一种气体分配盘部件的T型槽的加工方法与流程

一种气体分配盘部件的t型槽的加工方法
技术领域
1.本发明属于半导体制造技术领域，涉及气体分配盘部件的加工，尤其涉及一种气体分配盘部件的t型槽的加工方法。


背景技术：

2.在半导体制造中常用到化学气相沉积技术，是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。在化学气相沉积过程中，晶圆在气体分配盘的下方，气体分配盘需保证良好的通气性能，从而保证沉积过程的稳定性，但有些小孔位置在t型槽内部，使得加工难度增加，降低了工程效率，容易造成产品失效。
3.cn103614706a公开了一种带氧化钇涂层的高耐腐蚀性气体分配器的生产工艺，对需加工的零件，根据设计图纸，加工步骤如下：a.留余量多次精加工来保证零件形位公差；b.通过可调节的膨胀销来定位，以保证小孔位置精度；c.通过随机钻孔来保证1009个气孔均匀性；d.机加工序与表面处理工序的合理安排，减少加工及表面处理难度；e.定制非标刀具来加工特定槽；f.出气面喷砂处理，粗糙度达到ra5～7；g.零件整体覆盖氧化铝，膜厚0.05～0.07mm；h.出气面喷涂氧化钇，粗糙度达到ra6～8。
4.cn108179261a公开了一种薄壁气体分配器的热校平工艺，其中薄壁气体分配器的加工和处理包括：按图纸要求对薄壁气体分配器进行机械加工，确保薄壁气体分配器的平面度和平行度都≤0.10mm，以及小孔的孔径均匀；所述的处理，对加工后的薄壁气体分配器进行打磨和清洗，去除机加工痕迹。
5.cn108000059a公开了一种卧式车床拉杆部件加工方法，包括步骤一：锯削毛坯棒料；步骤二：毛坯棒料外圆粗车加工，单面尺寸放量为3mm，外螺纹的台阶根部车成r5圆角；步骤三：毛坯棒料进行热处理至毛坯棒料的洛氏硬度为31hrc～35hrc，步骤四：利用卧式车床对拉杆坯料的端面车准、m24螺纹车准和倒角车准；步骤五：利用定位工具对铣刀与拉杆部件定位铣削键槽；步骤六：最后进行棱边倒钝。


技术实现要素：

6.针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种气体分配盘部件的t型槽的加工方法，采用特定结构的铣切刀具，解决了半导体机台的气体分配盘部件内“t”型槽的加工问题，操作简单，稳定性高，提高了加工效率。
7.为达此目的，本发明采用以下技术方案：
8.本发明提供了一种气体分配盘部件的t型槽的加工方法，所述的加工方法包括依次进行的第一铣切与第二铣切；
9.所述的第一铣切为采用铣刀在气体分配盘部件表面加工形成凹槽；
10.所述的第二铣切为采用“t”型刀在所述的凹槽内加工形成“t”型槽；
11.所述的第一铣切与第二铣切分别独立地在卧式加工车床内进行加工。
12.本发明提供的气体分配盘部件的t型槽的加工方法中，采用特定结构的铣切刀具，通过第一铣切与第二铣切的两步工艺，采用第一铣切去除“t”型槽加工前余量，使t型刀能下降到槽底，解决了半导体机台的气体分配盘部件内“t”型槽的加工问题，操作简单，稳定性高，在卧式加工车床内进行操作，对形状较复杂，精度要求高的单件加工或中小批量多品种生产更为适用，提高了加工效率。
13.作为本发明一个优选技术方案，所述第一铣切的主轴转速为6300～6700r/min，例如可以是6300r/min、6350r/min、6380r/min、6400r/min、6450r/min、6500r/min、6550r/min、6580r/min、6600r/min、6650r/min或6700r/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为6400-6600r/min。
14.优选地，所述第一铣切的进给量为4500～6300mm/min，例如可以是4500mm/min、4600mm/min、4800mm/min、5000mm/min、5200mm/min、5500mm/min、5700mm/min、5800mm/min、6000mm/min、6100mm/min、6300mm/min或6300mm/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
