光源系统及发光设备的制作方法

1.本发明涉及照明技术领域，特别是涉及一种光源系统及发光设备。


背景技术：

2.在照明领域中，一般采用发光二极管(light emitting diode，led)作为系统的光源，现有技术中方形发光二极管的光利用率较低，如何进一步提高系统的光源的能量利用率已成为越来越重要的问题。


技术实现要素：

3.针对上述现有技术的光源系统光利用低的缺陷，本发明提供一种光源系统，其特征在于，包括：
4.发光二极管阵列，所述发光二极管阵列包括多个发光二极管芯片；
5.准直透镜组，所述准直透镜组位于发光二极管阵列出射光光路上，所述准直透镜组用于对所述发光二极管芯片出射的光束进行准直出射；
6.其中，所述发光二极管芯片的发光面形状为非矩形。
7.在一实施方式中，所述发光二极管的芯片发光面为五边形、六边形、八边形、十边形、圆形和椭圆形中的一种。
8.在一实施方式中，所述准直透镜组包括至少一个收集透镜，每个收集透镜至少对应一个发光二极管芯片，用于对发光二极管芯片出射的光束进行准直。
9.在一实施方式中，还包括复眼透镜，所述复眼透镜设置于所述准直透镜组的出射光光路上，所述复眼透镜包括多个可紧密排列的微透镜单元；
10.所述发光二极管芯片出射光束在所述一个微透镜单元表面内成像，或所述发光二极管芯片出射光束在所述一个微透镜单元表面成像切割所述微透镜单元。
11.在一实施方式中，所述微透镜单元为正六边形组成，所述发光二极管芯片出射光束在所述一个正六边形微透镜单元表面所成的像全部在一个所述微透镜单元内。
12.在一实施方式中，所述发光二极管芯片发出的光束在所述一个正六边形微透镜单元表面所成的像全部在所述一个正六边形微透镜单元内的所述发光二极管芯片数量在全部所述发光二极管芯片中的占比大于或等于30％。
13.在一实施方式中，还包括散射片，所述散射片设置于所述准直透镜组的出射光光路上，所述散射片用于对所述准直透镜出射的光束进行匀光。
14.在一实施方式中，所述准直透镜组包括一组收集透镜，所述收集透镜为非球面，使得所述发光二极管芯片中心和边缘光束经过所述收集透镜后远场光斑完全重合或部分重合。
15.在一实施方式中，还包括汇聚透镜和光阑，所述汇聚透镜设置于所述准直透镜组的出光光路上，所述汇聚透镜用于对经其所出射的光束进行收集、汇聚后引导至所述光阑。
16.第二方面，本发明实施例提供一种发光设备，发光设备包括上述任一实施例的光
源系统。
17.与现有技术相比，本发明包括如下有益效果：
18.本发明实施例提供的光源系统与发光设备，通过控制所述发光二极管芯片发光面的形状，使的发光二极管芯片出射光束在微透镜单元表面所成的像大部分位于所述微透镜单元内，从而减小了发光二极管芯片发出的光束经微透镜单元后在角分布上产生旁瓣的比例，降低了经汇聚透镜汇聚后经光阑时被拦截光的损失，从而有效地提高了光源系统的光利用率。
附图说明
19.图1是本发明实施例提供的光源系统的结构示意图。
20.图2是图1的光源系统的复眼透镜的结构示意图。
21.图3是图1的光源系统的单个发光二极管芯片发出光束的结构示意图。
22.图4是本发明的发光二极管芯片为五边形、六边形、八边形、十边形、圆形或椭圆形发光面的示意图。
23.图5是现有技术的发光二极管芯片为矩形发光面时在复眼透镜的像分布。
24.图6是现有技术的发光二极管芯片为矩形发光面时经复眼透镜后的光束能量分布图。
25.图7是本发明的发光二极管芯片为五边形发光面时在复眼透镜的像分布。
26.图8是本发明的发光二极管芯片为六边形发光面时在复眼透镜的像分布。
27.图9是本发明的发光二极管芯片为圆形发光面时在复眼透镜的像分布。
28.图10是本发明另一实施例提供的光源系统的结构示意图。
29.图11是本发明另一实施例提供的光源系统的结构示意图。
30.图12是本发明实施例提供的发光设备的结构示意图。
具体实施方式
31.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
