本发明涉及电子封装技术领域，具体涉及一种基于加热一氧化碳处理金属表面的方法，以及用该方法制得的产品，以及该产品的应用。
背景技术：
目前在电子封装领域，主要利用环氧树脂进行封装。环氧树脂与引线框架的粘接性能直接影响到该电子部件的后期使用性能和稳定性。由于封装材料和框架粘接的缺陷会导致如分层。因此，如何增加这两者直接的粘接性能一直是该领域备受关注的问题。现在人们已为该问题找寻了一些解决方案，如对作为引线的金属表面进行处理以增加其表面粗糙度；或者对环氧树脂的配方加以改进使得其对金属的粘接性能得以提高。然而，除了一些镜面材料以外，大多数的金属表面已经很粗糙，因此通过提高表面粗糙度的方法能改进的程度有限。而对环氧树脂配方的改进也非常困难，需要耗费大量的人力、财力。
当前的电子部件中通常用金属铜作为引线，但是如果在铜引线的表面镀镍的话，可以提高其焊接性能和导电性能。因此金属镍的使用也逐渐流行。尽管铜-镍引线中以铜为主，但是由于镍是镀于铜线表面，因此对该引线的表面处理实际上就变成了对金属镍的表面处理。对镍的处理常用的是热氧化法，使得镍金属表面形成一层氧化薄膜，但没有明显改善效果。采用化学腐蚀方法，其工艺很难控制，重复性差。因此，人们亟需寻找一种镍金属的表面处理方法，使得处理过后的镍金属表面与环氧树脂的粘接性能大幅提高，并且操作的成本低廉且易于控制。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种基于加热一氧化碳处理金属表面的方法，以及由该方法处理后的产品及其用途，以有效克服现有技术中进行电子封装时，环氧树脂与引线框架的粘结性能不高，导致分层现象，以及用热氧化方法、化学腐蚀法处理引线时改善效果不明显并且可重复性差等缺陷。
本发明解决技术问题的方案是：一种基于加热一氧化碳处理金属表面的方法，它采用加热一氧化碳对待处理件进行表面处理，所述待处理件为金属或镀有该金属的制品；所述加热一氧化碳的具体操作步骤为：
1）采用真空管式炉，将所述待处理件置于真空管式炉的恒温区；
2）将炉管抽真空至100pa以下；
3）打开气体源，向炉管中通入一氧化碳气体；
4）重复步骤2）和3）一次；
5）加热炉管内的一氧化碳气体，用加热的一氧化碳处理待处理件表面。
在步骤3）中，所述炉管的气压在充入一氧化碳后为一个大气压。
在步骤5）中，所述加热温度为50～600℃，加热时间为5～240分钟。
所述金属为镍或铜，所述的镀有该金属的制品为镀镍的铜。
所述的基于加热一氧化碳处理金属表面的方法处理得到的金属或镀有该金属的制品。
所述的镀有该金属的制品为镀镍的铜引线。
所述的金属或镀有该金属的制品作为引线框架材料的应用，所述的金属为镍或铜。
与现有技术相比，本发明具有的有益效果是：本发明的基于加热一氧化碳处理金属表面的方法，主要利用加热的一氧化碳处理金属的表面，经本发明方法处理过的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使表面镀镍的铜引线的稳定性以及防潮性能得到明显提高。本发明的表面处理方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，适合批量生产，不会出现化学腐蚀方法中可重复性差的缺陷。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明：
实施例1
本发明的基于加热一氧化碳处理金属表面的方法，它采用加热一氧化碳对待处理件进行表面处理，所述待处理件为金属或镀有该金属的制品；所述加热一氧化碳的具体操作步骤为：
1）采用真空管式炉，将所述待处理件置于真空管式炉的恒温区；
2）将炉管抽真空至100pa以下；
3）打开气体源，向炉管中通入一氧化碳气体；所述炉管的气压在充入一氧化碳后为一个大气压；
4）重复步骤2）和3）一次；
5）加热炉管内的一氧化碳气体，用加热的一氧化碳处理待处理件表面；所述加热温度为50℃，加热时间为240分钟；从而形成了经表面处理的镍金属框架材料。
实施例2
本发明的基于加热一氧化碳处理金属表面的方法，它采用加热一氧化碳对待处理件进行表面处理，所述待处理件为金属或镀有该金属的制品；所述加热一氧化碳的具体操作步骤为：
1）采用真空管式炉，将所述待处理件置于真空管式炉的恒温区；
2）将炉管抽真空至100pa以下；
3）打开气体源，向炉管中通入一氧化碳气体；所述炉管的气压在充入一氧化碳后为一个大气压；
4）重复步骤2）和3）一次；
5）加热炉管内的一氧化碳气体，用加热的一氧化碳处理待处理件表面；所述加热温度为600℃，加热时间为5分钟；从而形成了经表面处理的镍金属框架材料。
本发明的基于加热一氧化碳处理金属表面的方法，主要利用加热的一氧化碳处理金属的表面，经本发明方法处理过的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使表面镀镍的铜引线的稳定性以及防潮性能得到明显提高。