15.优选地，在所述第一铣切中，所述铣刀的削铣深度每次为0.33～0.52mm，例如可以是0.33mm、0.34mm、0.35mm、0.37mm、0.38mm、0.40mm、0.42mm、0.45mm、0.48mm、0.50mm或0.52mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
16.优选地，所述铣刀的外表面设置有螺纹。
17.作为本发明一个优选技术方案，所述第二铣切的主轴转速为2700～4200r/min，例如可以是2700r/min、2750r/min、2800r/min、2900r/min、3000r/min、3200r/min、3500r/min、3600r/min、3800r/min、3900r/min、4000r/min、4100r/min或4200r/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
18.优选地，所述第二铣切的进给量为860～1200mm/min，例如可以是860mm/min、880mm/min、900mm/min、920mm/min、950mm/min、1000mm/min、1100mm/min、1150mm/min、1180mm/min或1200mm/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
19.优选地，在所述第二铣切中，所述“t”型刀的削铣深度每次为0.06～0.17mm，例如可以是0.06mm、0.07mm、0.08mm、0.09mm、0.10mm、0.11mm、0.12mm、0.13mm、0.14mm、0.15mm、0.16mm或0.17mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
20.作为本发明一个优选技术方案，所述凹槽的直径为258～283mm，例如可以是258mm、260mm、265mm、268mm、270mm、272mm、275mm、278mm、280mm、282mm或283mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
21.优选地，所述凹槽的深度为24.7～28.8mm，例如可以是24.7mm、24.8mm、25.0mm、25.5mm、25.7mm、26.0mm、26.2mm、26.3mm、26.7mm、27.0mm、27.5mm、27.8mm、28.0mm、28.5mm或28.8mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
22.优选地，所述“t”型槽的直径为268～292mm，例如可以是268mm、270mm、272mm、275mm、278mm、280mm、284mm、285mm、288mm、290mm或292mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
23.作为本发明一个优选技术方案，所述的“t”型刀包括固定连接的第一端部与第二端部，在第二铣切过程中，所述第一端部伸入所述的凹槽内进行加工。
24.优选地，所述的第一端部包括第一表面与第二表面，在第二铣切过程中，所述的第一表面紧贴所述凹槽的底部表面，所述的第二表面紧贴所述凹槽的侧壁进行加工。
25.优选地，所述“t”型刀的高度为60～64mm，例如可以是60mm、61mm、62mm、63mm或64mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
26.作为本发明一个优选技术方案，所述的第一端部设置有倒角，所述倒角的半径为1.2～1.6mm，例如可以是1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm或1.6mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
27.优选地，所述第一端部的直径为25～36mm，例如可以是25mm、26mm、28mm、30mm、32mm、34mm、35mm或36mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
