本发明的实施方式涉及太阳能电池制造设备和太阳能电池制造方法。、通过在衬底上布置p-n结二极管形成太阳能电池(cell)(即太阳能电池(battery))。当太阳光照射太阳能电池时，产生作为电子-空穴对的激子，并且当激子分离时，电子移动到n层并且空穴移动到p层，并且因此在p-n结处产生光伏电...

本说明书公开的技术涉及开关元件。、在日本专利公开-号公报中公开了具有沟槽型的栅极电极的开关元件。当开关元件断开时，漂移区域被耗尽化，在漂移区域内产生电场。在这种开关元件中，电场容易集中于沟槽的下端。为了抑制沟槽的下端的电场集中，已知有设置p型的电场缓和区域的技术。电场缓和区域被配置在包含沟...

本发明涉及数据处理领域，尤其涉及一种基于供应链协同的可信数据共享方法及系统。、随着供应链节点企业的增多，海量业务数据的共享需求呈指数级增长，因而需要大量的共享空间去存储这些海量数据。例如，在汽车供应链中，主机厂与数百家零部件供应商之间每日需交互数千万条物料需求数据，未压缩的原始数据占用大量...

本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。、具有垂直沟道晶体管的dram器件通常包括呈阵列排布的有源柱，以及掩埋于有源柱下部的多个位线。随着半导体结构不断朝着小型化、高集成度的方向发展，位线的密集度增加且尺寸缩小，从而引发一系列问题。技术实现思路、本公开实施例提供了一种半导体结...

本发明属于照明调节领域，尤其涉及led户外灯环境适应性光谱调节系统及方法。、led户外灯因其节能、寿命长等优点在大桥照明和车辆引导中得到了广泛应用。然而，现有的大桥车辆led引导灯系统存在诸多不足。目前，大桥上的大多led引导灯在开启方式上缺乏自适应机制，往往采用固定的开启模式，无法根据实...

本申请涉及半导体，具体涉及一种发光结构及其制备方法。、micro-led显示屏这种新兴的显示技术，因为高亮度、低功耗、长寿命和高对比度等优点而得到广泛的应用。根据屏幕尺寸的大小，micro-led显示屏一般分为小微尺寸、中小尺寸、中大尺寸、大尺寸和超大尺寸等几类。其中，小微小尺寸的显示屏，...

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种分栅快闪存储器及其形成方法。、快闪存储器为一种非易失性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失。如今快闪存储器己经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，...

本发明属于led灯珠，尤其涉及红光增强阳光全光谱led灯珠及其制备方法。、led灯珠是一种半导体元件，具有发光效果的芯片，是现代照明领域最流行的光源之一。在led灯珠生产时，需要应用到led灯珠制作工艺及方法。、中国专利公开了(cna)一种紫罗兰led灯珠,所述led灯珠包括led蓝光芯片...

本发明涉及led器件，尤其涉及一种led发光结构及其制造方法和发光装置。、现有led发光角度调控技术主要是依赖单一光学结构来进行调控，示例性地，光学结构为微透镜阵列层或散射层，难以同时实现大发光角度和均匀发光特性，而传统led器件呈现典型的朗伯体辐射特性：i(θ)＝i·cos(θ)，则le...

本发明属于新能源充电器，更具体地说，特别涉及新能源车太阳能dcdc充电器。、太阳能充电器是一种太阳能转换为电能的装置，将太阳能转换为电能以后存储在蓄电池里面，蓄电池可以为任何形式的蓄电装置，一般由太阳能光电池，蓄电池，调压元件三个部分组成。、太阳能充电器在工作过程中会产生大量热量，这些热量...

本发明涉及材料科学，特别是一种cdzns/pbs/cdzns叠层深阱复合发光层的qwled及其制备方法。、量子点作为一种三维尺度均处于~nm范围内的准零维材料，可通过调控量子点生长时间、反应温度、配体等参数来控制量子点尺寸、形状以及发光波长。硫化铅量子点作为一种p型半导体纳米材料，具有可调...

本发明涉及hemt，具体涉及一种p-gan栅及其制作方法。、随着半导体材料的发展，半导体材料至今已经从以硅为代表的第一代半导体材料，到以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料，再到如今以氮化镓（gan）、碳化硅（sic）为代表的第三代宽禁带半导体材料，其中hemt（高电子迁移率晶体管）就是...

本发明涉及柔性光疗仪领域，尤其涉及一种柔性光疗仪led封装结构。、光疗仪是一种利用特定波长的光照射人体，以达到治疗或护理目的的医疗设备。它广泛应用于皮肤科、康复医学、美容护理等领域，用于治疗痤疮、促进伤口愈合、缓解疼痛、改善血液循环等。随着人们对健康和美容的关注度不断提高，光疗仪的需求也在...

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种闪存浮栅的形成方法。、nm以及以下制程中闪存的浮栅(fg)在有源区(aa)工艺环(loop)后形成，可以与逻辑工艺较好地融合。现有方法中，浮栅的厚度由化学机械研磨(cmp)干法刻蚀(et)定义，受负载(loading)差异的影响较大，fg...

本申请涉及智能制备领域，且更为具体地，涉及一种超薄印制电路板的制备方法及系统。、超薄印制电路板作为推动现代电子设备实现小型化和轻量化的重要技术，在可穿戴设备、柔性电子及微型传感器等领域展现了其不可或缺的应用价值。这种电路板的生产涉及精密多层材料堆叠与微细线路加工等复杂工艺，其中防焊油墨的固...

本申请涉及显示设备，尤其涉及一种显示面板、显示模组和显示装置。、有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)以及基于发光二极管(light emitting diode，led)等技术的平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广...

本申请涉及半导体器件，具体涉及一种基于超透镜的红外光电探测器及其制作方法。、红外光电探测器是一种基于光电效应来探测红外辐射的设备，当红外辐射照射到探测器的光敏材料上时，红外辐射的光子能量被光敏材料吸收，使光敏材料中的电子从价带跃迁到导带，形成光生载流子，这些光生载流子在外加电场或内部自建电...

本发明涉及功率半导体电力电子器件，具体涉及一种高反向耐压的分裂沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管。、功率半导体器件是高科技产业高效发展的关键，其中功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfe...

本申请涉及半导体功率器件领域，尤其是涉及一种igbt元胞结构及制作方法。、绝缘栅双极性晶体管（igbt）已广泛地应用于电力电子系统，是功率转换的核心器件；绝缘栅双极性晶体管（igbt）的短路时间是指igbt在短路条件下能够持续导通而不发生故障的时间，也称为“短路耐受时间”。、绝缘栅双极性晶...

本发明涉及充电桩检测装置的液冷系统领域，具体涉及一种充电桩检测装置的液冷系统。、目前，现有的充电桩检测装置本身由于直接连接充电桩的充电枪进行测试，特别随着市面上的v、乃至v高压平台出现，其使得充电桩检测装置电压高、发热量大，且由于充电桩检测装置本身尺寸有限，小尺寸风扇的气冷结构无法满足不断...