一种用于压电晶片凸面研磨频率监控工装的制作方法

1.本实用新型涉及晶片研磨技术领域，具体地说，涉及一种用于压电晶片凸面研磨频率监控工装。


背景技术：

2.现有的压电晶片研磨工装由两部分组成，如图5所示，上部分为金属压块，下部分为绝缘胶布，绝缘胶布起到吸附固定圆晶片的作用，如果在金属压块和球形研磨盘之间加交变电场，由于绝缘胶布的阻隔会使电场很弱，即使与圆晶片的固有频率形成谐振振幅也比较小，频率不稳，不能稳定监控晶片频率。


技术实现要素：

3.本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于压电晶片凸面研磨频率监控工装，将原有工装的两部分金属压块和绝缘胶布改进为定位环、聚甲醛阻隔层和金属压块三部分，采用聚甲醛阻隔层阻隔上下电极，使上下电极绝缘，从而可以实现通过在上下电极之间加一个交变电场，使交变电场与加工的晶片产生谐振，这个谐振频率反馈到监频仪，监频仪可以根据谐振频率的变化实现控制加工继续和停止，解决了背景技术中存在的问题。
4.为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种用于压电晶片凸面研磨频率监控工装，包括套设在晶片外围的定位环，所述定位环内装配有聚甲醛阻隔层，所述聚甲醛阻隔层的中部开设有通孔，所述通孔内装配有金属压块，所述聚甲醛阻隔层将所述金属压块与所述定位环分隔开，所述金属压块的上表面中部开设有截面为扇形的容置槽，所述金属压块作为上电极与所述晶片的上表面相接触，所述晶片的下表面与作为下电极的研磨盘相接触。
5.所述定位环的顶面截面呈平面，所述定位环的底面截面呈弧面。
6.所述聚甲醛阻隔层包括第一装配部和阻隔部，所述阻隔部与所述装配部为一体成型的t形结构，所述装配部嵌入所述定位环内并与所述晶片相接触，所述阻隔部分隔开所述定位环和所述金属压块。
7.所述金属压块包括一体成型的第二装配部、贴合部和凸台，所述第二装配部嵌入所述通孔内并与所述晶片相接触，所述贴合部与所述聚甲醛阻隔层相接触，所述容置槽位于所述凸台的上表面中部，所述凸台的直径大于所述第二装配部的直径。
8.所述金属压块与所述晶片相接触的接触面的直径为5.0
±
0.5mm。
9.所述定位环的材质为h63铜。
10.本实用新型的用于压电晶片凸面研磨频率监控工装与现有技术相比具有以下有益效果：
11.1、本实用新型采用聚甲醛阻隔层阻隔上下电极，使上下电极绝缘，从而可以实现通过在上下电极之间加一个交变电场，使交变电场与加工的晶片产生谐振，这个谐振频率反馈到监频仪，监频仪可以根据谐振频率的变化实现控制加工继续和停止。
12.2、本实用新型在金属压块的上表面中部设置截面为扇形的容置槽，使压力顶针的施加压力位置与下面工件距离减小，最终保证整个工装和工件在旋转和摆动时更加稳定，避免跳动。
13.3、本实用新型采用定位环固定晶片，并将聚甲醛阻隔层和金属压块与晶片限位在一起，保证整个工装在旋转和摆动时不会与晶片脱离，可以稳定监控晶片频率。
附图说明
14.下面结合附图和具体实施方式对本实用新型的用于压电晶片凸面研磨频率监控工装作进一步的详细描述。
15.图1为本实用新型的用于压电晶片凸面研磨频率监控工装的结构示意图。
16.图2为本实用新型的金属压块的结构示意图。
17.图3为本实用新型的聚甲醛阻隔层的结构示意图。
18.图4为本实用新型的定位环的结构示意图。
19.图5为现有技术中的工装结构示意图。
20.附图标记说明如下。
21.晶片1、定位环2、聚甲醛阻隔层3、通孔31、第一装配部32、阻隔部33、金属压块4、容置槽41、第二装配部42、贴合部43和凸台44。
具体实施方式
22.如图1-图4所示，本实用新型提供一种用于压电晶片凸面研磨频率监控工装，包括套设在晶片1外围的定位环2，所述定位环2内装配有聚甲醛阻隔层3，所述聚甲醛阻隔层3的中部开设有通孔31，所述通孔31内装配有金属压块4，所述聚甲醛阻隔层3将所述金属压块4与所述定位环2分隔开，所述金属压块4的上表面中部开设有截面为扇形的容置槽41，所述金属压块4作为上电极与所述晶片1的上表面相接触，所述晶片1的下表面与作为下电极的研磨盘相接触。
23.本实施方式中，采用聚甲醛阻隔层阻隔上下电极，使上下电极绝缘，从而可以实现通过在上下电极之间加一个交变电场，使交变电场与加工的晶片产生谐振，这个谐振频率反馈到监频仪，监频仪可以根据谐振频率的变化实现控制加工继续和停止。采用定位环固定晶片，并将聚甲醛阻隔层和金属压块与晶片限位在一起，保证整个工装在旋转和摆动时不会与晶片脱离，可以稳定监控晶片频率。在金属压块的上表面中部设置截面为扇形的容置槽，使压力顶针的施加压力位置与下面工件距离减小，最终保证整个工装和工件在旋转和摆动时更加稳定，避免跳动。
24.作为本实施方式的各种改进详述如下。
25.如图4所示，所述定位环2的顶面截面呈平面，所述定位环2的底面截面呈弧面。
26.本实施方式中，定位环的底面截面呈弧面，使定位环与凹球形研磨盘相适配，减小对研磨盘和定位环的磨损。
27.如图3所示，所述聚甲醛阻隔层3包括第一装配部32和阻隔部33，所述阻隔部33与所述装配部32为一体成型的t形结构，所述装配部32嵌入所述定位环2内并与所述晶片1相接触，所述阻隔部33分隔开所述定位环2和所述金属压块4。
28.本实施方式中，对聚甲醛阻隔层的形状和结构进行了进一步的限定，聚甲醛阻隔层配合定位环便于装配，并且在移动时可以稳定地和定位环、晶片一起移动，有效地分隔开定位环和金属压块，还保证金属压块与晶片相接触。
29.如图2所示，所述金属压块4包括一体成型的第二装配部42、贴合部43和凸台44，所述第二装配部42嵌入所述通孔31内并与所述晶片1相接触，所述贴合部43与所述聚甲醛阻隔层3相接触，所述容置槽41位于所述凸台44的上表面中部，所述凸台44的直径大于所述第二装配部42的直径。
30.本实施方式中，对金属压块的形状和结构进行了进一步的限定，金属压块配合聚甲醛阻隔层便于装配，并且在移动时可以稳定地和聚甲醛阻隔层、定位环、晶片一起移动。
31.另外，所述金属压块4与所述晶片1相接触的接触面的直径设置为5.0
±
0.5mm，超出这个范围影响测试参数的稳定性，影响最终加工晶片参数的一致性。所述定位环2的材质为h63铜，h63铜硬度适中，即耐磨损用不易破损晶片外沿。
32.需要声明的是，上述实用新型内容及具体实施方式意在证明本实用新型所提供技术方案的实际应用，不应解释为对本实用新型保护范围的限定。本领域技术人员在本实用新型的精神和原理内，当可作各种修改、等同替换或改进。本实用新型的保护范围以所附权利要求书为准。


