信息存储应用技术
  • 存储器件中的多模式兼容ZQ校准电路的制作方法
    本公开涉及存储器件及其校准方法。闪速存储器是一种能够电擦除并且重新编程的低成本高密度非易失性固态存储介质。闪速存储器包括按照nor逻辑门和nand逻辑门命名的nor闪速存储器或nand闪速存储器。nand闪速存储器可以使其数据总线以双倍数据速率(ddr)操作,从而在时钟信号的上升沿和下降沿...
  • 存储器件及其编程操作的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求于2020年3月23日提交的标题为“用于3dnand闪存的操作方法和3dnand闪存(operationmethodfor3dnandflashand3dnandflash)”的国际申请pct/cn2020/080636的优先权的权益,通过引用将该国际申请的全文并入本文...
  • 对由于块氧化物减薄引起的编程速度变化进行补偿的存储器设备的制作方法
    本技术涉及存储器设备的操作。半导体存储器设备已经变得越来越普遍用于各种电子设备。例如,非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备。电荷存储材料(诸如浮栅)或电荷俘获材料可以用于此类存储器设备中以存储表示数据状态的电荷。电荷俘获材料可以...
  • 用于3D NAND的源极侧编程、方法和装置与流程
    相关申请的交叉引用本申请要求2019年6月26日提交的美国非临时申请序列号16/453,268的优先权和权益。1.符合示例性实施方案的系统、装置和方法涉及三维(3d)nand闪存存储器的编程,并且更具体地涉及3dnand闪存存储器设备的源极侧编程。2.相关领域的描述3dnand闪存...
  • 3D NAND的预测升压的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求2019年6月7日提交的美国非临时申请序列第16/434436号的优先权和权益。本公开涉及存储器系统,并且具体地讲,涉及三维非易失性存储器诸如nand的预测升压。存储器设备通常被提供为计算机或其他电子设备中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器,包括随机...
  • 用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术的制作方法
    交叉参考本专利申请案主张由皮奥(pio)在2019年12月12日申请的标题为“用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术(systemsandtechniquesforaccessingmultiplememorycellsconcurrently)”的第16/712,682号美国专利申请案及由皮奥...
  • 存储器装置低功率模式的制作方法
    交叉引用本专利申请要求瑞希特(richter)等人于2019年12月18日提交的名称为“存储器装置低功率模式(memorydevicelowpowermode)”的第16/719,904号美国专利申请和瑞希特等人于2018年12月20日提交的名称为“存储器装置低功率模式(memorydevicel...
  • 用于存储器装置中的多电平信令的反馈的制作方法
    交叉参考本专利申请案主张由卡里姆(karim)等人在2019年12月14日申请的标题为“用于存储器装置中的多电平信令的反馈(feedbackformulti-levelsignalinginamemorydevice)”的第16/220,755号美国专利申请案的优先权,所述美国专利申请案转让给其受...
  • 存储器装置中的信号开发高速缓冲存储的制作方法
    交叉参考本专利申请案主张尤达诺夫(yudanov)等人的标题为“存储器装置中的多路复用信号开发(multiplexedsignaldevelopmentinamemorydevice)”且在2018年12月21日提出申请的第62/783,388号美国临时专利申请案的优先权,所述临时专利申请案转让给...
  • 使用起始相位调制进行加水印的设备和方法与流程
    本公开总体上涉及媒体监测,并且更特别地,涉及使用起始相位调制进行加水印的设备和方法。诸如电视广播的媒体可以利用水印来进行编码,在检测时,对水印进行解码以识别呈现的媒体。附图说明图1是使用起始相位调制进行加水印的示例环境的框图。图2是根据本公开的教导的使用起始相位调制对水印进行编码的图1的示...
  • 垂直磁记录介质的制作方法
    本发明涉及垂直磁记录介质,详细而言,涉及具备垂直磁记录层和覆盖垂直磁记录层的帽层的垂直磁记录介质。需要说明的是,在本申请中,帽层是指在垂直磁记录介质中覆盖垂直磁记录层的层,是调整垂直磁记录层的磁性晶粒之间的粒间交换耦合的程度的层。现有的垂直磁记录介质的垂直磁记录层为颗粒层,为了将各磁性晶粒...
