压,v
参考
(n)表示第n次侦测中得到的参考阈值电压,n为大于1的整数。结合公式v
参考
(n)=vg(n)-vs(n)以及公式vg(n+1)=vpre+v
参考
(n),可以推导出:vg(n+1)=vpre+vg(n)-vs(n)。因此,根据公式vg(n+1)=vpre+vg(n)-vs(n)以及公式vg(n)=vg(n-1)+vth(n-1)',可以推导出:vpre+vg(n)-vs(n)=vg(n)+vth(n)',经变换可得:vpre-vs(n)=vth(n)'。其中,vpre表示每次侦测中的第二初始电压,vs(n)表示第n次侦测中得到的侦测电压,vth(n)'表示第n次侦测中得到的阈值电压特征值,即第n次侦测中得到的阈值电压特征值为第二初始电压减去第n次侦测中得到的侦测电压。
64.在本技术提供的一些实施例中,阈值电压侦测方法还包括:在步骤s5之后,控制第一晶体管导通,重置第一节点的电压;控制第二晶体管导通,重置第二节点的电压。具体的请参阅图4,图4为图2所示的像素的等效电路的另一种驱动时序示意图。如图4所示,在像素驱动时序涉及的时间段中包括了预充电时间段t1、预设时间段t2、侦测时间段t3以及重置时间段t4。在预充电时间段t1,扫描线s1提供扫描信号,使得第一晶体管t1导通,数据线d1提供的预设栅极电压供应至第一节点g,从而使第一节点g的电压为数据线d1提供的预设栅极电压;控制线s2提供控制信号,使得第二晶体管t2导通,并且,第一开关元件k1断开,第二开关元件k2导通,第二节点初始电源vpre提供预设漏极电压至第二节点s,从而使第二节点s的电压等于预设漏极电压。在预设时间段t2,扫描线s1继续提供扫描信号,控制第一晶体管t1导通,从而使第一节点g的电压维持在预设栅极电压;第一开关元件k1断开且第二开关元件k2断开,控制线s2继续提供控制信号,使第二晶体管t2导通,从而侦测线d2处于浮置状态,此时,第一电源vdd使第二节点s的电压抬升。在侦测时间段t3,扫描线s1继续提供扫描信号,控制第一晶体管t1导通,从而使第一节点g的电压仍维持在预设栅极电压;控制线s2继续提供控制信号,使第二晶体管t2导通,并且,第一开关元件k1导通,第二开关元件k2断开,从而侦测源adc基于采样信号samp对第二节点s的电压进行侦测。在重置时间段t4,扫描线s1提供扫描信号,使得第一晶体管t1导通,数据线d1提供第一重置电压至第一节点g;控制线s2提供控制信号,使得第二晶体管t2导通,侦测线d2提供第二重置电压至第二节点s。
65.需要注意的是,由于本技术提供的阈值电压侦测方法中,在第一次侦测中分别初始化第一节点的第一预设电压和第二节点的第二预设电压都是可设定的,而非是像素进行显示时显示电压数据,为避免侦测完成后侦测行显示异常,本技术的一些实施例在步骤s5之后,重置第一节点的电压以及第二节点的电压,可将显示电压数据回写至进行侦测前的状态。
66.请参阅图1、图2以及图5,图5为基于图1所示的流程示意图进行第一次侦测的驱动时序示意图。在第一次侦测中,第一次侦测中得到的阈值电压特征值vth(1)'=vpre-vs(1),如果第一初始电压vg(1)的值大于第二初始电压vpre的值,并且第一初始电压vg(1)与第二初始电压vpre之间的差值大于驱动晶体管t0的实际阈值电压,则在第一次侦测中得到的侦测电压vs(1)的值大于第二初始电压vpre的值,故vth(1)'的值小于零。由于第一侦测得到的vs(1)不等于vpre,则需要进行第二次侦测。
67.请参阅图1、图2以及图6,图6为基于图1所示的流程示意图进行第二次侦测的驱动时序示意图。在第二次侦测中,第一初始电压由上一次的参考阈值电压以及第二初始电压决定,即第二次侦测的第一初始电压vg(2)=vpre+v
参考
(1)=vpre+vg(1)-vs(1)=vpre-vs(1)+vg(1)=vth(1)'+vg(1)。由于vth(1)'的值小于零,从关系式vg(2)=vth(1)'+vg(1)可
确定vg(2)的值是小于vg(1)的,故第二次侦测中的第一初始电压小于第一次侦测中的第一初始电压。而每次侦测中第二初始电压是不变的,即第二初始电压一直为vpre,因此,第二次侦测在与第一次侦测消耗相同侦测时间情况下,第二次侦测得到的侦测电压vs(2)小于vs(1)。
68.请参阅图1、图2以及图7,图7为基于图1所示的流程示意图进行第n次侦测的驱动时序示意图。同理可知,当在第n次侦测中,vg(n)=vpre+v
参考
