一种va型液晶防止多显的方法
【专利说明】
[0001]技术领域:
本发明涉及一种VA型液晶显示器电极走线图案设计中填充块预防多显不良问题的特殊技术方法，从而提升了产品成品率和保证了产品的稳定性，避免了因填充块引发的多显质量隐患异常的发生。
[0002]【背景技术】:
随着全球电子科技产品发展日新月异，VA型液晶显示器产品应在不断发展应用到各个行业或领域，人们对液晶显示器产品在使用的关注点也从实用性有更高的需求:高对比度，宽视角，安全性等等，VA类产品正是在这种需求下，近几年来得到快速的发展与应用；但高对比度等特性的获得，必需要有良好的空盒生产工艺方可满足条件。
[0003]为了满足空盒制作的生产，在前期电极设计及填充设计时，必需要做到互补性填充设计解决此问题，解决设计中造成的静电击伤PI层缺陷；而在设计时，现有技术制作此类产品填充块设计的方法上存在静电击伤PI层缺陷，此外更重要和突多的质量问题是多显不良缺陷与质量隐患，此问题有待改进。
[0004]现有设计技术中通常有以下的二种方式:
第一种方式，独立式小正方形块状或小长条形块状进行填充设计。这种填充块设计方式，空盒均匀性填充目的可以达到，但缺点是各个独立的ITO填充电极小方块或长方块等上面会因生产过程中与相关接触工序(如摩擦工序、丝印工序等)，产生一定量的静电电量残存，无法释放，容易出现瞬间静电荷击伤PI层，造成产品质量异常，产出不良品。
[0005]第二种方式，短接式小方形块状或或小长条形块状进行填充设计。这种填充方式，空盒均匀性填充目的可以达到；另也能解决第一种方式中发生静电何瞬间击伤ITO填充块的问题，因为短接式填充块设计在生产过程中接触工序(如摩擦工序、丝印工序等)产生瞬间静电时，静电会被短接式ITO填充块将静电引导出液晶盒定向层及显示区域外，从而改善静电击伤；但这一种填充设计的缺点是在加电状态下，电测静态显示全显图案时，偶然间会出现上下填充块电场状态下的填充块多显问题的发生，对产品质量隐患性很大。
[0006]
【发明内容】
:
针对现有技术存在的缺陷，本发明所要解决的技术问题是，针对以上现有第二种填充块设计技术中造成填充块多显等缺点，又能解决现有第一种填充块设计技术中出现瞬间静电击伤ITO填充块上液晶盒定向层被静电击伤的缺点。从而提供一种无质量隐患的可靠性优质的VA型黑白液晶显示器，确保终端使用不会因为此产品部件而造成其它的不良后果及问题。
[0007]本发明解决其技术问题所采取的技术方案是:一种VA型液晶防止多显的方法，关键在于在所述VA型液晶显示器填充块的制作步骤，在显示器基板上设置多个的显示单元，各个显示单元内的各个相邻的填充块之间采用短接的方式进行一体的电连接，在其中两相邻块显示单元之间分别设有末端相对的放电引线，所述放电引线与最外端的填充块连接，所述放电引线延伸至填充区域外部，所述两条放电引线的末端相对间距0.03mm±0.01mm。
[0008]所述的放电引线的末端为尖角状。
[0009]所述的各个填充块为矩形块，矩形填充块的倒角为0.08mm±0.01mm。
[0010]本发明的填充块设计技术的VA型液晶显示器，采用增加填充块倒角直径使其边角放电的性能降低，并将项链填充进行短接及设置放点线的结构，形成不会增加工艺及生产成本，但可以提升产品成品良率、使用寿命更长、使用时的安全性保障，人机交互感更好。
[0011]【附图说明】:
图1为【背景技术】示意图。
[0012]图2为本发明改进的结构示意图。
[0013]图3为本发明多单元间连接的结构示意图。
[0014]【具体实施方式】:
如图1至图3所示，一种VA型液晶防止多显的方法，关键在于在所述VA型液晶显示器填充块的制作步骤，在显示器基板上设置多个的显示单元，显示单元设有多个填充块，各个显示单元内的各个相邻的填充块I之间采用短接的方式进行一体的电连接，在其中两相邻块显示单元之间分别设有末端相对的放电引线2，所述放电引线与最外端的填充块连接，所述放电引线延伸至填充区域外部，所述两条放电引线的末端相对间距0.03mm±0.01mm。
