专利名称：一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体材料抛光装置领域，具体涉及一种应用于双面抛光机上的双镶嵌层无蜡研磨抛光模板。
背景技术：
在半导体材料的加工过程中，硅片、蓝宝石和砷化镓作为常用半导体器件、集成电路的基础材料，经常需要对其进行抛光处理，而抛光技术的好坏将直接影响到硅片、蓝宝石和砷化镓表面的质量，半导体器件的性能，传统的抛光技术主要有两种有蜡抛光和无蜡抛光，有蜡技术是将硅片、蓝宝石或者是砷化镓粘结固定于陶瓷盘的平板上，抛光时抛光头带动陶瓷盘在抛光布上转动，在机械压力和抛光液体的作用下实现抛光目的，实践发现，这种有蜡抛光存在蜡污染，抛光精度低的缺陷，随着电子技术的迅速发展，以及大规模集成电路的集成化程度越来越高，人们对半导体器件的要求也愈加严格，因此无蜡抛光的优势逐渐得以体现，现有的无蜡抛光技术，中国专利CN87202507中涉及到一种无蜡抛光垫，在长期的使用过程发现这种无蜡抛光垫存在如下的缺陷一、由于这种无蜡抛光垫为单镶嵌层， 因此其抛光效率低，无法满足大工业化生产的需求；二、抛光垫的吸附层极易出现磨损，当吸附层出现磨损时必须更换整个抛光垫，因此更换成本比较高；三、抛光处理后硅片的厚度偏差(TTV)较大，无法满足高标准技术需求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是对现有无蜡抛光垫进行改进，提出一种加工效率高、 使用寿命长、节约成本的双镶嵌层无蜡研磨抛光模板。为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，其特征在于所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板是由五个圆柱状的层状物组成的复合结构，所述复合结构由上到下依次为第一层是上镶嵌层，所述上镶嵌层上设有至少一个置片孔；第二层是上粘接层；第三层是衬底层；第四层是下粘接层；第五层是下镶嵌层，所述下镶嵌层上设有至少一个置片孔，所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板设有渗透抛光液用的导流孔，所述导流孔的直径范围是O. Imm 50mm。作为优选方案，本发明还采用了如下技术特征所述置片孔内设有吸附垫。所述置片孔的形状与待研磨抛光材料的外形相匹配。所述第一层、第三层和第五层的圆柱外壁均设有锯齿结构。所述第一层、第三层和第五层的至少一个圆柱外壁设有锯齿结构。所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的材质为环氧玻纤板。所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的材质为不饱和聚酯玻纤板。所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的材质为金属板。所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的材质为陶瓷板。
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所述置片孔为圆形孔。本发明具有的优点和积极效果是通过采用上述技术特征，一、通过采用双镶嵌层无腊研磨抛光模板，使得娃片的抛光效率提高了一倍，同时增加了同一批娃片抛光度的一致性；二、通过增设可分离的吸附垫，提高了抛光模板的整体使用寿命，减少了生产成本； 三、通过增设可分离的吸附垫，减小了硅片成品的厚度偏差(TTV);四、通过在双镶嵌层无蜡研磨抛光模板上设置通透的导流孔，提高了研磨抛光材料的光洁度。
图I是本发明一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的第一实施例俯视图；图2是本发明一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的第二实施例俯视图；图3是本发明一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的A-A截面图；图4是本发明一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的上镶嵌层第三实施例俯视图；图5是本发明一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的衬底层第二实施例俯视图。图中1、置片孔；2、上镶嵌层；3、上粘接层；4、衬底层；5、下粘接层；6、下镶嵌层； 7、吸附垫；8、锯齿结构；9、导流孔。
具体实施例方式为能进一步了解本发明的内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下如图I和图2所示一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的上镶嵌层2设有至少一个置片孔1，在图I中，所述置片孔I为圆形孔；在图2中，所述置片孔I为为矩形孔；在实际加工过程中，所述置片孔I的形状可以根据待研磨抛光材料的外形进行加工匹配；所述下镶嵌层6具有与所述上镶嵌层2相同的技术特征，所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板设有渗透抛光液用的导流孔9，所述导流孔9的直径范围是O. Imm 50mm，通过在双镶嵌层无蜡研磨抛光模板上设置通透的导流孔9，可以及时有效的将研磨抛光粉尘导出，有效提高研磨抛光材料的光洁度。