本专利文件中公开的技术和实施方案总体上涉及一种用于在其中存储数据的存储器装置及其操作方法。、半导体存储器装置可以包括用于在其中存储数据的多个存储器单元。此外，半导体存储器装置可以分类为非易失性存储器装置和易失性存储器装置，非易失性存储器装置即使在电力供应中断时也能保留存储的数据，易失性存储...

本发明的涉及随机存取存储器（ram）单元，每个单元包含一个元件，其状态定义了一个信息比特，根据定时操作序列进行读取或写入。、在诸如随机存取存储器（ram）之类的存储器中，操作的精确计时对于确保写入和读取操作的正确工作流程至关重要。各种信号的时序和传播直接影响数据写入或检索的速度和可靠性。、...

本公开内容涉及一种半导体系统，用于基于温度来调整每个区域的刷新操作的周期。、随着用于制造半导体器件的技术的发展，用于实施半导体器件的多个核心芯片的封装技术实现了高集成度和高性能。在用于实施半导体器件的封装技术中，相比于其中多个核心芯片平铺地设置在印刷电路板(pcb)上的二维结构，与其中多个...

本发明属于内存测试的，具体涉及一种具有模块组合式控温系统的内存测试设备。、在电子产品的开发与生产过程中，内存条测试是确保产品质量和稳定性的关键环节。内存条正常工作温度范围大概在-度之间，一般测试温度在-之间。通过将内存条放到温度恒定在度(可调)的测试箱体内，然后通过自身发热，整体ic颗粒温...

本申请涉及内存条测试，具体而言，涉及一种用于内存条的高低温测试设备。、在电子产品研发与生产环节中，内存条的环境适应性是保障终端设备长稳运行的核心要素，ddr内存条凭借高频率、大容性、低功耗的技术优势，已快速取代ddr成为市场主流，广泛应用于服务器、aipc等高负载场景。其工作温度易受自身发...

本申请涉及相变存储器，具体涉及一种相变存储器的刷新管理方法及存储系统。、相变存储器包括传输线以及耦接在传输线之间的存储单元。存储单元利用相变材料在不同相间的电阻变化进行工作以存储数据。相变存储器的写操作包括：通过传输线向存储单元施加一个中等宽度、较低幅值的电流脉冲信号，可以使得存储单元从r...

本发明总体上涉及关联处理单元，并且特别地涉及与高带宽存储器紧密耦合的关联处理单元。、多芯片封装技术已成为满足电子系统对更高性能和集成度日益增长需求的解决方案。其中一种技术是衬底上覆晶圆上覆晶片（chip-on-wafer-on-substrate, cowos），它采用硅中介层将多个管芯并...

本申请涉及半导体与集成电路，尤其涉及一种存储器的外围电路、存储器的操作方法及电子设备。、存储器是电子设备存储数据、支撑系统运行的核心硬件。在对存储器进行数据读取操作时，在发送读取操作相关指令后，需在等待固定数量的时钟周期后，所操作的数据才会出现在数据总线上，所述固定数量的时钟周期即为读延迟...

本申请涉及存储器，具体涉及一种存储器的操作方法、控制器及电子设备。、随着半导体技术的发展，相变存储器(phase change memory，pcm)等新型存储技术应运而生，其被视为替代或补充传统动态随机存取存储器与nand闪存的重要方案。相变存储器可以基于以电热方式对相变材料所做的加热和...

本发明涉及一种存储器装置及其数据擦除方法，尤其是涉及一种可提升使用寿命的存储器装置及其数据擦除方法。、现有的或非式闪存（nor flash）一般是以区块（block）的形式来执行数据擦除动作。由于仍受限于制程的均匀度或是缺陷等因素，会有所谓的拖尾或离群的慢速擦除存储单元的现象。但执行数据擦...

、.、本主题公开整体涉及存储器设备，并且更具体地涉及用于改善可靠性的改善的读取和验证技术。、.相关技术、半导体存储器广泛用于各种电子设备(诸如蜂窝式电话、数码相机、个人数字助理、医用电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备)中。半导体存储器可包括非易失性...

本发明的多种实施例总体上涉及一种半导体电路，更具体地，涉及一种测试电路和包括该测试电路的半导体装置。、一种堆叠的半导体装置包括封装件中的多个半导体裸片。多个半导体裸片通过键合引线电连接。照此，当通过键合引线连接多个半导体裸片时，由于物理约束，焊盘的数量受到限制。、需要半导体装置来执行测试操...

本公开总体上涉及集成电路。更具体地讲，本文所公开的主题涉及对存储器芯粒（chiplet）的改进。技术实现思路、半导体设计的主要改进是芯粒，一种模块化硅芯片，其被设计为与其他芯粒一起工作以创建更大的系统。芯粒通常被设计用于特定功能，诸如存储器、处理或i/o操作。包括基底管芯（base die...

本公开涉及半导体装置的驱动方法及半导体装置，尤其涉及对非易失性电阻变化元件写入目标电阻值的驱动方法。、以往，已提出一种非易失性电阻变化元件的驱动方法，该驱动方法将神经网络等中使用的、取模拟连续值的权重系数(以下也简称为“权重”)作为电阻值(或者也称为其倒数即电导值)来保持(例如，参照专利文...

本申请涉及闪存颗粒分级，尤其是一种基于多重筛选标准的闪存颗粒分级方法、控制器和介质。、当前，针对闪存的筛选，主要采用的方案是在高低温下进行连续的擦写读，从而覆盖了高温写高温读、高温写低温读、低温写低温读、低温写高温读不同温度条件下的筛选，最终根据是否存在高低温擦写读失败从而判断数据块的好坏...

本发明涉及半导体可靠性测试，具体是涉及一种用于存储芯片老化测试的智能结批方法及系统。、在半导体存储芯片（如emmc、ufs等）的可靠性验证过程中，高温老化测试（burn-intest）是关键环节之一。该测试通过在高温、高电压等加速应力条件下长时间运行被测器件（dut），以提前激发出潜在的早...

本公开涉及用于执行预擦除操作的存储设备以及包括该存储设备的电子系统。、存储设备可以包括用于存储数据的非易失性存储器件和用于控制该非易失性存储器件的存储控制器。存储设备可以执行编程操作，以将从主机接收的写入数据存储到非易失性存储器件的已擦除存储块中。当存储设备接收到用于存储写入数据的请求，但...

本申请涉及存储器，尤其涉及一种测试方法、zq校准装置及存储器。、区域（zone qualifier，zq）校准是在存储器的芯片增加zq端口，zq端口用来外接一个高精度的校准电阻。校准时，控制内部电阻的编码（code）开始跳变，内部电阻和校准电阻串联的分压与参考电压通过比较器进行比较，将比较...

示例实施例总体上涉及半导体集成电路，并且更具体地涉及三维（d）半导体存储器装置以及包括d半导体存储器装置的存储器系统。、对电子产品的小型化、多功能和/或高性能的需求/期望导致对高容量半导体存储器装置的需求。为了提供大容量半导体存储器装置，需要/期望增加的集成度。由于现有二维（d）半导体存储...

本申请涉及存储测试，尤其涉及一种dram数据保持时间的测试方法、装置、设备和介质。、dram的原理是通过电容来存储写入的数据，因为电容随着时间的流失会漏电，导致数据丢失，所以dram的数据需要进行周期性的刷新确保数据可长久不变。数据保持时间（retention time）是dram关键的可...