(n-1)=vpre+vg(n-1)-vs(n-1)=vpre-vs(n-1)+vg(n-1)=vth(n-1)'+vg(n-1),侦测得到第二节点的侦测电压vs(n),若vpre=vs(n),则vth(n)'=vpre-vs(n)=0,则侦测电压vs(n)不再抬升,即使继续侦测vg(n+1),vs(n+1)的值也会与vs(n)的值相同,从而完成对驱动晶体管t0的实际阈值电压侦测,实际阈值电压=vg(n)-vpre。
69.综上,在本实施例中,通过降压迭代的方式,结合新的侦测流程以及控制时序,使驱动晶体管的栅源电压从大于阈值电压的状态降低至与阈值电压相等的状态。
70.在本技术提供的一些实施例中,阈值电压侦测方法执行步骤s2至步骤s5的侦测时间段位于垂直空白区。
71.需要说明的是,垂直空白区(v-blank区)指显示装置当前帧最后一行显示数据输出后至下一帧画面第一行显示数据输出前的时间段。垂直空白区的时间长度取决于显示装置的分辨率、刷新率以及充电时序。例如,就4k且120hz的有源矩阵型有机发光二极管显示装置,垂直空白区的时间长度约为333微秒。
72.本技术提供的阈值电压侦测方法,通过降压迭代的方式,结合新的侦测流程以及控制时序,使驱动晶体管的栅源电压从大于阈值电压的状态降低至与阈值电压相等的状态,由于栅源电压从大于阈值电压的状态降低至阈值电压相等的过程是持续迭代更新的,故单次侦测的时间可极大缩短,实现在每一个垂直空白区完成一次迭代更新,从而在不影响显示装置正常显示的情况下,同时完成驱动晶体管的实际阈值电压的侦测。
73.请参阅图8,图8为本技术实施例提供的阈值电压侦测装置的结构图。阈值电压侦测装置100包括:
74.一像素101,所述像素101包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、电容及发光元件;所述驱动晶体管的栅极与第一节点电连接,所述驱动晶体管的源极与漏极中的一者与第一电源电连接,所述驱动晶体管的源极与漏极中的另一者与第二节点电连接;所述第一晶体管的栅极与扫描线电连接,所述第一晶体管的源极与漏极中的一者与数据线电连接,所述第一晶体管的源极与漏极中的另一者与所述第一节点电连接;所述第二晶体管的栅极与控制线电连接,所述第二晶体管的源极与漏极中的一者与所述第二节点电连接,所述第二晶体管的源极与漏极中的另一者与侦测线电连接;所述电容的第一端与所述第一节点电连接,所述电容的第二端与所述第二节点电连接;
75.初始化模块102,所述初始化模块102用于初始化所述第一节点的电压得到第一初始电压,以及初始化所述第二节点的电压得到第二初始电压,以使得所述驱动晶体管导通;
76.侦测模块103,所述侦测模块103用于控制所述第一节点的电压维持于所述第一初始电压,以使所述第二节点的电压基于所述第一电源抬升,于预设时间段后,对所述第二节点的电压进行侦测,得到侦测电压;
77.计算模块104,所述计算模块104用于根据所述侦测电压以及所述第一初始电压得
到参考阈值电压;
78.比较模块105,所述比较模块105用于将所述侦测电压与所述第二初始电压进行比较。
79.存储模块106,所述存储模块106用于存储参考阈值电压,且若侦测电压等于第二初始电压,则将参考阈值电压存储为驱动晶体管的实际阈值电压。
80.在本技术的一些实施例中,阈值电压侦测装置还包括:
81.重置模块,所述重置模块用于在侦测结束之后,重置所述第一节点的电压以及重置所述第二节点的电压。
82.本技术提供阈值电压侦测装置,通过降压迭代的方式,结合新的侦测流程以及控制时序,使驱动晶体管的栅源电压从大于阈值电压的状态降低至与阈值电压相等的状态,由于栅源电压从大于阈值电压的状态降低至阈值电压相等的过程是持续迭代更新的,故单次侦测的时间可极大缩短,实现在每一个垂直空白区完成一次迭代更新,从而在不影响显示装置正常显示的情况下,同时完成驱动晶体管的实际阈值电压的侦测。
83.本技术实施例还提供一种显示装置,其包括以上所述的阈值电压侦测装置,具体可参照以上描述,在此不做赘述。
84.本技术提供的显示装置,通过降压迭代的方式,结合新的侦测流程以及控制时序,使驱动晶体管的栅源电压从大于阈值电压的状态降低至与阈值电压相等的状态,由于栅源电压从大于阈值电压的状态降低至阈值电压相等的过程是持续迭代更新的,故单次侦测的时间可极大缩短,实现在每一个垂直空白区完成一次迭代更新,从而在不影响显示装置正常显示的情况下,同时完成驱动晶体管的实际阈值电压的侦测。
85.以上仅为本技术的实施例,并非因此限制本技术的专利范围,凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本技术的专利保护范围内。
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