高稳定性导线器的制造方法

文档序号:10451274阅读:261来源:国知局
高稳定性导线器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种导线器,尤其涉及一种焊线不会滑出线槽的高稳定性导线器。
【背景技术】
[0002]导线器是芯片封装中的一个重要耗材,与芯片焊点的质量、焊点位置的精确度、线弧的稳定性和使用寿命等都息息相关。
[0003]导线器的线槽设于导线器的前段,线槽的后端与设于导线器中段的过线段相通,过线段为一段斜向的开口槽,使用时,焊线从过线段被导入线槽。
[0004]传统导线器的线槽的截面为“U”形,焊线(即铝线)在穿过线槽后与芯片接触,由于线槽的前段为侧面开口结构,所以在芯片焊接中,焊线有滑出线槽的风险,也可能因偏心导致焊接质量不稳定。
[0005]另外,在应用时,导线器需要与焊线头配合使用,现有的导线器的前段远离焊线头的一侧为直线段,在焊接过程中可能会戳伤芯片或戳到芯片外框架,并残留碎肩于芯片内,对芯片质量造成不可逆的影响。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种导线器前端不会戳伤芯片且不会滑出线槽的高稳定性导线器。
[0007]本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:
[0008]—种高稳定性导线器,其前段为线槽段,所述线槽段内设有线槽,所述线槽的后端与设于所述高稳定性导线器中段的过线段相通,所述线槽的径向截面为封闭的“O”形。
[0009]进一步,所述高稳定性导线器的线槽段上远离配合使用的焊线头的一侧设有缺
□ O
[0010]本实用新型的有益效果在于:
[0011]本实用新型通过将线槽的径向截面设计为“O”形,在芯片焊接过程中焊线不会偏心也不会滑出线槽,提高了焊接质量;通过在导线器的线槽段设计缺口,使导线器在焊接时不会损伤芯片表面或芯片框架,提高了芯片质量,而且该缺口为局部结构,不会降低导线器强度,不会影响导线器寿命。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型所述高稳定性导线器的立体图之一,图中能够看见过线段;
[0013]图2是本实用新型所述高稳定性导线器的立体图之二,与图1视角相反;
[0014]图3是本实用新型所述高稳定性导线器与焊线头配合使用时的前段局部放大立体图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
[0016]如图1、图2和图3所示,本实用新型所述高稳定性导线器I的前段为线槽段4,线槽段4内设有线槽3,线槽3的后端与设于高稳定性导线器I中段的过线段2相通,线槽3的径向截面为封闭的“O”形;高稳定性导线器I的线槽段4上远离配合使用的焊线头7的一侧设有缺口 5。为了便于确定高稳定性导线器I与焊线头7之间的距离,高稳定性导线器I的线槽段4上靠近焊线头7的一侧还设有凸台6,凸台6可以与高稳定性导线器I 一体成型。
[0017]如图1、图2和图3所示,使用时,焊线从过线段2穿入并导入线槽3内,在线槽3内,焊线呗导向且只能从线槽3的前端端口伸出,所以在芯片焊接过程中焊线不会偏心也不会滑出线槽3,提高了焊接质量;由于在线槽段4设计有缺口5,所以高稳定性导线器I在焊接时不会损伤芯片表面或芯片框架,提高了芯片质量。
[0018]另外,安装焊线头7时,将焊线头7的前段紧靠在凸台6的顶部,无论安装多少次,焊线头7与凸台6之间的间距都是确定的,所以焊线头7与高稳定性导线器I之间的间距都是确定的,该间距具体为多少,则根据焊接质量要求确定,这样既便于安装,又能实现安装的准确性。由于每次安装都不会发生变化,所以靠机械结构本身保持了焊线头7与高稳定性导线器I之间间距的一致性,既便于准确、快速安装,又因为确保了间距一致而保证了芯片的焊接质量和稳定性,线弧也能够保持一致性。
[0019]上述实施例只是本实用新型的较佳实施例,并不是对本实用新型技术方案的限制,只要是不经过创造性劳动即可在上述实施例的基础上实现的技术方案,均应视为落入本实用新型专利的权利保护范围内。
【主权项】
1.一种高稳定性导线器,其前段为线槽段,所述线槽段内设有线槽,所述线槽的后端与设于所述高稳定性导线器中段的过线段相通,其特征在于:所述线槽的径向截面为封闭的“O” 形。2.根据权利要求1所述的高稳定性导线器,其特征在于:所述高稳定性导线器的线槽段上远离配合使用的焊线头的一侧设有缺口。
【专利摘要】本实用新型公开了一种高稳定性导线器,其前段为线槽段,所述线槽段内设有线槽,所述线槽的后端与设于所述高稳定性导线器中段的过线段相通,所述线槽的径向截面为封闭的“O”形。本实用新型通过将线槽的径向截面设计为“O”形,在芯片焊接过程中焊线不会偏心也不会滑出线槽,提高了焊接质量。
【IPC分类】H01L21/60, B23K37/00
【公开号】CN205363060
【申请号】CN201620106734
【发明人】张旭
【申请人】成都冶恒电子有限公司
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2016年2月2日
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