技术特征：
1.一种用于压电晶片凸面研磨频率监控工装，其特征在于，包括套设在晶片(1)外围的定位环(2)，所述定位环(2)内装配有聚甲醛阻隔层(3)，所述聚甲醛阻隔层(3)的中部开设有通孔(31)，所述通孔(31)内装配有金属压块(4)，所述聚甲醛阻隔层(3)将所述金属压块(4)与所述定位环(2)分隔开，所述金属压块(4)的上表面中部开设有截面为扇形的容置槽(41)，所述金属压块(4)作为上电极与所述晶片(1)的上表面相接触，所述晶片(1)的下表面与作为下电极的研磨盘相接触。2.如权利要求1所述的用于压电晶片凸面研磨频率监控工装，其特征在于，所述定位环(2)的顶面截面呈平面，所述定位环(2)的底面截面呈弧面。3.如权利要求1所述的用于压电晶片凸面研磨频率监控工装，其特征在于，所述聚甲醛阻隔层(3)包括第一装配部(32)和阻隔部(33)，所述阻隔部(33)与所述装配部(32)为一体成型的t形结构，所述装配部(32)嵌入所述定位环(2)内并与所述晶片(1)相接触，所述阻隔部(33)分隔开所述定位环(2)和所述金属压块(4)。4.如权利要求1所述的用于压电晶片凸面研磨频率监控工装，其特征在于，所述金属压块(4)包括一体成型的第二装配部(42)、贴合部(43)和凸台(44)，所述第二装配部(42)嵌入所述通孔(31)内并与所述晶片(1)相接触，所述贴合部(43)与所述聚甲醛阻隔层(3)相接触，所述容置槽(41)位于所述凸台(44)的上表面中部，所述凸台(44)的直径大于所述第二装配部(42)的直径。5.如权利要求1所述的用于压电晶片凸面研磨频率监控工装，其特征在于，所述金属压块(4)与所述晶片(1)相接触的接触面的直径为5.0
±
0.5mm。6.如权利要求1所述的用于压电晶片凸面研磨频率监控工装，其特征在于，所述定位环(2)的材质为h63铜。

技术总结
本实用新型提供了一种用于压电晶片凸面研磨频率监控工装，包括套设在晶片外围的定位环，所述定位环内装配有聚甲醛阻隔层，所述聚甲醛阻隔层的中部开设有通孔，所述通孔内装配有金属压块，所述聚甲醛阻隔层将所述金属压块与所述定位环分隔开，所述金属压块的上表面中部开设有截面为扇形的容置槽，所述金属压块作为上电极与所述晶片的上表面相接触，所述晶片的下表面与作为下电极的研磨盘相接触。本实用新型采用聚甲醛阻隔层阻隔上下电极，使上下电极绝缘，从而可以实现通过在上下电极之间加一个交变电场，使交变电场与加工的晶片产生谐振，这个谐振频率反馈到监频仪，监频仪可以根据谐振频率的变化实现控制加工继续和停止。据谐振频率的变化实现控制加工继续和停止。据谐振频率的变化实现控制加工继续和停止。


技术研发人员：段洪伟 李剑 常丽敏 马建立 袁庆祝
受保护的技术使用者：唐山万士和电子有限公司
技术研发日：2021.12.20
技术公布日：2022/4/26