滤波器晶片面取滚筒的制作方法

本实用新型涉及晶片领域，具体涉及滤波器晶片面取滚筒。

背景技术：

现有晶片面取过程中，即倒边过程中所用的滚筒均为内壁平面筒，由于在加工高端滤波器晶片时，在面取过程中，筒面平滑，晶片连同绿碳化硅砂在筒中在离心力的作用下，晶片边沿与筒摩擦后，晶片边沿厚度变化量较小，中心平台变化较快，致使最终的滤波器晶片在组装后出现：电阻大、有寄生频率、带宽及电感值不稳定，影响晶片的使用效率。

因此对于晶片面取过程，一种新型的滚筒结构是迫切需要的。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是现有的滚筒在对晶片的面取过程中现有的滚筒与晶片边摩擦后，得到的晶片电阻大、有寄生频率、带宽及电感值不稳定，品质较差，目的在于提供滤波器晶片面取滚筒，解决滚筒打磨的问题。

本实用新型通过下述技术方案实现：

滤波器晶片面取滚筒，包括滚筒本体，滚筒本体的内壁上设置有若干波形凸槽，波形凸槽用于增大晶片边沿厚度变化量。

在晶片进行打磨时，通常将晶片放置在内表面为光滑的滚筒中，滚筒的电机的作用下旋转，带动其内的晶片和绿碳化硅砂在筒中在离心力的作用下进行打磨，由于滚筒的内壁为光滑面，因此晶片边沿与筒摩擦后，晶片边沿厚度变化量较小，而晶片的中心平台与绿碳化硅砂接触较多，因此厚度变化较快，打磨后的晶片中，晶片边沿厚度较厚，中心平台较薄，最终会影响晶片在组装后出现的电阻大、有寄生频率的问题，存在带宽及电感值不稳定的现象，影响使用。

而本结构在光滑面的滚筒内壁的基础上，增加波形凸槽，在波形凸槽的作用下，增大与晶片边沿的接触面积，进而在对晶片进行打磨时，能增加晶片边沿的厚度变化量，同时晶片中心平台的厚度的变化量相对变少，更多的是晶片边沿与波形凸槽相接触，因此在打磨的过程中，进一步的增大边沿厚度变化，减缓中心厚度变化，使得在组装后不会出现电感不稳定的现象，更便于使用。

优选的，波形凸槽的为碳化硅材料。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，是较为常见的磨料。因此，本结构的波形凹槽将其设置为碳化硅材料，能更有利于对晶片进行打磨，增加使用效率。

同时，波形凸槽的厚度为0.5cm。对于晶片的大小而言，将凸槽的厚度设置为0.5cm，在晶片的边沿与凸槽接触时，不仅能进一步的增大接触面积，同时在打磨过程也能更有利于边沿的打磨，加快边沿的厚度的减少，更有利于打磨。

优选的，波形凸槽的形状为锯齿波。锯齿波是常见的波形之一，锯齿波的波形先呈直线上升，随后陡落，再上升，再陡落，如此反复，这样的形状的设置能更有利于增大晶片边沿与凸槽的接触面积，进一步的增大打磨效率。

并且，波形凸槽的相邻波纹之间的夹角为90度。将其波形的直线上升和下降段之间的夹角设置为90度，在使用时，也能进一步的增大与晶片边沿的接触面积，更有利于在晶片在滚筒中打磨的效率。

优选的，波形凸槽所在直线与水平直线之间的夹角为60度。将波形凸槽所在直线设置在与水平直线之间的夹角为60度，在使用时，随着晶片的离心运动，这样的设置，更有利于打磨。

本实用新型与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

本实用新型滤波器晶片面取滚筒，本装置在打磨的过程中，能有效的提高晶片边沿的厚度打磨，同时减小中心平台的厚度打磨，进而更有利于晶片的电阻稳定，提高使用效率；

并且本装置没有复杂的结构，通过简单的设置带来较好的效果，更便于长期使用；

同时，本装置结构简单，便于操作，能有效的节约成本，提高使用效率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成

本技术：
的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。在附图中：

图1为本实用新型结构示意图；

图2为滚筒内壁结构示意图。

附图中标记及对应的零部件名称：

1-滚筒本体，2-波形凸槽。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型作进一步的详细说明，本实用新型的示意性实施方式及其说明仅用于解释本实用新型，并不作为对本实用新型的限定。

实施例1

如图1所示，本实用新型滤波器晶片面取滚筒，包括滚筒本体1，滚筒本体1的内壁上设置有若干波形凸槽2，波形凸槽2用于增大晶片边沿厚度变化量。

实施例2

在实施例1的基础上，波形凸槽2的为碳化硅材料。波形凸槽2的厚度为0.5cm。波形凸槽2的形状为锯齿波。波形凸槽2的相邻波纹之间的夹角为90度。

同时，波形凸槽2所在直线与水平直线之间的夹角为60度。

实施例3

晶片阻抗控制主要通过倒边工序得以实现，在倒边时，使用直径为60mm的滚筒1，同时在滚筒中加入铜球及绿碳化硅配合进行晶片边沿磨削，晶片边沿在滚筒1中，由于滚筒1内壁上的波纹凸槽2的存在，增加了晶片边沿与波纹凸槽2的接触面积，进而在旋转的过程中，增加了晶片边沿厚度变化量，并减小了晶片中心平台的厚度变化量，保证了晶片的品质。

以上所述的具体实施方式，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施方式而已，并不用于限定本实用新型的保护范围，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：

1.滤波器晶片面取滚筒，其特征在于，包括滚筒本体(1)，滚筒本体(1)的内壁上设置有若干波形凸槽(2)，波形凸槽(2)用于增大晶片边沿厚度变化量。

2.根据权利要求1所述的滤波器晶片面取滚筒，其特征在于，波形凸槽(2)的为碳化硅材料。

3.根据权利要求1所述的滤波器晶片面取滚筒，其特征在于，波形凸槽(2)的厚度为0.5cm。

4.根据权利要求1所述的滤波器晶片面取滚筒，其特征在于，波形凸槽(2)的形状为锯齿波。

5.根据权利要求4所述的滤波器晶片面取滚筒，其特征在于，波形凸槽(2)的相邻波纹之间的夹角为90度。

6.根据权利要求1所述的滤波器晶片面取滚筒，其特征在于，波形凸槽(2)所在直线与水平直线之间的夹角为60度。

技术总结
本实用新型公开了滤波器晶片面取滚筒，包括滚筒本体，滚筒本体的内壁上设置有若干波形凸槽，波形凸槽用于增大晶片边沿厚度变化量。本装置在打磨的过程中，能有效的提高晶片边沿的厚度打磨，同时减小中心平台的厚度打磨，进而更有利于晶片的电阻稳定，提高使用效率。

技术研发人员：王显波;王天雄;王显文
受保护的技术使用者：四川省三台水晶电子有限公司
技术研发日：2019.11.11
技术公布日：2020.07.17