32.一种光源系统，其特征在于，包括：
33.发光二极管阵列，所述发光二极管阵列包括多个发光二极管芯片；
34.准直透镜组，所述准直透镜组位于发光二极管阵列出射光光路上，所述准直透镜组用于对所述发光二极管芯片出射的光束进行准直出射；
35.其中，所述发光二极管芯片的发光面形状为非矩形。
36.下面结合具体实施例进行说明；
37.请参阅图1，本发明实施例提供一种光源系统100，光源系统100包括发光二极管(light emitting diode，led)阵列20，所述发光二极管20包括多个发光二极管芯片21；以及位于发光二极管阵列20出射光光路上的准直透镜组30，所述准直透镜组包括至少两个收集透镜，每个收集透镜至少对应一个发光二极管芯片21，用于对发光二极管芯片出射的光
束进行准直；复眼(compound eye)透镜10，所述复眼透镜10设置于准直透镜组的出射光光路上，所述复眼透镜10包括多个微透镜单元11，其中至少一所述发光二极管芯片20在所述微透镜单元11表面所成的像全部位于所述微透镜单元的表面内。
38.发光二极管20包括多个发光二极管芯片21，如图4所示，多个发光二极管芯片21的发光面213为五边形、六边形、八边形、十边形、圆形或椭圆形，每个发光二极管芯片21用于发出一个具有一定角分布的光束210，光束210在微透镜单元11表面成像。
39.如图2所示，复眼透镜10由多个微透镜单元11阵列排布形成，相邻的微透镜单元11之间相互紧密拼接，如此，能够避免光束210从每两个微透镜单元11之间的空隙出射而造成能量损耗，从而有助于提高光源系统100的能量利用率。
40.微透镜单元11为正六边等可紧密排列的形状组成，即复眼透镜是由多个正六边形微透镜单元11紧密拼接而成，后文表述的微透镜单元11指单一的微透镜单元，后文表述的微透镜单元表面指的是单一的微透镜单元设计面。发光二极管芯片21具有一发光面213，其中所述发光二极管芯片21的发光面213与微透镜单元的形状相同，可以理解的，在一实施方式中，所述发光二极管芯片21的发光面213也可以与微透镜单元11的形状不相同；由于发光二极管芯片21的发光面213具有一定的面积，发光二极管芯片21并非理想的质点光源，因而发光二极管芯片21发出的光束为面光源发出的具有一定角分布的光束；当发光二极管芯片21发出的光束在复眼透镜的微透镜单元11表面成像时，此时具有一定角分布的光束转换为面分布光束，面分布光束呈现出与发光二极管芯片21相同的形状。如此，发光二极管芯片21发光面的形状与微透镜单元11的形状相同，有利于发光二极管芯片21出射光束在所述复眼透镜的表面内成像，进而有利于光源系统的光利用率。也就是说，当发光二极管芯片的发光面与复眼透镜的微透镜单元形状相同时，更有利于发光二极管芯片发出的光全部成像在所述微透镜单元11的表面内，此时成像于所述微透镜表面内的光束通过汇聚透镜的聚焦可完全通过后续的光阑，因此提高光源系统的光利用率。
41.进一步，对于发光二极管芯片21发光面形状与微透镜单元11的形状不同时，发光二极管芯片21出射光在微透镜单元11表面的成像会切割微透镜单元11表面，即，发光二极管芯片21出射光的成像不会完全落在微透镜单元11的表面内，会有一部分成像在相邻的微透镜单元11上，此部分光束通过后续的汇聚透镜，无法通过光阑损失掉。
42.进一步，本实施例中，当发光二极管芯片21的发光面为五边形、六边形、八边形、十边形、圆形或椭圆形时，此时微透镜单元11的形状可以为无缝拼接的正六边形，此时的光损失较小；当发光二极管芯片21的发光面为五边形、六边形、八边形、十边形、圆形或椭圆形时，此时微透镜单元的形状可以为圆形，此时的光损失同样较小。
