无机化学及其化合物制造及其合成,应用技术
  • 多孔质碳氧化硅复合材料和多孔质碳氧化硅复合材料的制造方法与流程
    .本发明涉及多孔质碳氧化硅复合材料和多孔质碳氧化硅复合材料的制造方法。.本申请基于年月日在日本申请的特愿-号主张优先权,将其内容援引于此。.燃料电池是利用由氢与氧得到水的化学反应来产生电和热的装置,有磷酸型燃料电池(pafc:phosphoricacidfuelcell)、熔融碳酸盐...
  • 基于磨碎的粒状高炉矿渣的多组分无机胶囊锚固系统的制作方法
    .本发明涉及一种用于将锚固件、螺栓、螺钉锚固件、螺钉和后安装钢筋化学紧固在矿物基质中的多组分无机胶囊锚固系统,所述多组分无机胶囊锚固系统包括基于磨碎的粒状高炉矿渣的可固化的粉末状组分a和在水相中用于引发固化过程的引发剂组分b,其中所述基于磨碎的粒状高炉矿渣的粉末状组分a进一步包括二氧化硅粉尘,并且...
  • 气相生长用的单晶硅基板、气相生长基板以及这些基板的制造方法与流程
    .本发明涉及气相生长用的单晶硅基板、气相生长基板以及这些基板的制造方法。.高频器件正朝向小型化、低成本化,并整合天线及放大器、开关、滤波器等器件的开发进行。另外,随着频率的高频化,电路变得复杂化,所使用的器件的材料也多样化成:硅cmos(互补式金氧半导体)、使用iii-v族半导体或氮化物半...
  • 氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底以及抑制位错向氮化铝生长层引入的方法与流程
    .本发明涉及氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底以及用于抑制位错引入氮化铝生长层的方法。.以往,在氮化铝衬底的制造方法中,通过在基底衬底上使半导体材料进行晶体生长(所谓的外延生长)来制造由期望的半导体材料制成的半导体衬底。.然而,在上述外延生长中,由于基底衬底具有的位错延续到生长层而向生长层引...
  • 碳化硅衬底的制造方法、碳化硅衬底以及去除由激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的方法与流程
    .本发明涉及碳化硅衬底的制造方法、碳化硅衬底以及去除由激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的方法。.以往在半导体衬底的制造中采用通过对半导体衬底照射激光而加工该半导体衬底的方法。.专利文献公开了这样的发明:对加工对象物照射激光束,该激光束采用加工对象物可吸收的波长,将激光束的聚光点位于加工对...
  • 用作无机化学紧固体系的水泥质多组分砂浆体系中的细磨波特兰水泥熟料的制作方法
    .本发明涉及建筑和紧固中的矿物基材中锚固元件的化学紧固领域,并且具体地涉及在水泥质多组分砂浆体系中借助于基于细磨波特兰水泥熟料的无机化学紧固体系的锚固元件的化学紧固。.在建筑和紧固中用于紧固矿物基材中锚固元件的复合砂浆是已知的。这些复合砂浆几乎完全基于有机含环氧的树脂/硬化...
  • 改性氮化铝原料的制造方法、改性氮化铝原料、氮化铝晶体的制造方法、塌陷抑制方法与流程
    .本发明涉及改性氮化铝原料的制造方法、改性氮化铝原料、氮化铝晶体的制造方法、以及塌陷抑制方法。.氮化铝(aln)具有高的热电导性和优异的电绝缘性,广泛用于以半导体衬底和半导体封装衬底为首的各种用途。.近年来,aln具有的宽带隙(.ev)受到关注,期待应用于输出深紫外线(uv-c)的发光二极...
  • 半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及抑制位错向生长层引入的方法与流程
    .本发明涉及半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及抑制位错向生长层引入的方法。.以往,在半导体衬底的制造方法中,通过在基底衬底上使半导体材料进行晶体生长(所谓的外延生长)来制造由期望的半导体材料制成的半导体衬底。.在上述外延生长中,由于基底衬底具有的位错延续到生长层而向生长层引入位错是个问题...
  • 一种摄像头镜片化学打孔制造工艺的制作方法
    .本发明涉及玻璃面板加工,具体为一种摄像头镜片化学打孔制造工艺。.随着科技的发展,手机的拍摄能力越来越强,这会导致镜头凸起;摄像头镜片是一种玻璃制品,其上设有镜头孔和闪光灯孔,通过镜头孔套设凸起的镜头,通过闪光灯孔对应闪光灯;因此为了制作摄像头镜片,一般需要先对玻璃面板进行打孔,然...
  • 用于烧结无机颗粒的粘合剂组合物及其使用方法与流程
    用于烧结无机颗粒的粘合剂组合物及其使用方法.相关申请.本申请基于申请日为年月日的序列号为/,的美国临时专利申请并且要求其优先权,其通过引用并入本文。.粉末注射成型通常是指通过将含有与聚合物粘合剂结合的可烧结粉末的组合物注射成型来生产成形制品的工艺。通过该工艺,生产成形制品。从成形制品中去除...
