本发明属于芯片封装，具体涉及一种芯片抗冲击封装结构。、微机电系统（mems）探测器，如红外探测器、加速度计、陀螺仪等，因其体积小、性能好、成本低等优点，被广泛应用于汽车电子、工业控制、航空航天及消费电子等领域。然而，其核心传感单元 —— 芯片本身结构脆弱，内部的微机械结构（如梁、膜、质量块...

本发明涉及传感器，具体涉及一种用于传感器tsv孔的填充工艺及传感器芯片。、随着消费电子、工业测控、智能传感等领域对器件集成度、传输效率和可靠性的要求持续提升，三维集成技术成为突破传统平面集成技术瓶颈的关键实现路径，而tsv（throughsiliconvia，硅通孔）技术作为三维集成技术的...

本发明涉及一种根据权利要求所述的用于键合微结构元件的方法。此外，本发明涉及一种具有微结构元件的微结构组件。、在制造微机电元件（mems元件）时，晶圆键合是一种已知的方法，在该方法中多个晶圆以限定的间距机械连接，其中，通常必须同时在不同晶圆上的结构之间建立电绝缘的接触。、存在晶圆键合的不同的...

本技术涉及传感器，具体涉及传感器封装结构、传感器及电子设备。、在消费电子领域，传感器常被应用于智能手机、手表等终端设备中，用于检测气压、水深等环境参数。由于mems芯片对外界光照高度敏感，尤其是在红外、可见光等波段照射下易产生信号偏移，从而导致检测精度下降甚至误触发，因此对传感器的抗光噪干...

本技术涉及半导体，具体而言涉及一种用于检测金属键合质量的半导体结构及电子装置。、微电子机械系统(micro-electro-mechanical system，简称为mems)是一种集成传感器、微执行器和微电路的典型化系统，广泛应用于汽车、航天航空、生物医疗、军事等诸多领域。、金属键合是m...

本申请涉及微机电，具体而言，涉及一种mems器件及其制备方法。、微机电系统（mems）芯片的制造通常基于硅基晶圆工艺。首先在硅衬底上沉积一层热氧层，随后通过布图和沉积，在晶圆表面构建出薄膜结构。对于mems可动结构（可含有振膜），需要在工艺末期通过深硅刻蚀从晶圆背面形成背腔，然后对背腔内暴...

本发明属于材料表面超疏水化，尤其涉及一种上下分层的抗冲击超疏水表面微米结构。、超疏水表面通常指水接触角大于°且滚动角小于°的特殊浸润性界面，在自清洁、防冰、防腐、减阻及液滴操控等领域具有广阔的应用前景。根据cassie-baxter模型，液滴在超疏水表面呈现悬浮状态，其下方存在被表面微纳结...

本发明涉及磁场传感器，具体提供一种热匹配微纳磁场传感器的封装结构及其封装方法。、mems(微纳)磁场传感器由于其具有极高的灵敏度和分辨率、优异的温度稳定性、小体积、低功耗以及宽动态范围等典型性能优势，已经进入磁场传感器的主流市场，为数据支撑和决策、智能控制和优化、自动化和智能化生产、预测性...

本发明涉及光声成像以及超声传感器，尤其涉及一种pmut单通道结构、超声传感通道单元、柔性模块化超声传感器阵列、光声成像系统及传感器。、光声成像是一种结合了光学成像高对比度与超声成像深穿透性的生物医学成像技术。该技术利用脉冲激光照射组织产生光声信号，再由超声传感器接收并重建图像。、目前，光声...

本发明涉及半导体，特别涉及一种梳齿结构的制备方法及mems微镜。、静电驱动式mems微镜（简称“mems微镜”）是利用平行平板结构或梳齿电极结构之间的静电力迫使镜面转动，具有较高的精度以及较快的响应速度。现有技术中，mems微镜下梳齿结构通过在绝缘体上硅晶圆（soi wafer）多次刻蚀制...

本申请涉及半导体，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法。、在一些需要内部有可动部件或密闭空腔的半导体器件（例如mems传感器、mems执行器、光电器件、谐振器等）的结构中需要形成空腔，形成空腔的过程中首先通过释放口释放牺牲材料，接着在牺牲材料释放后将释放口封闭，以形成特定环境（例如真空、...

本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种光量子mems气室制作方法、光量子mems气室及物理系统。、随着科技的发展，基于原子钟的导航定位系统在军事和民用上得到越来越多的应用，近年来，一种基于现代量子技术、电子技术、微机械电子系统（mems）和d微组装工艺发展起来的基于cpt原理的芯片原子钟技术应...

本发明属于半导体三维集成，涉及一种mems结构及其制作方法。、微机电系统（micro-electro-mechanical system，简称mems）通过在单晶硅等基底上集成敏感结构、执行结构与信号处理电路，实现对物理量的采集、处理、传输乃至执行控制，是典型的“超越摩尔”集成技术方向。m...

本技术涉及半导体封装，尤其是涉及一种多芯片产品封装结构及电控设备。、多芯片集成封装技术能够将多种功能各异的芯片整合于单一封装体内，从而形成具备特定预设功能的模组化单元。在进行封装设计时，需综合考虑目标频段与应用场景，通过系统化的仿真分析对封装工艺参数进行优化，以确保传感器在实际应用环境中的...

本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种红外光源结构及制备方法和气体传感器及测量方法。、mems红外光源是一种用于产生红外辐射的微型器件。如图所示，mems红外光源的基本结构从下至上依次为带有空腔的衬底、绝缘隔离层、发热辐射层和保护层。该结构产生的红外辐射波长范围较宽，尽管可通过调节发热辐射...

本发明涉及微机电系统，具体涉及一种六自由度运动的驱动器的制备与组装方法以及一种将图像传感器芯片集成于六自由度mems可动平台之上的封装方法，通过驱动mems微动平台带动整个焦平面阵列进行平移、旋转或变形，从而实现光学防抖、电子稳像、微扫描、快速视场切换等功能的集成化器件与系统。、在光学器件...

本发明涉及微纳器件制造，具体涉及一种基于二维mofs材料的微纳器件及其制备方法和应用。、在微纳器件制备领域，传统工艺通常依赖于在材料表面直接构建顶电极，具体涉及电子束曝光、光刻及金属蒸镀等一系列步骤。这些步骤往往需要多次使用溶剂进行浸泡与清洗，并辅以高温处理，以实现所需的表面图案化。然而，...

本发明涉及微纳制造与微组装，具体涉及一种微针阵列式巨量转移装置及制备方法、微纳器件转移方法。、微转移打印技术作为异质集成，柔性电子制造和micro-led显示等领域的核心工艺，近年来受到了广泛关注。该技术利用软聚合物印章将微纳物体从供体基板转移到受体基板，实现了不同材料的异质集成。然而传统...

本申请涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。、在半导体制造领域，尤其是微机电系统（micro-electro-mechanical system，mems）器件、三维封装结构及高深宽比刻蚀工艺中，深反应离子刻蚀（deep reactive ionetching，drie）技术...

本发明涉及半导体，尤其涉及一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构。、mems（micro-electro-mechanical system，微机电系统）晶圆级封装技术，是在晶圆制造完成后，直接对整个晶圆进行封装，之后再切割成单个芯片的技术。它能显著提升mems器件的性能和可靠性，实现器件小型...