本发明属于硅微粉技术领域，具体涉及一种低介电常数硅微粉。
背景技术：
硅微粉是由天然石英或熔融石英经破碎、干法或湿法研磨处理等工艺加工而成的微粉，是一种无毒无污染的无机非金属材料。由于硅微粉具有良好的耐温性、耐酸碱腐蚀、化学稳定性及高绝缘、低膨胀的性能，因此被广泛地用于化工、电子、集成电路、橡胶等领域。作为制备集成电路pcb基础材料的覆铜箔板对集成电路的性能有着巨大的影响。
技术实现要素：
本发明的目的是针对现有的问题，提供了一种低介电常数硅微粉。
本发明是通过以下技术方案实现的：
一种低介电常数硅微粉，按重量份计由以下成分制成：硅微粉200、柠檬酸钠1.2、十二烷基磺酸盐1.5-2.5、偶联剂1.3-1.5、碳酸钠2-5、腐殖酸钾0.3-0.8、电气石粉1-3、活化剂0.2-0.8、硼酸正丁酯1-3。
进一步的，按重量份计由以下成分制成：硅微粉135、柠檬酸钠1.2、十二烷基磺酸钠1.8、偶联剂1.4、碳酸钠3、腐殖酸钾0.5、电气石粉2、壳聚糖0.26、硼酸正丁酯2。
进一步的，所述偶联剂为有机硅偶联剂或钛酸酯偶联剂。
进一步的，所述电气石粉粒度为1250目。
进一步的，所述十二烷基磺酸盐为十二烷基磺酸钾或十二烷基磺酸钠。
进一步的，所述活化剂为壳聚糖。
进一步的，所述低介电常数硅微粉制备方法为：按各重量份将硅微粉、柠檬酸钠、十二烷基磺酸盐、偶联剂、碳酸钠、腐殖酸钾、电气石粉、活化剂、硼酸正丁酯均匀混合到一起，加热至420℃，保温2小时，以1500r/min转速搅拌2小时，冷却至80℃，再添加硅微粉质量5倍去离子水，以3000r/min转速搅拌30min，再进行旋转蒸发干燥至恒重，研磨2小时，即得。
本发明相比现有技术具有以下优点：本发明制备的一种低介电常数硅微粉，通过将硅微粉与其它组分进行混合改性，形成一种低介电常数、低硬度的新粉体，新粉体颗粒都是由原来的粉体颗粒组合而成，原来的粉体颗粒相互支撑或粘结，使得颗粒间形成大量的空腔，根据空气介电常数低的原理，整体上降低了新粉体的介电常数及硬度，同时具有轻质及自组装的特点。
具体实施方式
实施例1
一种低介电常数硅微粉，按重量份计由以下成分制成：硅微粉200、柠檬酸钠1.2、十二烷基磺酸盐1.5、偶联剂1.3、碳酸钠2、腐殖酸钾0.3、电气石粉1、活化剂0.2、硼酸正丁酯1。
进一步的，所述偶联剂为有机硅偶联剂或钛酸酯偶联剂。
进一步的，所述电气石粉粒度为1250目。
进一步的，所述十二烷基磺酸盐为十二烷基磺酸钾或十二烷基磺酸钠。
进一步的，所述活化剂为壳聚糖。
进一步的，所述低介电常数硅微粉制备方法为：按各重量份将硅微粉、柠檬酸钠、十二烷基磺酸盐、偶联剂、碳酸钠、腐殖酸钾、电气石粉、活化剂、硼酸正丁酯均匀混合到一起，加热至420℃，保温2小时，以1500r/min转速搅拌2小时，冷却至80℃，再添加硅微粉质量5倍去离子水，以3000r/min转速搅拌30min，再进行旋转蒸发干燥至恒重，研磨2小时，即得。
实施例2
一种低介电常数硅微粉，按重量份计由以下成分制成：硅微粉200、柠檬酸钠1.2、十二烷基磺酸盐2.5、偶联剂1.5、碳酸钠5、腐殖酸钾0.8、电气石粉3、活化剂0.8、硼酸正丁酯3。
进一步的，所述偶联剂为有机硅偶联剂或钛酸酯偶联剂。
进一步的，所述电气石粉粒度为1250目。
进一步的，所述十二烷基磺酸盐为十二烷基磺酸钾或十二烷基磺酸钠。
进一步的，所述活化剂为壳聚糖。
进一步的，所述低介电常数硅微粉制备方法为：按各重量份将硅微粉、柠檬酸钠、十二烷基磺酸盐、偶联剂、碳酸钠、腐殖酸钾、电气石粉、活化剂、硼酸正丁酯均匀混合到一起，加热至420℃，保温2小时，以1500r/min转速搅拌2小时，冷却至80℃，再添加硅微粉质量5倍去离子水，以3000r/min转速搅拌30min，再进行旋转蒸发干燥至恒重，研磨2小时，即得。
实施例3
一种低介电常数硅微粉，按重量份计由以下成分制成：硅微粉200、柠檬酸钠1.2、十二烷基磺酸盐1.8、偶联剂1.4、碳酸钠3、腐殖酸钾0.5、电气石粉2、活化剂0.6、硼酸正丁酯2。
进一步的，所述偶联剂为有机硅偶联剂或钛酸酯偶联剂。
进一步的，所述电气石粉粒度为1250目。
进一步的，所述十二烷基磺酸盐为十二烷基磺酸钾或十二烷基磺酸钠。
进一步的，所述活化剂为壳聚糖。
进一步的，所述低介电常数硅微粉制备方法为：按各重量份将硅微粉、柠檬酸钠、十二烷基磺酸盐、偶联剂、碳酸钠、腐殖酸钾、电气石粉、活化剂、硼酸正丁酯均匀混合到一起，加热至420℃，保温2小时，以1500r/min转速搅拌2小时，冷却至80℃，再添加硅微粉质量5倍去离子水，以3000r/min转速搅拌30min，再进行旋转蒸发干燥至恒重，研磨2小时，即得。
本发明的技术内容及技术特征已揭示如上，然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本发明的教示及揭示而作种种不背离本发明精神的替换及修饰，因此，本发明保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本发明的替换及修饰，并为本专利申请权利要求所涵盖。