专利名称：：制作用于形成光盘的母盘的方法
技术领域：
：本发明涉及制造母盘的方法，该母盘用于制作作为光记录/再现介质的光盘。通常，诸如数字通用盘(DCD)-随机存取存储器(RAM)之类的高密度光盘包括凹槽1和槽脊2，其中沿螺旋轨道记录着信息，如图1所示。在凹槽1和槽脊2上分别形成凹坑3，从而在其上记录所需信息。由于凹槽1和槽脊2都用于在其上记录信息，因此与传统盘相比可记录更多信息，因为在该传统盘中，是或者用凹槽或者用槽脊来进行记录的。光盘是通过如图2A至2D所示的过程来制作的。如图2A所示，在一基片10上涂覆光阻材料20，然后，在旋转基片10的同时，光阻材料20同时曝光于一激光30，用以形成凹槽；并曝光于一激光30′，用以根据该凹槽、槽脊和凹坑的形状形成凹坑。标号31和31′表示用于打开/关掉该激光的调制器。随后，如图2B所示，将腐蚀剂喷洒于曝光后的基片10上，从而制成在其上形成有凹槽、槽脊和凹坑的母盘15。如图2C所示，子盘是通过模压母盘15形成的，如图2D所示，光盘通过注模方法复制而成，在该方法中，将树脂注入装有子盘25的模型40中。然而，在上述方法中，通过对光阻材料同时进行曝光和蚀刻而在一光阻材料层上形成槽脊、凹槽和凹坑，因此槽脊、凹槽和凹坑间的边界并不清晰鲜明。因此，在再现期间不能正确检测信息信号的起始点和结束点，这就可能导致不能正确及时地产生输出信号的抖动错误。为解决上述问题，本发明的目的是提供一种用于制作用来形成光盘的母盘的方法，利用该方法，可以以高密度记录大量信息，并可减少抖动错误。因此，为达到上述目的，本发明的母盘制作方法包括下列步骤在一基片上形成一SiO2膜；在该SiO2膜上形成第一光阻材料层；根据分别对应于凹槽和槽脊的凹槽凹进结构和槽脊凸起结构的构形，对该第一光阻材料层进行曝光；对该SiO2膜和该第一光阻材料层进行蚀刻，从而在该SiO2膜上形成该凹槽凹进结构和该槽脊凸起结构；在该SiO2膜上涂覆第二光阻材料层，从而形成该凹槽和该槽脊；根据在其上记录预定信息的凹坑的构形，对该第二光阻材料层进行曝光；以及对该第二光阻材料层进行蚀刻，从而在该凹槽和该槽脊上形成凹坑。通过参照附图而对本发明的一优选实施例进行详细描述，本发明的上述目的和优点将变得更加明了，附图中图1是表示一典型光盘的部分透视图；图2A至2D的图用于说明制作一传统光盘的过程；以及图3是表示根据本发明的母盘制作方法的流程图。图4至图8的图用于说明根据本发明的制作母盘的过程。下面将参照图3至图8描述根据本发明的一具体实施实施例的母盘的制作方法。首先，图4所示的SiO2膜101通过诸如步骤300中的溅散之类的沉淀步骤形成于基片100上。随后，如图5所示，在该SiO2膜上涂覆一第一光阻材料层110(步骤310)。在步骤320，在旋转该基片100的同时，将该第一光阻材料层曝光于一激光束210。此时，该第一光阻材料层是以一种对应于凹槽101和槽脊102(参见图7)的构形被曝光的，该凹槽101和槽脊102将在后面予以描述。并且，在步骤330，通过活性离子蚀刻法对曝光后的基片100进行蚀刻，然后将该第一光阻材料层110除去。于是，如图6所示，在该SiO2膜105上形成对应于凹槽101和槽脊102的凹槽结构凹进部101′和槽脊结构凸出部102′。如图7所示，将一第二光阻材料层120涂覆于该SiO2膜105上(步骤340)。