本申请涉及传感器制作，特别涉及一种传感器及其制作方法、电子设备。、对于电容式传感器的制作，电容式传感器包括相对设置的两块极板，相关技术中，传感器灵敏度的提升受到极板上开孔的限制，造成传感器的灵敏度难以提升。技术实现思路、本申请的主要目的是提出一种传感器及其制作方法、电子设备，旨在至少改善传...

本发明涉及热发泡喷墨芯片，具体为一种mems电阻制作方法。、热发泡喷墨芯片采用热电阻材料作为发热元件，当电流通过时能快速升温，使墨水瞬间汽化形成气泡，气泡膨胀后推动墨水从喷嘴射出，形成墨滴。现有技术中爱普生的precisioncore microtfp打印芯片就是基于此类技术实现的打印头芯...

本发明涉及微纳加工，尤其涉及一种多层薄膜沉积与真空封装一体化工艺优化方法及系统。、多层薄膜沉积与真空封装技术是微机电系统的核心工艺，与之相对应的是，保证对微机电系统的多层薄膜与真空封装的质量，对确保微机电系统的正常稳定运行具备重要意义。、目前，对于mems传感器进行多层薄膜沉积与真空封装时...

本公开涉及包括一个或多个元结构的光学装置。、元表面是指具有布置成以特定方式与光相互作用的所分布的小结构（例如，元原子）的表面。例如，元表面可以是具有纳米结构的分布式阵列的表面。纳米结构可以单独地或共同地与光波相互作用。例如，纳米结构或其他元原子可以改变入射光波的局部幅度、局部相位或两者。技...

本技术属于微机电系统（mems），尤其涉及一种大容值电容式芯片结构。、随着mems技术的发展，电容式传感器成为各行业中不可缺少的关键器件，已被广泛应用于汽车电子，石油化工，生物医学和国防军工等领域。相比于其它类型传感器，电容式传感器具有灵敏度高、功耗低、温度特性好等优势，更加适合研制高精度...

本公开涉及一种包括封装的电子装置，该封装包括耦合到基板的盖子并且具有改进的抗分层性；此外，本公开涉及对应的制造工艺。、如已知的，当今可获得用于电子装置的封装，这些封装各自包括：相应的金属盖子，该金属盖子耦合到基板，以界定腔体，该腔体中布置有例如第一半导体管芯和第二半导体管芯，在该第一半导体...

本发明涉及半导体，尤其涉及一种提高键合晶圆机械强度的方法。、为了提高mems系列产品性能，降低功耗和驱动电压，并且降低生产成本以及缩小器件体积达到更高集成度，要求制造更薄的晶圆，然而晶圆越薄，在传送和运输过程中越容易发生裂片。具体是mems系列产品在键合后形成键合晶圆，键合晶圆包括顶层晶圆...

本公开的实施例涉及一种mems设备(mems：微机电系统)，该设备包括用于提供环境进入保护的环境阻挡结构。创新的环境阻挡结构包括集成流体通道，该流体通道用于提供围绕膜的单独的通风路径。、新一代的硅mems麦克风封装体将具有在封装体内实现的所谓的环境阻挡，用于保护精密的mems麦克风系统免受...

本技术涉及半导体封装，特别涉及一种新型mems器件真空维持结构。、当前，mems器件的真空封装构造设计主要是为了提供一个保护性屏障，确保其微观结构免受外界诸如温度波动、湿度变化及有害气体等环境因素的侵扰。这一封装技术不仅显著降低了器件的气阻效应，还极大地提升了其灵敏度与性能的长期稳定性。、...

本技术涉及微机电系统，特别涉及一种防焊料溢出的围坝。、当前，红外传感器、陀螺仪等mems(微机电系统)器件对真空度的要求极为严格，在制造过程中，这些器件需通过真空封焊设备采用钎焊工艺进行封装。然而，在钎焊过程中，由于技术限制，无法采用气体快速降温方法，而只能依赖自然冷却或水冷方式进行降温。...

