本发明涉及雕刻技术领域，尤其涉及一种手机外壳精密雕刻方法流程图。
背景技术：
随着物质生活水平的提高，人们的精神追求也越来越精细，尤其是对于美观的追求。例如，人们对于手机上的精细修饰越来越重视，在此前提下，手机生产过程中，各种花纹雕刻层出不穷，但是，手机外壳上的雕刻由于技术限值往往不够精密。
技术实现要素：
基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种手机外壳精密雕刻方法流程图。
本发明提出的一种手机外壳精密雕刻方法，包括以下步骤：
s1、设置多个相互平行的切割面对目标模型进行切割，获取切割后的分层模型；
s2、获取最底层的分层模型作为基础模型；
s3、获取基础模型与上一层分层模型的交界面所在平面作为雕刻平面；
s4、将雕刻平面覆盖在基础模型上表面形成打印模型，并根据打印模型打印出胚体；
s5、雕刻平面上位于基础模型与上一层分层模型的交界面范围以内的区域作为打印区域，根据基础模型在胚体上表面进行雕刻；
s6、将基础模型更新为其上一层分层模型，并将雕刻平面更新为新的基础模型与上一层分层模型的交界面所在平面；
s7、将基础模型与雕刻平面合成新的打印模型，在胚体上表面的打印区域根据打印模型进行打印，获取新的胚体，并根据基础模型在新的胚体的上表面进行雕刻；
s8、循环执行步骤s6和s7，直至完成最上层的分层模型的打印和雕刻，获取成品。
优选地，每一个切割面与目标模型的交界面均为一个闭合区域。
优选地，上一层分层模型在下一层分层模型上的投影位于下一层分层模型上表面的边界以内
本发明一种手机外壳精密雕刻方法，首先将目标模型分层切割，然后根据分层结果打印具有光滑上表面的胚体，然后根据基础模型在胚体上表面进行雕刻。如此，通过目标模型分层，将雕刻任务分割为多次进行，如此，简化了每一次雕刻路线，降低了雕刻难度。
本发明中，每一个分层模型的上表面具有部分雕刻任务，步骤s4中，首先将雕刻平面与基础模型上表面重合，如此，形成一个表面光滑的打印模型，降低了胚体的打印难度。
附图说明
图1为本发明提出的一种手机外壳精密雕刻方法流程图。
具体实施方式
参照图1，本发明提出的一种手机外壳精密雕刻方法，包括以下步骤：
s1、设置多个相互平行的切割面对目标模型进行切割，获取切割后的分层模型。本步骤中，切割面的数量根据目标模型的雕刻深度和雕刻纹路形态决定，假设设置n个切割面，则目标模型被切割为n+1个分层模型。以下叙述中，将n+1个分层模型由上至下排序，即最上层为第1个分层模型，最下层为第n+1个分层模型。
s2、获取最底层的分层模型作为基础模型。即，将第n+1个分层模型作为基础模型。
s3、获取基础模型与上一层分层模型的交界面所在平面作为雕刻平面。具体的，本步骤中，雕刻平面为第n+1个分层模型的上表面也是第n个分层模型的下表面。
s4、将雕刻平面覆盖在基础模型上表面形成打印模型，并根据打印模型打印出胚体。具体的，每一个分层模型的上表面具有部分雕刻任务，本步骤中，首先将雕刻平面与基础模型上表面重合，如此，形成一个表面光滑的打印模型，降低了胚体的打印难度。
s5、雕刻平面上位于基础模型与上一层分层模型的交界面范围以内的区域作为打印区域，根据基础模型在胚体上表面进行雕刻。具体的，打印区域在上一层分层模型的下表面在基础模型上表面的投影。本实施方式中，每一个切割面与目标模型的交界面均为一个闭合区域，以简化打印区域。
本实施方式中，首先打印胚体，然后在胚体上雕刻，实现了精密加工雕刻的需求。且本实施方式中，首先将目标模型分层切割，然后根据分层结果打印具有光滑上表面的胚体，然后根据基础模型在胚体上表面进行雕刻。如此，通过目标模型分层，将雕刻任务分割为多次进行，如此，简化了每一次雕刻路线，降低了雕刻难度。
本实施方式中，为了保证雕刻任务的有效分割，避免无效的分层切割，上一层分层模型在下一层分层模型上的投影位于下一层分层模型上表面的边界以内。
s6、将基础模型更新为其上一层分层模型，并将雕刻平面更新为新的基础模型与上一层分层模型的交界面所在平面。具体的，如果原有的基础模型为第m层分层模型，则原有的雕刻平面为第m层分层模型的上表面即第m-1层分层模型的下表面，2≦m≦n+1；本步骤中，将基础模型由第m层分层模型更新为第m-1层分层模型，则雕刻平面更新为第m-1层分层模型的上表面。
s7、将基础模型与雕刻平面合成新的打印模型，在胚体上表面的打印区域根据打印模型进行打印，获取新的胚体，并根据基础模型在新的胚体的上表面进行雕刻。结合上一步s6，本步骤中，新的胚体为第m层分层模型到第n+1层分层模型的组合，胚体的上表面为覆盖第m层分层模型上表面的光滑平面；通过在新的胚体的上表面进行雕刻，将胚体的上表面还原为第m层分层模型上表面。
s8、循环执行步骤s6和s7，直至完成最上层的分层模型的打印和雕刻，获取成品。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。