28.优选地，所述第一端部的高度为11～14mm，例如可以是11.0mm、11.5mm、11.7mm、12.0mm、12.5mm、12.7mm、13.0mm、13.2mm、13.6mm或14.0mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
29.优选地，所述第二端部的直径为10～14mm，例如可以是10.0mm、10.5mm、11.0mm、11.5mm、11.7mm、12.0mm、12.5mm、12.7mm、13.0mm、13.2mm、13.6mm或14.0mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
30.作为本发明一个优选技术方案，所述的加工方法还包括：结束所述的第二铣切后，在所述“t”型槽的表面进行第三铣切。
31.优选地，所述的第三铣切采用“t”型刀进行加工。
32.优选地，所述第三铣切的主轴转速为2700～4200r/min，例如可以是2700r/min、2750r/min、2800r/min、2900r/min、3000r/min、3200r/min、3500r/min、3600r/min、3800r/min、3900r/min、4000r/min、4100r/min或4200r/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
33.优选地，所述第三铣切的进给量为480～600mm/min，例如可以是480mm/min、485mm/min、490mm/min、500mm/min、520mm/min、550mm/min、580mm/min或600mm/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
34.优选地，在所述第三铣切中，所述“t”型刀的削铣深度每次为0.06～0.17mm，例如可以是0.06mm、0.07mm、0.08mm、0.09mm、0.10mm、0.11mm、0.12mm、0.13mm、0.14mm、0.15mm、0.16mm或0.17mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
35.需要说明的是，本发明通过设置第三铣切，调整其进给量，能够达到精修“t”型槽侧面的效果，使得槽面光滑，提高产品质量。
36.作为本发明一个优选技术方案，所述的卧式加工车床内的加工主轴呈水平设置。
37.需要说明的是，数控加工中心是由机械设备与数控系统组成的适用于加工复杂零件的高效率自动化机床。它的综合加工能力较强，工件进行一次装夹后，能够完成多个加工内容，加工精度较高，就中等加工难度的批量工件，其效率是普通设备的5～10倍。卧式加工中心的主轴在空间处于水平状态，可以稳定地生产出满足使用要求的半导体机台部件气体分配盘部件t型槽。
38.作为本发明一个优选技术方案，所述的加工方法包括：在所述第一铣切与第二铣切之间进行至少一次抛光处理。
39.优选地，所述的加工方法还包括：在结束所述第三铣切后，对气体分配盘部件的表面进行粗糙化处理。
40.作为本发明一个优选技术方案，所述的加工方法具体包括以下步骤：
41.(ⅰ)将待加工的气体分配盘部件固定于卧式加工车床内，采用铣刀在气体分配盘部件的表面进行第一铣切形成凹槽，其中，第一铣切的主轴转速为6300～6700r/min，第一铣切的进给量为4500～6300mm/min，所述铣刀的削铣深度每次为0.33～0.52mm；
42.(ⅱ)结束第一铣切后，对气体分配盘部件进行至少一次的抛光处理；
43.(ⅲ)将“t”型刀的第一端部的第一表面紧贴步骤(ⅰ)的凹槽的底部表面，第二表面紧贴凹槽的侧壁表面进行第二铣切，其中第二铣切的主轴转速为2700～4200r/min，第二铣切的进给量为860～1200mm/min，所述“t”型刀的削铣深度每次为0.06～0.17mm；
44.(ⅳ)结束步骤(ⅲ)中的第二铣切后，采用“t”型刀进行第三铣切，其中第三铣切的主轴转速为2700～4200r/min，第三铣切的进给量为480～600mm/min，“t”型刀的削铣深度每次为0.06～0.17mm，随后进行粗糙化处理，完成加工。
45.本发明所述的数值范围不仅包括上述例举的点值，还包括没有例举出的上述数值范围之间的任意的点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