43.请结合图2，复眼透镜10包括两个微透镜单元11，微透镜单元11沿发光二极管芯片21发出光束210的光路方向间隔设置，其中该后微透镜单元11设置于该前微透镜单元11的焦点平面。具体来说，前微透镜单元11位于准直透镜与后微透镜单元11之间，后微透镜单元11位于前微透镜单元11和汇聚透镜之间，发光二极管芯片21发出的光束210分别经过两个微透镜单元11匀光，从而能够实现良好的均光效果，此时所述发光二极管芯片20在所述后微透镜单元11表面成像，其中所成的像位于所述后微透镜单元11的表面。
44.请参阅图1，多个发光二极管芯片21形成发光二极管阵列20，从而有利于光源系统100形成亮度较高的光斑，从而使得光源系统100可以应用于聚光灯、回光灯等舞台灯具。发
光二极管芯片21的数量小于或等于微透镜单元11的数量，多个发光二极管芯片21阵列设置。
45.发光二极管芯片21发出的光束210中，光源系统100可以通过设置准直透镜组30将光束210进行收集、汇聚、准直后引导至相应的微透镜单元11，如此，不仅能够减少光束210因传播至微透镜单元11外而造成的损耗，而且还能够使得光束210经准直透镜组30透射后的形状与发光二极管芯片21的发光面的形状基本相同，从而能够通过控制发光二极管芯片21的形状来形成所需的光束210的形状。
46.例如参阅图3，发光二极管芯片21的发光面为五边形、六边形、八边形、十边形、圆形或椭圆形，准直透镜组30设置于发光二极管芯片21和复眼透镜10之间，准直透镜组30可以由一个或多于一个的透镜组成，图3所示的准直透镜组30由两个透镜组成，发光二极管芯片21发出的光束210经准直透镜组30收集、汇聚、准直后引导至相应的微透镜单元11。对图3中发光二极管芯片21发出的具有一定角分布光束在经过准直透镜组30后转换成的面分布光束进行仿真分析后，此时面分布光束的能量分布和二极管芯片21的发光面形状相同。
47.发光二极管芯片21发出的光束210中，光束210在微透镜单元11表面所成的像可以仅在一个微透镜单元11表面内，也可以在两个或多于两个的微透镜单元11表面内。光束210在微透镜单元11表面所成的像全部位于一个微透镜子单元110的表面，此时成像于所述微透镜表面内的光束通过汇聚透镜的聚焦可完全通过后续的光阑，光源系统的光利用率高。
48.下面选取不同发光面的发光二极管芯片21，采用正六边形的微透镜单元11拼接的复眼透镜为例，分别说明不同形状的发光二极管芯片21在复眼透镜的微透镜单元11上的成像，如图5所示，现有技术的发光面为矩形的发光二极管芯片21在复眼透镜的微透镜单元11的像不完全分布在一个正六边形微透镜单元内，也就是说，发光二极管芯片21在微透镜子单元11表面所成的像会切割一个微透镜单元11，使得位于一个微透镜单元11内的像所代表的光束会被利用，而位于微透镜单元11外的部分像所代表的光束在经过复眼透镜后，会产生图6所示意的旁瓣，而旁瓣所包括的大部分光束能量被汇聚透镜后，由于孔径角过大，会被光阑挡住，进而降低光源系统的光利用率。
49.如图7所示，本技术实施例的发光二极管芯片21的发光面为五边形时，发光二极管芯片21的发光面在复眼透镜正六边形微透镜单元11上的像分布，虽然也是会切割单一微透镜单元11，使得一部分光束像位于相邻微透镜单元11上，但相较于矩形发光面的发光二极管芯片21，五边形发光面有更多的光束成像分布在单一的微透镜单元11内，光源系统的光利用率更高，后续会结合具体的实验数据进行分析。
50.如图8所示，本技术实施例的发光二极管芯片21的发光面为六边形时，发光二极管芯片21的发光面在复眼透镜正六边形微透镜单元11上的像分布，此时发光二极管芯片21出射光的像几乎完全落在单一微透镜单元11内，相较于矩形和五边形发光面的发光二极管芯片，六边形发光面有更多的像分布在单一微透镜单元110内，光源系统的光利用率更高，后续会结合具体的实验数据进行分析。
51.如图9所示，本技术实施例的发光二极管芯片21的发光面为圆形时，发光二极管芯片21的发光面在复眼透镜正六边形微透镜子单元110上的像分布，此时发光二极管芯片21出射光的像几乎完全落在单一微透镜单元110内，相较于矩形和五边形发光面的发光二极管芯片，圆形发光面有更多的像分布在微透镜子单元110内，光源系统的光利用率更高，后