此时，该第二光阻材料层120是以均匀的厚度而沿该凹槽结构凹进部101′和该槽脊结构凸出部102′被涂覆的。于是，通过涂覆该第二光阻材料层120，完成了凹槽101和槽脊102的制作。至于凹坑的形成，是这样进行的，将该第二光阻材料层120按凹坑的形状曝光于一激光束(步骤350)，使凹坑形成于凹槽101和槽脊102上。例如，通过精细控制一激光反射镜，如镀锌镜(galvanomirror)，有可能使一激光点准确跟踪凹槽101和槽脊102。然后，对该第二光阻材料层120进行蚀刻，以便在该第二光阻材料层120的凹槽101和槽脊102上形成凹坑103，如图8所示。于是即可得到一母盘。按照本发明的，通过分别的处理程序对该基片和该第二光阻材料层进行蚀刻，从而可相当陡峭地形成凹槽、槽脊和凹坑。以上述方式，就可用该母盘复制得到光盘。通过如下的例子，本发明的效果将变得更加明显。(举例)在该列中，通过常规技术得到的母盘(a)和(b)的容量分别为10G字节和15.12G字节。通过本发明制作的母盘(c)和(d)，其凹槽深度为λ/6η，凹坑深度为λ/4，其中‘λ’表示用来复制的激光的波长，‘η’表示该母盘的折射率，具有430nm的波长的蓝色激光用于曝光。表1示出对于母盘(a)、(b)、(c)、(d)的凹槽角度和抖动错误率。这里，凹槽角度表示在一张盘的凹槽的一个侧面和该盘的一水平面之间的角度。(表1)<tablesid="table1"num="001"><tablewidth="537">母盘容量轨道间距凹槽角度抖动错误率(a)10GB0.6μm约50°15％(b)15.12GB0.4μm约50°15～17％(c)10GB0.6μm约80°4～6％(d)15.12GB0.4μm约80°6～8％</table></tables>如表1中所示，母盘(a)和(b)的凹槽角度大约为50°，而母盘(c)和(d)的凹槽角度大约为80°。也就是说，与母盘(a)和(b)相比，母盘(c)和(d)形成更陡峭的凹槽。并且，本发明的母盘的抖动错误率下降至传统的抖动错误率的一半。根据本发明的母盘制作方法，可陡峭地形成凹槽、槽脊和凹坑之间的边界，从而改善了信息记录和再现的特性，并实现了信息的高密度记录。权利要求1．一种用于制作用来形成光盘的母盘的方法，包括步骤在一基片上形成SiO2膜；在该SiO2膜上涂覆第一光阻材料层；根据分别对应于凹槽和槽脊的凹槽结构凹进部和槽脊结构凸起部的构形，对该第一光阻材料层进行曝光；对该SiO2膜和该第一光阻材料层进行蚀刻，从而在该SiO2膜上形成该凹槽结构凹进部和该槽脊结构凸起部；在该SiO2膜上涂覆第二光阻材料层，从而形成该凹槽和该槽脊；根据在其上记录预定信息的凹坑的构形，对该第二光阻材料层进行曝光；以及对该第二光阻材料层进行蚀刻，从而在该凹槽和该槽脊上形成凹坑。2．如权利要求1所述的方法，其中所述凹槽深度为λ/6η，所述凹坑深度为λ/4，其中‘λ’表示用来复制的激光的波长，‘η’表示所述母盘的折射率。3．如权利要求1所述的方法，其中通过活性离子蚀刻法来进行蚀刻。全文摘要一种用于制作用来形成光盘的母盘的方法,包括步骤:在一基片上形成SiO文档编号G03F7/26GK1213823SQ9810849公开日1999年4月14日申请日期1998年5月14日优先权日1997年10月8日发明者卢明道,安荣万,朴昌民申请人:三星电子株式会社