本发明属于生物传感器，具体涉及一种外表面生长mofs的纳米孔道膜及其制备方法和应用。、传统的微囊藻毒素-lr检测方法包括高效液相色谱(hplc)，间接竞争酶联免疫吸附法(elisa)，液相色谱串联质谱法(lc-ms/ms)。这些方法具有较高的准确性和稳定性，但是多毒素同步检测能力弱并且通常...

本发明涉及一种用于引入空腔结构的方法。本发明还涉及一种具有这种空腔结构的微机械传感器。、de     a中描述了一种用于在衬底材料中引入空腔结构的方法。首先，在衬底材料上施加结构化的蚀刻掩模，以按照预定的图案产生孔。之后，执行各向异性蚀刻工艺，该各向异性蚀刻工艺由交替的蚀刻和钝化周期组成。...

本申请涉及量子器件，具体涉及一种具有防吸附结构的薄膜机械振子及制备方法。、腔光力学的核心是研究通过辐射压力介导的光场与物质运动之间的相互作用。由于对微小作用力、位移、质量和加速度进行高灵敏度光学检测的需求；以及，腔光力学有望使用光来操纵和检测量子状态下的机械运动，从而产生光和机械运动的非经...

本发明涉及芯片封装的，特别涉及一种mems传感器芯片的封装方法。、一些带有空腔结构且对空腔结构具有真空度要求的mems传感器芯片，如加速度计、陀螺仪、imu等mems传感器芯片，在封装时需要保证一定的真空度。、传统的mems芯片封装方案中，上下层晶圆之间形成空腔，mems的核心叉指结构设置...

本公开涉及半导体领域，更具体地涉及一种滤波器dbr（distributed braggreflector，分布布拉格反射）膜层刻蚀工艺方法。、在双层滤波器的生产工艺中，dbr膜层的刻蚀必不可少，且需要有很高的选择比以避免损伤衬底表面的二氧化硅膜层，但是dbr膜层主要是二氧化硅膜层和五氧化二...

本发明涉及微机电系统，特别涉及一种基于双单向阀的开放式结构mems致动冷却芯片。、随着半导体器件向“更小尺寸、更高集成度、更大功率密度”方向发展，热管理已成为制约电子设备性能提升与可靠性的核心瓶颈。例如，高端智能手机的soc（system onchip，系统级芯片）芯片功率密度已突破w/c...

本发明属于微纳制造与微机电系统(mems)，尤其涉及一种基于him预成孔与stem闭环控制的亚纳米二维异质结纳米孔制备方法。、随着分子识别与单分子测序技术的发展，纳米孔器件在生物医学检测、环境传感和分子筛分领域展现出巨大潜力。、现有固态纳米孔主要基于氮化硅(sin)或氧化铝(alo)膜材料...

本申请涉及半导体封装，特别涉及一种晶圆级真空封装方法及结构、红外探测器、热成像设备。、很多具有重要应用的器件如mems（micro electro-mechanical systems，微机电系统）器件需要进行晶圆级真空封装。目前晶圆级真空封装中使用的焊料环主要通过蒸发、电镀、植球和打印焊...

本发明涉及从晶圆中制造尤其是用于微机电装置的芯片的领域，并且涉及一种用于处理晶圆的方法和一种用于放置芯片的丝网。、具有微机电系统（mems，microelectromechanical system）的装置、例如微镜阵列或微镜致动器如今应用在多种装置中，例如在智能手机、投影机、抬头显示器、...

技术实现思路、本文描述的实施方式涉及施加在铜的玻璃通孔（tgv）与任何相关联的金层之间的导电阻挡层，以减少或消除铜穿过金层的迁移，并因此减少或消除金层表面上污染物（例如，cuo）的形成。、在一个方面，本发明可以是一种防止与导电玻璃通孔（tgv）相关的腐蚀的方法。该方法可以包括在玻璃衬底中形...