续会结合具体的实验数据进行分析。
52.在一实施方式中，发光二极管芯片21出射光束的成像是完全落于所述单一的微透镜单元11内的，此时的发光二极管芯片出射光束全部被光源系统出射，光利用率最高，但由于发光二极管芯片阵列和微透镜阵列的非一一对应性，势必存在部分发光二极管芯片21出射光束的成像是切割微透镜单眼表面的。发明人通过不断的实验探索，发光二极管芯片21发出的光束在微透镜单元11表面所成的像完全在一个微透镜单元11内的发光二极管芯片21的数量在全部发光二极管芯片21中的占比大于或等于30％时，光源系统具有较高的光利用率。
53.在发光二极管芯片21的数量较多时，很难保证每个发光二极管芯片21发出的光束210在微透镜单元11表面所成的像完成在一个微透镜单元11内。经发明人研究后发现，当发光二极管芯片21发出的光束在微透镜单元11表面所成的像完全在一个微透镜单元11内的发光二极管芯片211的数量在全部发光二极管芯片21中的占比小于30％时，发光二极管芯片21发出的光束210经微透镜单元11后在角分布上产生的旁瓣较多，旁瓣占光束210总能量的能量比较高，导致光源系统100的光利用率较低；而当发光二极管芯片21发出的光束在微透镜单元11表面所成的像完全在一个微透镜单元11内的发光二极管芯片21的数量在全部发光二极管芯片21中的占比大于或等于30％时，减小了发光二极管芯片21发出的光束210经微透镜单元11后在角分布上产生旁瓣的比例，即减少了被光阑拦截损失光的比例，从而有效地提高了光源系统100的光利用率。其中，发光二极管芯片21发出的光束在微透镜单元11表面所成的像完全在一个微透镜单元11内的发光二极管芯片21的数量在全部发光二极管芯片21中的占比可以为35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％、90％、95％、98％等等。
54.表1是不同发光面的光利用率实验数据，各实验的光源系统均相同，采用图1所述的光源系统，包括准直透镜30、复眼透镜10、汇聚透镜40及光阑50，各实验的差异在于发光二极管芯片的发光面积不同，需要说明的是，无论采用何种发光面积和发光形状的发光二极管，单位面积的发光强度是不变的，那么按照常规理论，增加发光二极管的发光面积，光源系统的终端发光强度会更大，但经实验模拟，光源系统的发光强度并没有伴随发光二极管的发光面积线性增大，也就是说，光源系统终端的光强度并非与发光二极管的发光面积正相关，增加的发光二极管光强度并没有被光源系统所利用，此时的光源系统效率比(光利用率)很低。
55.分析实验之前，首先说明下什么是光源系统效率比，本实验的的光源系统效率比为，我们假定1.595mm*1.25mm矩形发光面的发光强度为a，其中a中有60％的能量被光源系统所利用，也就是说，光源系统终端输出的光能量为0.6a，此时我们归一化设定光源系统的效率比为100.00％，即在后续的实验检测中，以此矩形发光面芯片作为参考，来计算其它不同发光面芯片的光源系统效率比。
56.实验1为采用1.595mm*1.25mm的矩形发光面芯片，发光二极管芯片的发光面积为1.99平方毫米，归一化后的光源系统效率比为100.00％，
57.实验2为采用1.658mm*1.3mm矩形发光面芯片，发光二极管芯片的发光面积为2.15平方毫米，归一化后的光源系统效率比仍然为100.00％，可见单一增加发光二极管芯片的发光面积并不会提高光源系统的效率比，光源系统的光利用率较低，分析原因主要还是增
加的发光面积未成像在单一微透镜单元表面内，使得在后续的光处理中被拦截掉了。
58.实验3为采用直径1.7mm圆形发光面芯片，发光二极管芯片的发光面积为2.27平方毫米，归一化后的光源系统效率比为110.78％，可见圆形发光面的光源系统效率比更高，进而光源系统的光利用率更高，也就是说，发光二极管芯片发光面积相当的圆形发光面，有更多的光束成像在微透镜单元表面被利用。