46.与现有技术相比，本发明的有益效果为：
47.本发明提供的一种气体分配盘部件的t型槽的加工方法中，采用特定结构的铣切刀具，通过第一铣切与第二铣切的两步工艺，操作简单，稳定性高，在卧式加工车床内进行操作，对形状较复杂，精度要求高的单件加工或中小批量多品种生产更为适用，提高了加工效率，可以稳定地生产出满足使用要求的半导体机台部件气体分配盘部件t型槽。
附图说明
48.图1为本发明实施例1提供的气体分配盘部件的结构示意图；
49.图2为本发明实施例1提供的“t”型刀的结构示意图。
50.其中，1-气体分配盘部件；2
‑“
t”型槽；3-第一端部；4-第二端部；5-第二表面；6-第一表面。
具体实施方式
51.需要理解的是，在本发明的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
52.需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以
是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
53.下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
54.在一个具体实施方式中，本发明提供了一种气体分配盘部件的t型槽加工方法，所述的加工方法具体包括以下步骤：
55.(1)将待加工的气体分配盘部件1固定于卧式加工车床内，采用铣刀在气体分配盘部件1的表面进行第一铣切形成凹槽，其中，第一铣切的主轴转速为6300～6700r/min，第一铣切的进给量为4500～6300mm/min，所述铣刀的削铣深度每次为0.33～0.52mm；
56.(2)结束第一铣切后，对气体分配盘部件1进行至少一次的抛光处理；
57.(3)将“t”型刀的第一端部3的第一表面6紧贴步骤(1)的凹槽的底部表面，第二表面5紧贴凹槽的侧壁表面进行第二铣切，其中第二铣切的主轴转速为2700～4200r/min，第二铣切的进给量为860～1200mm/min，所述“t”型刀的削铣深度每次为0.06～0.17mm；
58.(4)结束步骤(3)中的第二铣切后，采用“t”型刀进行第三铣切，其中第三铣切的主轴转速为2700～4200r/min，第三铣切的进给量为480～600mm/min，“t”型刀的削铣深度每次为0.06～0.17mm，随后进行粗糙化处理，完成加工。
59.实施例1
60.本实施例提供了一种气体分配盘部件1，如图1所示，其内圆处设置有直径为284mm，深度为26.3mm的“t”型槽2，所述“t”型槽2的加工方法如下所述：
61.(1)将待加工的气体分配盘部件1固定于卧式加工车床内，采用铣刀在气体分配盘部件1的表面进行第一铣切，形成直径为267mm的凹槽，其中，第一铣切的主轴转速为6500r/min，第一铣切的进给量为5000mm/min，铣刀的削铣深度每次为0.4mm；
62.(2)结束第一铣切后，对气体分配盘部件1进行一次的抛光处理；
63.(3)采用将“t”型刀的第一端部3的第一表面6紧贴步骤(1)的凹槽的底部表面，第二表面5紧贴凹槽的侧壁表面进行第二铣切，其中第二铣切的主轴转速为3500r/min，第二铣切的进给量为1000mm/min，“t”型刀的削铣深度每次为0.1mm；
64.(4)结束步骤(3)中的第二铣切后，采用“t”型刀进行第三铣切，“t”型刀的削铣深度每次为0.1mm，第三铣切的主轴转速为3500r/min，第三铣切的进给量为500mm/min，随后进行粗糙化处理，完成加工。
65.其中，第一铣切过程中采用的铣刀为d8铣刀，第二铣切过程中采用如图2所示的“t”型刀，其高度为62mm，第一端部3的直径为32mm，高度为12.7mm，第二端部4的直径为12mm，第一端部3设置有倒角，倒角的半径为1.5mm。
66.采用本实施例提供的加工方法进行多个气体分配盘部件1的加工，加工后的产品合格率为99％，采用三点法测量“t”型槽2表面的平面度，得到平面度低于0.006mm。
67.其中，三远点法包括：以“t”型槽2相距最远的三个点建立的平面作为评定基准，然后在“t”型槽2表面上均匀线布点，以各测点对此评定基准的偏离值中的最大偏离值与最小偏离值之差作为平面度误差值。
68.实施例2
69.本实施例提供了一种气体分配盘部件1，其内圆处设置有直径为268mm，深度为