[0015]所述的放电引线的末端为尖角状。
[0016]所述的各个填充块为矩形块，矩形填充块的倒角为0.08mm±0.01mm。
[0017]除SEG或COM电极显示图案及电极走线图之外，用于改善静电排放效果的边角倒角技术值设计，用于改善空盒均匀性的小方形填充块或小长条形块状及不规则ITO填充块进行填充设计，用于短接式ITO填充块将静电引导出液晶盒定向层及显示区域外的连接线设计和尖端排放电设计，用于上、下电极走线及ITO填充块组合对应区域技术参数值设计。
[0018]其设计方法技术点在于:所述填充块的倒角由现有技术常规的0.03 mm更改为0.08mm，。所述COM及SEG最外层的填充块进行短接，并在相邻单元间进行尖端放电，尖端的距离为0.03 mm。所述填充块短接后上下电极图层间必需在同一区域，不可以跨越覆盖对面图层上2条不同的走线。即SEG或COM —个区域不会与对面COM或SEG图案上2条走线重叠。
[0019]从以上VA型液晶显示器防止填充块多显的设计方法可以看出:这种VA型液晶显示器防止填充块多显的设计方法，将ITO填充块的倒角技术值在原来基础上增加0.05mm，有效解决边角区瞬间放电时，静电击伤相邻ITO填充块上方的液晶盒定向层，从而避免了此静电击伤类小白点或小黑点不良质量隐患的发生。将COM及SEG最外层的填充块进行短接，并在相邻单元间进行盒外尖端放电设计，有效解决独立式ITO填充块在电极小方块或长方块等上面会因生产过程中与相关接触工序(如摩擦工序、丝印工序等)，产生一定量的静电电量残存，无法释放，容易出现瞬间静电荷击伤液晶盒定向层，造成产品质量异常，产出不良品问题。将填充块短接后上、下电极图层间必需在同一区域内，禁止跨越对面图层二条不同的走线；有效解决显示器在加电状态下，电测静态或动态显示全显图案时，偶然间会出现上下填充块电场状态下的填充块多显问题的发生，从而得到VA型液晶显示器制作过程良品率质量的保证，产品的稳定性、可靠性保证。
【主权项】
1.一种VA型液晶防止多显的方法，其特征在于在所述VA型液晶显示器填充块的制作步骤，在显示器基板上设置多个的显示单元，各个显示单元内的各个相邻的填充块之间采用短接的方式进行一体的电连接，在其中两相邻块显示单元之间分别设有末端相对的放电引线，所述放电引线与最外端的填充块连接，所述放电引线延伸至填充区域外部，所述两条放电引线的末端相对间距0.03mm±0.01mm。2.根据权利要求1所述的VA型液晶防止多显的方法，其特征在于所述的放电引线的末夂而为尖角状。3.根据权利要求1所述的VA型液晶防止多显的方法，其特征在于所述的各个填充块为矩形块，矩形填充块的倒角为0.08mm±0.01mm。
【专利摘要】一种VA型液晶防止多显的方法，关键在于在所述VA型液晶显示器填充块的制作步骤，在显示器基板上设置多个的显示单元，各个显示单元内的各个相邻的填充块之间采用短接的方式进行一体的电连接，在其中两相邻块显示单元之间分别设有末端相对的放电引线,所述放电引线与最外端的填充块连接，所述放电引线延伸至填充区域外部，所述两条放电引线的末端相对间距0.03mm。本发明的填充块设计技术的VA型液晶显示器，采用增加填充块倒角直径使其边角放电的性能降低，并将项链填充进行短接及设置放点线的结构，形成不会增加工艺及生产成本，但可以提升产品成品良率、使用寿命更长、使用时的安全性保障，人机交互感更好。
【IPC分类】G02F1/13, G02F1/1333
【公开号】CN105068290
【申请号】CN201510466581
【发明人】林锐群, 冯锰, 陈志强, 曾文韬, 姚平武, 方培泓, 陈光普, 林新丰, 吴瑞欣
【申请人】汕头市锐科电子有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年7月30日