59.实验4为采用内切圆直径1.55mm正六边形发光面芯片，发光二极管芯片的发光面积为2.08平方毫米，归一化后的光源系统效率比为109.80％，可见正六边形发光面的光源系统效率比更高，进而光源系统的光利用率更高，也就是说，发光二极管芯片发光面积相当的正六边形发光面，有更多的光束成像在微透镜单元表面被利用。
60.实验5为采用内切圆直径1.5mm正六边形发光面芯片，发光二极管芯片的发光面积为1.95平方毫米，归一化后的光源系统效率比为107.66％，可见正六边形发光面的光源系统效率比更高，进而光源系统的光利用率更高。且相较于实验4的正六边形发光面，发光面积的减小并不会引起光源系统效率比的显著下降。
61.实验6为采用内切圆直径1.6mm正六边形发光面芯片，发光二极管芯片的发光面积为2.22平方毫米，归一化后的光源系统效率比为110.45％，可见正六边形发光面的光源系统效率比更高，进而光源系统的光利用率更高。且相较于实验4的正六边形发光面，发光面积的增大并不会引起光源系统效率比的显著提升。
62.实验7为采用内切圆直径1.7mm正六边形发光面芯片，发光二极管芯片的发光面积为2.5平方毫米，归一化后的光源系统效率比为110.91％，可见正六边形发光面的光源系统效率比更高，进而光源系统的光利用率更高。且相较于实验6的正六边形发光面，发光面积的增大并不会引起光源系统效率比的显著提升。
63.综上实验分析，发光二极管芯片发光面的改变更能提升光源系统效率比，或者说当发光二极管芯片发光面的形状与复眼透镜的微透镜单元形状相匹配时，发光二极管在微透镜单元上的成像光束占比更大，即光束成像大部分位于单一微透镜单元内，经汇聚透镜聚焦后更能通过光阑，进而光源系统的光利用率高。
64.序号led芯片发光面规格发光面积(mm2)光源系统效率比实验11.595mm*1.25mm矩形发光面1.99100.00％实验21.658mm*1.3mm矩形发光面2.15100.00％实验3直径1.7mm圆形发光面2.27110.78％实验4内切圆直径1.55mm正六边形发光面2.08109.80％实验5内切圆直径1.5mm正六边形发光面1.95107.66％实验6内切圆直径1.6mm正六边形发光面2.22110.45％实验7内切圆直径1.7mm正六边形发光面2.5110.91％
65.请参阅图1，光源系统100还包括汇聚透镜40和光阑50，汇聚透镜40设置于复眼透镜10与光阑50之间，汇聚透镜40用于对从复眼透镜10出射的光束进行收集、汇聚后引导至光阑50的孔径51处并投射至光源系统100外。
66.请参考图10，本发明另一实施例提供一种光源系统200，光源系统200包括发光二极管(light emitting diode，led)阵列20，所述发光二极管20包括多个发光二极管芯片21；以及位于发光二极管阵列20出射光光路上的准直透镜组30，所述准直透镜组包括至少
两个收集透镜，每个收集透镜至少对应一个发光二极管芯片21，用于对发光二极管芯片出射的光束进行准直；散射片60，所述散射片60设置于准直透镜组的出射光光路上，所述散射片60用于对经其出射的光进行匀光，使得其具有更好的光斑均匀性。光源系统100还包括汇聚透镜40和光阑50，汇聚透镜40设置于散射片60与光阑50之间，汇聚透镜40用于对从散射片60出射的光束进行收集、汇聚后引导至光阑50的孔径51处并投射至光源系统100外。在一实施例中，所述散射片60为高斯散射片。
67.需要说明的是，在一实施例中，散射片也可以是单复眼透镜组，所述单复眼透镜组可以包括多个曲率半径不变的透镜单元，以出射均匀性较好的光斑分布，或包括多个曲率半径变化的透镜单元，以出射均匀性变化的光斑分布。
