一种amoled 像素电路及其驱动方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及AM0LEAD像素驱动电路技术领域，特别是涉及一种AMOLED像素电路及其驱动方法。
【背景技术】
[0002]OLED (Organic Light-Emitting D1de,有机发光二极管)通过在有机材料中电子空穴的复合过程中发射出的光来显示图像，0LED显示器是一种新兴的平板显示器件，由于其制备工艺简单、成本低、响应速度快、易于实现彩色显示和大屏幕显示、功耗低、容易实现和集成电路驱动器的匹配、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄且易于实现柔性显示等优点，使其具有广阔的应用前景。0LED的驱动方式分为被动矩阵驱动(无源驱动，Passive matrix, PM 0LED)和使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)的主动矩阵驱动(有源驱动，Active Matrix, AM 0LED)。
[0003]一般的像素驱动电路中包括TFT驱动管，其电流的表达式为:
[方程 1] 1led = (1/2) * μ *C0X* (ff/L) * (VGS - Vth drivingTFT) 2
其中μ为载流子迁移率，W/L为晶体管的宽长比，Cox为单位面积的栅极电容为驱动管的栅极和源极之间的压降；vth drivingTFT为驱动TFT的阈值电压。从方程1可以看出，在上述的AMOLED像素驱动电路中，电流IaED取决于驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth drivingTFT,因此在驱动晶体管中的阈值电压的变化会导致0LED元件发光不均匀，影响0LED显示面板的灰度以及图像质量。
[0004]传统的AMOLED驱动电路包括两个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称:TFT)和一个电容，即2T+1C。通常采用低温多晶娃(LowTemperature Poly-silicon,简称:LTPS)技术制造AMOLED驱动电路，由于TFT的阈值电压Vth drivingTFT均匀性差并且存在漂移，因此造成流经0LED驱动电流IaED的不均匀。为了解决0LED驱动电流IaED的不均匀的问题，现有改进的技术方案多采用过增加单个像素内部的薄膜晶体管和电容数量，来改善LTPS TFT背板的电学均匀性，即m T + n C结构，如三星电子的6T+2C结构。此方案虽然获得了均匀电学特性的LTPS TFT背板，但由于(子)像素内部电路结构复杂，薄膜晶体管和电容数量较多，需要占用面积较大，即使采用top emiss1n结构,也难以满足高分辨率(>500 ppi)显示要求。
【发明内容】
[0005]针对以上现有技术的不足，本发明提供了第一技术方案:一种AMOLED像素电路，能够解决LTPS TFT背板的电学均匀性与0LED元件发光不均匀的问题。
[0006]本发明提供了第二技术方案:一种AMOLED像素电路的驱动方法，通过此方法来减少像素单元内部的薄膜晶体管和电容数量，获得高分辨率的AM0LED。
[0007]本发明的第一技术方案具体为:一种AMOLED像素电路，包括呈η行m列矩阵分布的像素单元电路与AMOLED显示区域外围对应每一行像素单元电路的扫描线处设置的补偿电路，所述的像素单元电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、发光管D与第一电容C1，所述的补偿电路包括第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6与第二电容C2，η、m为自然数，其中，
第二薄膜晶体管T2与第五薄膜晶体管T5的栅极连接Scanl (η)扫描线，第二薄膜晶体管Τ2的漏极连接数据线Data line，第二薄膜晶体管T2的源极连接第一薄膜晶体管T1的栅极与第一电容C1 一端；发光管D正端连接电源，发光管D负端连接第一薄膜晶体管T1的漏极；第一电容C1的另一端与第四薄膜晶体管T4的源极连接第五薄膜晶体管T5的漏极，第一薄膜晶体管T1源极连接第三薄膜晶体管T3的漏极，第三薄膜晶体管T3的源极连接第四薄膜晶体管T4与第六薄膜晶体管T6的漏极，第五薄膜晶体管T5与第六薄膜晶体管T6的源极接地，第三薄膜晶体管T3与第六薄膜晶体管T6的栅极分别连接Scan2 (η)与Scan3 (η)扫描线，所述第四薄膜晶体管Τ4的源极与漏极之间并联有第二电容C2且第四薄膜晶体管Τ4的栅极连接Scanl (n_l)扫描线。
[0008]进一步地，所述的发光管D为有机发光二极管。
[0009]进一步地，所述的第一薄膜晶体管T1为驱动薄膜晶体管(Driving TFT)，第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5与第六薄膜晶体管T6为开关薄膜晶体管(Switching TFT)。