  • 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置与流程
    本公开涉及显示,尤其涉及一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置。在像素驱动电路中,扫描晶体管与复位晶体管大部分时间都是关闭的,需要较低的漏电速度;开关晶体管和驱动晶体管大部分时间都是开启的,需要较高的电荷迁移率。结合氧化物薄膜晶体管(英文:thinfilmtransis...
  • 一种存储器最佳读电压确定方法与流程
    本发明涉及存储系统控制器领域,具体是一种存储器最佳读电压确定方法。过去十年间,非易失性存储市场呈现爆发式增长。nand闪存存储器凭借良好的抗震性能,高集成密度,低廉的市场价格及出色的可靠性表现等诸多优势成为当今非易失性存储领域主流的存储媒介。nand闪存存储器在消费市场的主要表现形式为:(...
  • 三维存储器、检测装置、三维存储器装置及检测方法与流程
    本申请涉及半导体。具体地,本申请涉及三维存储器领域。3dnand存储器作为一种三维非易失性闪存,通过堆叠多层存储器单元形成存储串的阵列来增加单位面积的存储密度,克服了二维(2d)存储器件的限制。存储串包括源极选择晶体管,多个存储串的源极选择晶体管通过同一个源极线(例如,公共源极线)...
  • 一种抗单粒子加固的SRAM单元及SRAM器件的制作方法
    本发明属于半导体,具体涉及一种抗单粒子加固的sram单元及sram器件。随着半导体技术的发展,半导体存储器也得到了飞快的发展,其由于具有存取速度快、存储容量大、体积小等优点,以逐渐替代了过去的磁性存储器。静态随机存储器(sram)是半导体存储器中一种,其具有静止存取功能,不需要刷新...
  • 自旋轨道矩器件及其操作方法、装置与流程
    本公开涉及微电子,尤其涉及一种自旋轨道矩器件及其操作方法、装置。现有技术中,可以应用于传统数字计算机中的垂直磁各向异性的两态非易失性自旋微纳器件多用于确定性调控,以实现响应的存储和逻辑等功能。其中,自旋轨道矩(spin-orbittorque,简称sot)器件相比其它非易失性器件,...
  • 存储器、存储器的数据读取方法及存储器系统与流程
    本申请涉及存储装置,更具体地,涉及存储器、存储器的数据读取方法及存储器系统。闪速存储器是一种非易失性存储器,其能够在不加电的情况下保持所存储的数据。相较于传统硬盘,闪速存储器具有更快的读取速度、更低的功耗、更好的抗震性等优点,也因此被越来越多的应用。例如,闪速存储器常被用到诸如个人计算机、...
  • 音频采集装置和录音设备的制作方法
    本申请涉及智能设备,例如涉及一种音频采集装置和录音设备。目前,市场现有的音频采集装置和录音设备,其产品形态主要以录音笔等形式出现,分为面向个人用户提供服务的产品和面向商家、企业级或业务部门提供服务的产品。在实现本公开实施例的过程中,发现相关技术中至少存在如下问题:现有的音频采集装置...
  • 存算一体数据读取译码电路以及存算一体存储器的制作方法
    本发明涉及半导体集成电路领域,尤其涉及一种存算一体数据读取译码电路以及存算一体存储器。存储器(memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备,其主要功能是存储程序和各种数据。在存储器的可靠性中,存入数据和读取数据过程中,为了对抗传输中的噪音和衰减以及人为干扰,使得经逻辑和存储后的码与...
  • 一种灵敏放大器的制作方法
    本发明涉及集成电路,尤其涉及一种灵敏放大器。如今,半导体存储器被广泛应用在各种电子产品中,灵敏放大器作为半导体存储器的一个重要组成部分,直接影响到半导体存储器的读写速度。随着增强现实(augmentedreality)、自动驾驶汽车(automatedvehicles)以及无人机(...
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