24.8mm的“t”型槽2，所述“t”型槽2的加工方法如下所述：
70.(1)将待加工的气体分配盘部件1固定于卧式加工车床内，采用铣刀在气体分配盘部件1的表面进行第一铣切，形成直径为258mm的凹槽，其中，第一铣切的主轴转速为6300r/min，第一铣切的进给量为4500mm/min，铣刀的削铣深度每次为0.35mm；
71.(2)结束第一铣切后，对气体分配盘部件1进行两次的抛光处理；
72.(3)采用将“t”型刀的第一端部3的第一表面6紧贴步骤(1)的凹槽的底部表面，第二表面5紧贴凹槽的侧壁表面进行第二铣切，其中第二铣切的主轴转速为2800r/min，第二铣切的进给量为860mm/min，“t”型刀的削铣深度每次为0.06mm；
73.(4)结束步骤(3)中的第二铣切后，采用“t”型刀进行第三铣切，“t”型刀的削铣深度每次为0.06mm，第三铣切的主轴转速为2800r/min，第三铣切的进给量为480mm/min，随后进行粗糙化处理，完成加工。
74.其中，第一铣切过程中采用的铣刀为d8铣刀，第二铣切过程中采用的“t”型刀的高度为60mm，第一端部3的直径为28mm，高度为11.5mm，第二端部4的直径为10mm，第一端部3设置有倒角，倒角的半径为1.2mm。
75.采用本实施例提供的加工方法进行多个气体分配盘部件1的加工，加工后的产品合格率为98.7％，采用实施例1中的三点法测量“t”型槽2表面的平面度，得到平面度低于0.008mm。
76.实施例3
77.本实施例提供了一种气体分配盘部件1，其内圆处设置有直径为275mm，深度为25.6mm的“t”型槽2，所述“t”型槽2的加工方法如下所述：
78.(1)将待加工的气体分配盘部件1固定于卧式加工车床内，采用铣刀在气体分配盘部件1的表面进行第一铣切，形成直径为263mm的凹槽，其中，第一铣切的主轴转速为6400r/min，第一铣切的进给量为4800mm/min，铣刀的削铣深度每次为0.38mm；
79.(2)结束第一铣切后，对气体分配盘部件1进行一次的抛光处理；
80.(3)采用将“t”型刀的第一端部3的第一表面6紧贴步骤(1)的凹槽的底部表面，第二表面5紧贴凹槽的侧壁表面进行第二铣切，其中第二铣切的主轴转速为3000r/min，第二铣切的进给量为950mm/min，“t”型刀的削铣深度每次为0.08mm；
81.(4)结束步骤(3)中的第二铣切后，采用“t”型刀进行第三铣切，“t”型刀的削铣深度每次为0.08mm，第三铣切的主轴转速为3000r/min，第三铣切的进给量为480mm/min，随后进行粗糙化处理，完成加工。
82.其中，第一铣切过程中采用的铣刀为d8铣刀，第二铣切过程中采用的“t”型刀的高度为62mm，第一端部3的直径为30mm，高度为12.2mm，第二端部4的直径为10mm，第一端部3设置有倒角，倒角的半径为1.4mm。
83.采用本实施例提供的加工方法进行多个气体分配盘部件1的加工，加工后的产品合格率为97.2％，采用实施例1中的三点法测量“t”型槽2表面的平面度，得到平面度低于0.008mm。
84.实施例4
85.本实施例提供了一种气体分配盘部件1，其内圆处设置有直径为288mm，深度为27.2mm的“t”型槽2，所述“t”型槽2的加工方法如下所述：
86.(1)将待加工的气体分配盘部件1固定于卧式加工车床内，采用铣刀在气体分配盘部件1的表面进行第一铣切，形成直径为279mm的凹槽，其中，第一铣切的主轴转速为6500r/min，第一铣切的进给量为6000mm/min，铣刀的削铣深度每次为0.45mm；
87.(2)结束第一铣切后，对气体分配盘部件1进行两次的抛光处理；
88.(3)采用将“t”型刀的第一端部3的第一表面6紧贴步骤(1)的凹槽的底部表面，第二表面5紧贴凹槽的侧壁表面进行第二铣切，其中第二铣切的主轴转速为3800r/min，第二铣切的进给量为1100mm/min，“t”型刀的削铣深度每次为0.14mm；
89.(4)结束步骤(3)中的第二铣切后，采用“t”型刀进行第三铣切，“t”型刀的削铣深度每次为0.14mm，第三铣切的主轴转速为3800r/min，第三铣切的进给量为550mm/min，随后进行粗糙化处理，完成加工。
90.其中，第一铣切过程中采用的铣刀为d8铣刀，第二铣切过程中采用的“t”型刀的高度为63mm，第一端部3的直径为32mm，高度为13mm，第二端部4的直径为12mm，第一端部3设置有倒角，倒角的半径为1.5mm。