如图3所示所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板是由五个圆柱状的层状物组成的复合结构，所述复合结构由上到下依次为第一层是上镶嵌层2 ;第二层是上粘接层3 ;第三层是衬底层4 ;第四层是下粘接层5 ;第五层是下镶嵌层6 ;为了减小双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的磨损速度，在所述置片孔I内设有吸附垫7。如图4和图5所示所示双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的上镶嵌层2的圆柱外侧设有锯齿结构8，所示双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的衬底层4的圆柱外壁设有锯齿结构8。所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的材质为环氧玻纤板(在实际加工过程中，也可以采用不饱和聚酯玻纤板、金属板、陶瓷板或者其它平整性能达到要求的板材)。在实际工作过程中，可以根据需要对所示双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的第一层、 第三层和第五层的圆柱外壁均设有锯齿结构8，也可以仅在双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的第一层、第三层和第五层的任意一个，或者任意两个圆柱外壁设有锯齿结构8。本发明的双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的五层结构采用同一种材质，同时在置片孔 I内设置可分离的吸附垫7通过吸附作用代替传统工艺中蜡的粘接作用，有效减小了硅片成品的厚度偏差，比如2英寸的半导体片的厚度偏差小于3 μ m，4英寸的半导体片的厚度偏差小于5 μ m。以上对本发明的具体实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
权利要求
1.一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，其特征在于所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板是由五个圆柱状的层状物组成的复合结构，所述复合结构由上到下依次为第一层是上镶嵌层，所述上镶嵌层上设有至少一个置片孔；第二层是上粘接层；第三层是衬底层；第四层是下粘接层；第五层是下镶嵌层，所述下镶嵌层上设有至少一个置片孔，所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板设有渗透抛光液用的导流孔，所述导流孔的直径范围是O. Imm 50_。
2.按照权利要求I所述的双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，其特征在于所述置片孔内设有吸附垫。
3.按照权利要求I所述的双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，其特征在于所述置片孔的形状与待研磨抛光材料的外形相匹配。
4.按照权利要求I所述的双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，其特征在于所述第一层、第三层和第五层的圆柱外壁均设有锯齿结构。
5.按照权利要求I所述的双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，其特征在于所述第一层、第三层和第五层的至少一个圆柱外壁设有锯齿结构。
6.按照权利要求I所述的双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，其特征在于所述双镶嵌层无腊研磨抛光模板的材质为环氧玻纤板。
7.按照权利要求I所述的双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，其特征在于所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的材质为不饱和聚酯玻纤板。
8.按照权利要求I所述的双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，其特征在于所述双镶嵌层无腊研磨抛光模板的材质为金属板。
9.按照权利要求I所述的双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，其特征在于所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板的材质为陶瓷板。
10.按照权利要求I所述的双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，其特征在于所述置片孔为圆形孔。
全文摘要
本发明涉及一种双镶嵌层无蜡研磨抛光模板，其特征在于所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板是由五个圆柱状的层状物组成的复合结构，所述复合结构由上到下依次为第一层是上镶嵌层，所述上镶嵌层上设有至少一个置片孔；第二层是上粘接层；第三层是衬底层；第四层是下粘接层；第五层是下镶嵌层，所述下镶嵌层上设有至少一个置片孔，所述双镶嵌层无蜡研磨抛光模板设有渗透抛光液用的导流孔，所述导流孔的直径范围是0.1mm～50mm。本发明无蜡研磨抛光模板采用双镶嵌层，提高了无蜡抛光的效率；通过将无蜡抛光垫与吸附垫分离，有效减小了硅片成品的厚度偏差，有效降低了生产成本；同时具有结构简单，加工方便的特点。
文档编号B24B37/26GK102581750SQ20121009446
公开日2012年7月18日 申请日期2012年3月31日 优先权日2012年3月31日
发明者高如山 申请人:天津西美科技有限公司