  • 负碳再生骨料混凝土及其预制部品的制备方法
    .本发明属于再生资源领域,具体涉及一种负碳再生骨料混凝土及其预制部品的制备方法。.工厂化生产出预制装配式混凝土预制部品,通过现场装配的方式设计建造混凝土结构类房屋建筑,与传统的建造方式相比,采取工厂规模化生产预制装配式混凝土预制部品,质量、精度可控,可最大限度地减少材料损耗;同时,劳动生产...
  • 一种微晶玻璃的晶化炉及其晶化方法与流程
    .本发明属于微晶盖板玻璃生产领域,涉及一种微晶玻璃的晶化炉及其晶化方法。.微晶玻璃是在普通玻璃生产中添加核化剂等原料,先熔融制成普通玻璃,再经过一定的热处理,使其核化,长晶,形成所需的玻璃相与微晶相的多相复合体。微晶盖板玻璃具有高清透明度和高强度,同时又具有稳定的化学性质与物理性质,在显示...
  • 半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及抑制生长层裂纹产生的方法与流程
    .本发明涉及半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及抑制生长层的裂纹产生的方法。.以往,在半导体衬底的制造中,通过在基底衬底上使与基底衬底不同的半导体材料进行晶体生长(所谓的异质外延生长)来制造期望的半导体材料的半导体衬底。.然而,在异质外延生长中,被视为问题的是,由于两种材料的晶格常数或热膨...
  • 一种微晶玻璃的熔炼装置的制作方法
    .本发明属于微晶玻璃加工成型,具体涉及一种微晶玻璃的熔炼装置。.微晶玻璃是通过对玻璃进行一定工艺制度的热处理来有目的地控制晶体的生成、长大,从而获得的一种无机非金属多晶材料。微晶玻璃采用适当组分的玻璃控制析晶及诱导析晶而生成,能够同时兼具玻璃的基本性能和陶瓷多晶体的特征,且比玻璃的...
  • 氮化锂制造装置和氮化锂的制造方法与流程
    .本发明涉及一种氮化锂制造装置和氮化锂的制造方法。.氮化锂作为锂离子传导率在室温下显示-scm-的高离子传导体而广为人知,例如,研究作为锂离子电池用的固体电解质或电极材料的应用。.由于氮化锂与水分接触容易分解,因此其合成方法受到很多限制,通常利用金属锂与氮气的反应来制造氮化锂。.在专利文献...
  • 一种基于微观结构调控的双相高熵陶瓷及其制备方法和应用
    .本发明属于高熵陶瓷材料,更具体地,涉及一种基于微观结构调控的双相高熵陶瓷及其制备方法和应用。.在现代的新材料制造领域,如金属、陶瓷以及一些难熔金属中间化合物粉末的烧结,需要借助多种多样的烧结设备与对应的烧结工艺,才能实现对材料的致密化烧结制备。而某些材料(如过渡金属的硼化物以及多...
  • 一种含缺陷的片状二硼化钨粉体及其制备方法和应用
    .本发明属于无机非金属硬质材料,特别涉及一种含缺陷的片状二硼化钨粉体及其制备方法和应用。.在过去的几十年里,二硼化钨可以在环境压力下合成,由于其高熔点、高硬度、良好的化学稳定性和导电性,在各种工业应用中引起了广泛关注。这些优异的性能使二硼化钨成为切削工具、耐磨部件和电极材料等的潜在...
  • 一种废中子靶的氚回收纯化系统及方法与流程
    .本发明涉及放射化学,具体而言,涉及一种废中子靶的氚回收纯化系统及方法。.中子技术被广泛应用于中子照相、油田测井、癌症治疗、中子安检、活化分析、辐照育种、辐照损伤研究、核测量等领域。目前主要的中子源有核反应堆、放射源以及加速器型中子源。其中加速器型氘氚中子源是通过加速氘离子束轰击中...
  • 一种高镍低钴正极材料及其制备方法和锂离子电池与流程
    .本发明涉及锂电池,具体而言,涉及一种高镍低钴正极材料及其制备方法和锂离子电池。.高镍正极材料,如镍钴锰正极材料,这类正极材料具有良好的循环性能、较高的比容量、很好的安全性和低廉的成本,因而获得广泛的研究和应用。镍钴锰正极材料的制备一般是先利用共沉淀法制备镍钴锰前驱体,然后再进行烧...
  • 海砂土固化剂和应用该固化剂的可泵送混凝土及制备方法与流程
    .本发明涉及一种可泵送海砂土混凝土的配方材料及制备方法,属于市政建设中路基边坡工程或隧道工程的复合加固材料设计领域。.伴随我国经济的发展,市场施工建设与土地开发利用也呈现快速发展和技术升级加快的趋势。对于沿海城市的工程建设,尤其是临海工程建设,大量的海砂土被挖除,由于海砂土的含盐量高,易腐...
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