光配向走线结构的制作方法

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种光配向走线结构。

背景技术：

液晶光配向技术是指在给液晶面板施加电压的情况下，通过紫外光照射，促使液晶中的单体反应，使液晶分子形成预倾角，从而达到液晶配向的目的。液晶面板一般包括cf(colorfilter，彩色滤光片)基板、液晶层及tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)基板，cf基板和tft基板上分别设有氧化铟锡透明电极层，且其氧化铟锡透明电极层的表面均设有聚酰亚胺配向膜，cf基板和tft基板之间的液晶层中含有单体，当给液晶面板的cf基板和tft基板通电(即施加电压)并进行紫外光照射时，其液晶层中的单体将发生反应，使液晶层的液晶分子以预定的倾斜角度整齐排列，从而达到液晶配向的目的。

现有psva(聚合物稳定垂直配向)技术在成盒制程(cellprocess)中，通过在tft基板和cf基板施加外部电压，并同时给予紫外光照射，使得液晶中的反应单体按照外部电压形成的电场依序排列，从而完成液晶的配向。光配向时施加外部电压的方式一般为由tft基板一侧导入外部电压，再经设置于tft基板和cf基板之间的导电胶将外部电压传导至cf基板。

随着科技发展，面板逐渐走向成熟，市场上的产品种类越来越多，曲面/高穿透产品需求越来越大，由于兼容平面和曲面，光配向工艺得到几家大型面板厂商青睐，但是在光配向过程中往往因为不同像素设计，当设计收紧同时，加压敏感度不同，造成配向结果不能完全均衡，造成产品开发时程推迟或者良率或者信赖性如光学等受到影响，增加公司开发成本。

技术实现要素：

因此，本发明的目的在于提供一种光配向走线结构，提升液晶面板配向成功率。

为实现上述目的，本发明提供了一种光配向走线结构，包括：设置于液晶面板像素区附近的tft基板公共电极焊盘和cf基板公共电极焊盘，该tft基板公共电极焊盘与像素区的tft基板连接，该cf基板公共电极焊盘与像素区的cf基板连接；进行像素区的液晶配向时，第一电压经由该tft基板公共电极焊盘输入像素区的tft基板，第二电压经由该cf基板公共电极焊盘输入像素区的cf基板，在紫外光照射配合下完成液晶配向。

其中，所述第一电压与第二电压大小相同。

其中，所述第一电压与第二电压大小不同。

其中，所述第一电压大于第二电压。

其中，所述第二电压大于第一电压。

其中，根据液晶面板的设计确定所述tft基板公共电极焊盘和cf基板公共电极焊盘在液晶面板上的排布位置，以及所述tft基板公共电极焊盘和cf基板公共电极焊盘连接像素区的相对位置和连接宽度。

其中，指定特定波长的紫外光照射辅助稳定液晶配向。

其中，所述液晶面板为psva模式的tft-lcd。

综上，本发明的光配向走线结构提升产品配向成功率，减少开发时程，提升产品综合良率和产品特性达成率，减少成本浪费。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。

附图中，

图1为本发明光配向走线结构第一较佳实施例的示意图；

图2为本发明光配向走线结构第二较佳实施例的示意图。

具体实施方式

参见图1，其为本发明光配向走线结构第一较佳实施例的示意图，图1中以psva模式的tft-lcd作为实例，但本发明不仅限于tft面板。该光配向走线结构中，tft基板公共电极焊盘(a-compad)11与像素区的tft基板连接，cf基板公共电极焊盘(cf-compad)12与像素区的cf基板连接，外部电压v经由tft基板公共电极焊盘11和cf基板公共电极焊盘12分别输入像素区的tft基板和cf基板，在紫外光照射配合下，完成像素区的液晶配向。本发明在现有光配向走线设计中增加tft基板公共电极焊盘及cf基板公共电极焊盘的设计，在现有配向电压基础上增加两种接线加压配向方式。在该第一较佳实施例中，虽然采用了新的走线设计，但是作为特例，两个焊盘都输入了相同的外部电压v，满足一般产品设计的需要。

参见图2，其为本发明光配向走线结构第二较佳实施例的示意图，图2中以psva模式的tft-lcd作为实例，但本发明不仅限于tft面板。该光配向走线结构中，tft基板公共电极焊盘21与像素区的tft基板连接，cf基板公共电极焊盘22与像素区的cf基板连接，外部电压va经由tft基板公共电极焊盘21输入像素区的tft基板，外部电压vf经由cf基板公共电极焊盘22输入像素区的cf基板，在紫外光照射配合下，完成像素区的液晶配向。

当va>vf时，tft侧对像素配向作用起主导，也就是在a-com(tft基板电位)电压增加略高于cf-com(cf侧ito电极，即像素电位)电压时，排除cf-com对tft基板电位影响。

当va<vf时，cf-com(cf侧ito电极，即像素电位)电压对面板配向起到主导作用，也就是当a-com(tft基板电位)电压减小时，对cf侧ito电极抑制作用减小。

目前大部分液晶产品tft基板侧地形较为复杂，本发明的电压配向方式给垂直配向(va)增加可调控可能，增加制程改善途径。提升产品配向成功率，减少开发时程，提升产品综合良率和产品特性达成率，减少成本浪费。

根据液晶面板的设计确定所述tft基板公共电极焊盘21和cf基板公共电极焊盘22在液晶面板上的排布位置，以及所述tft基板公共电极焊盘21和cf基板公共电极焊盘22连接像素区的相对位置和连接宽度，也就是说，根据液晶面板产品的设计确定增加走线的排布位置，增加走线的加压位置，连接宽度等。

本发明还可以进一步通过指定特定波长的紫外光照射来辅助稳定液晶配向。

综上，本发明的光配向走线结构提升产品配向成功率，减少开发时程，提升产品综合良率和产品特性达成率，减少成本浪费。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

技术特征：

技术总结
本发明提供一种光配向走线结构。该光配向走线结构包括：设置于液晶面板像素区附近的TFT基板公共电极焊盘和CF基板公共电极焊盘，该TFT基板公共电极焊盘与像素区的TFT基板连接，该CF基板公共电极焊盘与像素区的CF基板连接；进行像素区的液晶配向时，第一电压经由该TFT基板公共电极焊盘输入像素区的TFT基板，第二电压经由该CF基板公共电极焊盘输入像素区的CF基板，在紫外光照射配合下完成液晶配向。本发明的光配向走线结构提升产品配向成功率，减少开发时程，提升产品综合良率和产品特性达成率，减少成本浪费。

技术研发人员：熊梅
受保护的技术使用者：深圳市华星光电技术有限公司
技术研发日：2017.05.04
技术公布日：2017.09.15