68.发光二极管20包括多个发光二极管芯片21，如图4所示，多个发光二极管芯片21的发光面213为五边形、六边形、八边形、十边形、圆形或椭圆形，每个发光二极管芯片21用于发出一个具有一定角分布的光束210，光束210经过散射片60匀光后出射至汇聚透镜40。
69.本实施例相较于采用复眼透镜匀光的方案，在光源系统输出光效不变的情况成本更低。现有技术的矩形发光面芯片需搭配匀光效果较强的复眼透镜，方可实现出射光圆光斑的转换以用于终端产品，但复眼透镜的价格较高，不具有成本化优势。本实施例的发光二极管芯片采用五边形、六边形、八边形、十边形、圆形或椭圆形发光面，发光二极管芯片自身出射光的光斑较矩形发光面有改善，使得在搭配常规的散射片的情况，光源系统已经可以出射高品质的光斑，也就是说，由于发光二极管芯片发光面的改善，进一步减小了对匀光器件的要求，使得在保障光源系统的光效品质的同时，成本下降。
70.请参考图11，本发明另一实施例提供一种光源系统300，光源系统300包括发光二极管(light emitting diode，led)阵列20，所述发光二极管20包括多个发光二极管芯片21；以及位于发光二极管阵列20出射光光路上的准直透镜组30，所述准直透镜组至少对应一个发光二极管芯片21，用于对发光二极管芯片出射的光束进行准直；光源系统100还包括汇聚透镜40和光阑50，汇聚透镜40设置于准直透镜组出射光光路上，汇聚透镜40用于对从准直透镜组30出射的光束进行收集、汇聚后引导至光阑50的孔径51处并投射至光源系统100外。
71.发光二极管20包括多个发光二极管芯片21，多个发光二极管芯片21的发光面213为五边形、六边形、八边形、十边形、圆形或椭圆形，每个发光二极管芯片21用于发出一个具有一定角分布的光束210，光束210经过准直透镜30准直后出射至汇聚透镜40。
72.本实施例相较于传统方案，本实施例的发光二极管芯片采用五边形、六边形、八边形、十边形、圆形或椭圆形发光面，发光二极管芯片自身出射光的光斑较矩形发光面有改善，使得在不需要搭配任何匀光器件的情况，光源系统已经可以出射高品质的光斑，也就是说，由于发光二极管芯片发光面的改善，进一步减小了对匀光器件的要求，使得在保障光源系统的光效品质的同时，成本下降。
73.进一步，在一实施例中，准直透镜组包括一组收集透镜，收集透镜为特殊设计的非球面，设计效果为柯拉照明，即发光二极管芯片中心和边缘视场的光束经过收集透镜后远场光斑完全重合或部分重合，本实施例通过设计特殊的非球面收集透镜，使得经汇聚透镜40汇聚的光束在光阑50处的光斑均匀性更好，
74.一般而言，柯拉照明光学系统由两片透镜构成，通过配置为，当前段透镜将光聚集
而将聚焦面照明时，前段透镜不是将光源像成像在对象面上，而是将光源像成像在后段透镜中央的面上，后段透镜将前段透镜的外形的四边形成像在对象面(想要照明的面)上，将对象面均匀地照明。相较于现有技术，本实施例不仅可以解决光利用低的问题，还可以解决光源系统中心与边缘颜色不均匀的问题。
75.请参阅图12，本发明实施例提供一种发光设备500，发光设备200包括上述任一实施例的光源系统。
76.具体地，发光设备500可以为聚光灯、回光灯、影院投影机、工程投影机、微型投影机、教育投影机、拼墙投影机、激光电视等等。发光设备500还包括壳体201，光源系统设置于壳体201内，壳体201能够保护光源系统，避免光源系统直接受到外界环境的碰撞。
77.本发明实施例提供的发光设备500通过控制发光二极管芯片发光面的形状，使得出射光束在微透镜单元表面所成像尽可能位于微透镜单元内，从而减小了发光二极管芯片21发出的光束经微透镜单元11后在角分布上产生的比例，降低了经汇聚透镜处理后的光的损失，从而有效地提高了光源系统的光利用率。
78.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
79.以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。