91.采用本实施例提供的加工方法进行多个气体分配盘部件1的加工，加工后的产品合格率为98.1％，采用实施例1中的三点法测量“t”型槽2表面的平面度，得到平面度低于0.007mm。
92.实施例5
93.本实施例提供了一种气体分配盘部件1，其内圆处设置有直径为290mm，深度为28.6mm的“t”型槽2，所述“t”型槽2的加工方法如下所述：
94.(1)将待加工的气体分配盘部件1固定于卧式加工车床内，采用铣刀在气体分配盘部件1的表面进行第一铣切，形成直径为282mm的凹槽，其中，第一铣切的主轴转速为6700r/min，第一铣切的进给量为6250mm/min，铣刀的削铣深度每次为0.5mm；
95.(2)结束第一铣切后，对气体分配盘部件1进行两次的抛光处理；
96.(3)采用将“t”型刀的第一端部3的第一表面6紧贴步骤(1)的凹槽的底部表面，第二表面5紧贴凹槽的侧壁表面进行第二铣切，其中第二铣切的主轴转速为4200r/min，第二铣切的进给量为1200mm/min“t”型刀的削铣深度每次为0.17mm；
97.(4)结束步骤(3)中的第二铣切后，采用“t”型刀进行第三铣切，“t”型刀的削铣深度每次为0.17mm，第三铣切的主轴转速为4200r/min，第三铣切的进给量为600mm/min，随后进行粗糙化处理，完成加工。
98.其中，第一铣切过程中采用的铣刀为d8铣刀，第二铣切过程中采用的“t”型刀的高度为66mm，第一端部3的直径为36mm，高度为14mm，第二端部4的直径为14mm，第一端部3设置有倒角，倒角的半径为1.6mm。
99.采用本实施例提供的加工方法进行多个气体分配盘部件1的加工，加工后的产品合格率为98.9％，采用实施例1中的三点法测量“t”型槽2表面的平面度，得到平面度低于0.007mm。
100.实施例6
101.本实施例提供了一种气体分配盘部件1，其内圆处设置有直径为284mm，深度为26.3mm的“t”型槽2，与实施例1的区别在于：在“t”型槽2的加工过程中，步骤(3)的第二铣切的主轴转速为2400r/min，其余操作条件和工艺参数与实施例1完全相同。
102.采用本实施例提供的加工方法进行多个气体分配盘部件1的加工，加工后的产品合格率为78.2％，采用实施例1中的三点法测量“t”型槽2表面的平面度，得到平面度为0.01mm。
103.实施例7
104.本实施例提供了一种气体分配盘部件1，其内圆处设置有直径为284mm，深度为26.3mm的“t”型槽2，与实施例1的区别在于：在“t”型槽2的加工过程中，步骤(3)的第二铣切的进给量为800mm/min，其余操作条件和工艺参数与实施例1完全相同。
105.采用本实施例提供的加工方法进行多个气体分配盘部件1的加工，加工后的产品合格率为88.2％，采用实施例1中的三点法测量“t”型槽2表面的平面度，得到平面度为0.011mm。
106.实施例8
107.本实施例提供了一种气体分配盘部件1，其内圆处设置有直径为284mm，深度为26.3mm的“t”型槽2，与实施例1的区别在于：在“t”型槽2的加工过程中，未设置第三铣切过程，其余操作条件和工艺参数与实施例1完全相同。
108.采用本实施例提供的加工方法进行多个气体分配盘部件1的加工，加工后的产品合格率为77.3％，采用实施例1中的三点法测量“t”型槽2表面的平面度，得到平面度为0.015mm。
109.由实施例1～5可知，采用本发明提供的加工方法得到的气体分配盘部件1的“t”型槽2，产品合格率高，外观结构完整，且表面平整，加工过程稳定，且效率较高。相比于实施例1，实施例6中得到的气体分配盘部件1产品的合格率较低，这主要是由于第二铣切的主轴转速较低，导致加工精度较差，无法达到预期标准；相比于实施例1，实施例7中得到的气体分配盘部件1产品的合格率下降，且产品平面度提高，这主要是由于加工过程中，第二铣切的进给量过低，存在振刀的现象，导致产品表面不平整，无法达到标准精度要求，降低了产品的质量。对比实施例1与实施例8可知，加工过程中，未进行第三铣切，“t”型槽2的侧面无法得到有效地精修，导致产品的表面粗糙，降低了产品的合格率。
110.申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。