[0010]本发明的第二技术方案具体为:一种根据上述任一所述的AMOLED像素电路的驱动方法，该方法包括:
1)第二电容C2重置；
2)第二电容C2充电；
3)第一电容C1充电；
4)第一电容C1与第二电容C2串联；
5)发光管D发光。
[0011]进一步地，所述的第二电容C2重置包括:
将第一薄膜晶体管T1、第四薄膜晶体管T4与第六薄膜晶体管T6导通，将第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5断开；
以第(η-l)条扫描线控制第η条扫描线上的第四薄膜晶体管Τ4。
[0012]如上设置电路在做补偿时不会受到上一画面电压的影响，让每次补偿都能以相同状态开发，且重置的动作都会在每一条扫描线信号到达前完成。
[0013]进一步地，所述的第二电容C2充电包括:
将第一薄膜晶体管Τ1、第二薄膜晶体管Τ2、第三薄膜晶体管Τ3与第五薄膜晶体管Τ5导通，将第四薄膜晶体管Τ4与第六薄膜晶体管Τ6断开；
数据线Data line输入一固定电压Vlmv。
[0014]进一步地，所述的第一电容Cl充电包括:
将第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2与第五薄膜晶体管T5导通，将第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4与第六薄膜晶体管T6断开；
数据线Data line输入所需要的灰阶电压。
[0015]进一步地，所述的第一电容C1与第二电容C2串联包括:
将第一薄膜晶体管T1与第六薄膜晶体管T6导通，将第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管Τ4与第五薄膜晶体管Τ5断开。
[0016]进一步地，所述的发光管D发光包括:
将第一薄膜晶体管Τ1、第三薄膜晶体管Τ3与第六薄膜晶体管Τ6导通，第二薄膜晶体管Τ2、第四薄膜晶体管Τ4、第五薄膜晶体管Τ5断开。
[0017]本发明把像素单元内部补偿转化为外部补偿的方式，降低了背板制作难度，成功地将AMOLED像素结构所需的(m T + n C)简化为2T + 1C，从而使AMOLED实现了高分辨率(>500ppi )，同时采用全P-type薄膜晶体管制作驱动电路，减少MASK数量，降低了背板的制作成本。
【附图说明】
[0018]图1为本发明一种AMOLED像素电路的电路图；
图2为本发明一种AMOLED像素电路的时序图；
图3为本发明一种AMOLED像素电路的的驱动方法中第二电容C2重置工作原理图；
图4为本发明一种AMOLED像素电路的驱动方法中第二电容C2充电工作原理图；
图5为本发明一种AMOLED像素电路的驱动方法中第一电容C2充电工作原理图；
图6为本发明一种AMOLED像素电路的驱动方法中第一电容C1与第二电容C2串联工作原理图；
图7为本发明一种AMOLED像素电路的的驱动方法中发光管D发光工作原理图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图对本发明做进一步详细的说明。
[0020]为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明的省略是可以理解的。相同或相似的标号对应相同或相似的部件。
[0021]本发明通过在低温多晶硅薄膜晶体管AMOLED显示区域外围对应每一行像素单元电路的扫描线处制作补偿电路，减少像素单元电路内部的薄膜晶体管和电容数量，采用最简单的2T+1C薄膜晶体管和电容结构，来获得高分辨率的AM0LED，也避免因Driving TFT的阈值电压不均匀性及不稳定性而产生AMOLED发光亮度不均匀现象，同时为了便于低温多晶硅薄膜晶体管制备，减少MASK数量，降低成本，本电路全部采用P-type薄膜晶体管制作技术。
[0022]本实施例一种AMOLED像素电路，如图1电路所示，包括呈η行m列矩阵分布的像素单元电路1与AMOLED显示区域外围对应每一行像素单元电路的扫描线处设置的补偿电路2，所述的像素单元电路1包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、发光管D与第一电容C1，所述的补偿电路2包括第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6与第二电容C2，n、m为自然数，其中，
第二薄膜晶体管T2与第五薄膜晶体管T5的栅极连接Scanl (η)扫描线，第二薄膜晶体管Τ2的漏极连接数据线Data line，第二薄膜晶体管T2的源极连接第一薄膜晶体管T1的栅极与第一电容C1 一端；发光管D正端连接电源，发光管D负端连接第一薄膜晶体管T1的漏极；第一电容C1的另一端与第四薄膜晶体管T4的源极连接第五薄膜晶体管T5的漏极，第一薄膜晶体管T1源极连接第三薄膜晶体管T3的漏极，第三薄膜晶体管T3的源极连接第四薄膜晶体管T4与第六薄膜晶体管T6的漏极，第五薄膜晶体管T5与第六薄膜晶体管T6的源极接地，第三薄膜晶体管T3与第六薄膜晶体管T6的栅极分别连接Scan2 (η)与Scan3