本发明属于半导体制造，具体涉及一种mems通孔结构及其制备方法。、在微机电系统（mems）的制造中，硅深刻蚀是实现三维结构的关键。业界长期以来面临着两种各有显著弊端的技术路线选择：其一是深反应离子刻蚀（drie）工艺，它能精确制造高深宽比的垂直结构，但其等离子环境会引入氟、硫等副产物，导致...

本发明涉及半导体及其制备，具体是一种小尺寸低寄生电容esd器件及其制备方法。、随着mems压力传感器、惯性传感器等微机电系统器件向高灵敏度、小尺寸和片上高度集成方向发展，esd防护器件逐渐由封装级或芯片外围防护，转向直接集成于mems传感芯体内部或其近邻区域；然而，现有esd器件在与mem...

本发明属于微纳加工，具体涉及一种微纳结构及其制备方法和应用。、光电子器件微小型化是大势所趋，然而，现有的自上而下的微纳加工方法严重制约了小型化量子器件的制备。虽然一些现有的自上而下加工工艺可以实现几十纳米级的加工，但获得的微纳结构边缘往往附带有非常多的毛刺，且当加工尺寸小于纳米时，这些毛刺...

本发明涉及芯片制造，尤其涉及一种高抗扰mems悬臂梁光声传感芯片的制造方法。、高抗扰mems悬臂梁光声传感芯片的制造中，pi弹性膜与键合质量是决定芯片成型精度、结构稳定性及抗扰性能的核心要素。pi弹性膜作为悬臂梁的关键柔性支撑与抗扰缓冲结构，其制备质量直接影响芯片成型完整性，良好的pi膜可...

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种mems器件及其制备方法。、全耗尽型绝缘体上硅工艺（fdsoi，fully depleted silicon on insulator）制备的压力传感器因在高温工作环境下的漏电流不会显著增加而广泛应用于对传感器高温状态下的性能有较高要求的工作领域。fds...

本发明属于传感器，具体涉及一种cmos-mems光学传感器及其制备方法。、mems结构一般具有与cmos结构不一样的制备工艺，当需要将mems结构与cmos结构集成时因工艺不同，往往会先在两片晶圆上分别制备mems结构和cmos结构，再通过封装集成在一起。封装方式包括先将mems结构与cm...

本发明属于微机电系统领域，具体涉及一种高深宽比碳微结构电极阵列及其制备方法。、微机电系统中，微电池、电化学类微传感器往往需要具有高深宽比的微结构电极阵列。相较于平面二维电极，高深宽比的三维电极，可提高同投影面积下的反应表面积，进而提升器件的性能。、以锂电池为例，其负极通常为石墨类材料。为提...

本技术涉及压力传感器，具体为一种压力传感器封装结构。、压力传感器的封装主要分为mems晶圆级封装、金属焊接封装、注塑成型和充油隔离封装等，其中晶圆级封装是一种先进的封装技术，因其具有尺寸小、电性能优良、散热好、成本低等优势，近年来发展迅速。、现有的mems晶圆级封装表压力传感器，由于封装外...

本发明实施例涉及微机电系统，具体涉及一种用于mems器件的密封结构及其制备方法。、微机电系统（micro electromechanical system，以下简称“mems”）是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微...

本申请涉及mems芯片，特别涉及mems芯片、mems芯片的制作方法、传感器及电子设备。、传感器是一种将外界信号转换为电信号的精密微型器件，其核心原理是利用外界信号的变化引起机械结构的位移，进而改变电容值，转化为电信号被检测到。对于压力传感器而言，就是将外界声压信号转化为mems芯片敏感膜...

本发明涉及控制器件，具体涉及一种mems控制器及mems器件。、mems(micro-electro-mechanical system，称为微电子机械系统或微系统)是尺寸在几毫米乃至更小的装置，其内部结构一般在微米甚至纳米量级。mems基于微电子技术(半导体制造技术)发展而来，融合了光刻...

本发明涉及微机电系统制造，具体涉及一种电场传感器场增强盖板及其制备方法，尤其适用于晶圆级真空封装与电场增敏结构的集成制造。、电场探测在航空航天、气象、电力、危化、工业生产等领域都有着广泛的应用。采用微机电系统（mems）方式研制的各类电场传感器具有体积小、重量轻、成本低的特点，因此成为了电...

本发明属于半导体，涉及一种高兼容性的异质集成方法。、异质集成技术旨在将不同工艺、材料和功能的模块进行组合，得到突破单一材料物理限制的多功能、高性能新型材料平台，正因为此，异质集成技术已成为众多前沿科技领域的关键技术。、但是对不同特性、不同尺寸、以及与现有mems标准工艺尺寸不兼容的模块进行...

本发明属于微纳加工与先进制造，特别的，属于一种基于形状记忆合金相变驱动的三维曲面微结构的制备方法。、随着微系统集成度提升和功能需求升级，传统平面结构的性能瓶颈日益显现。在光束整形、光谱调制等前沿领域，具有三维曲面特征的光学元件展现出不可替代的优势。典型的三维微光学器件包括曲面微透镜阵列、立...

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种封装结构及其形成方法、电子设备。、微机电系统(mems)技术作为现代精密制造和微型化技术的重要分支，广泛应用于传感器、执行器及其他微型设备的开发中，mems器件的制造集成了微细加工技术与半导体加工技术，其精度和可靠性直接影响器件的性能。、在mems器件的制...

本发明属于微流控芯片领域，涉及一种基于微流控的氧合等离子体表面键合方法。、湿法清洗和干法清洗是目前针对表面清洗主要的两种传统清洗方法。用液体作为清洗媒介属于湿法清洗，例如蒸汽清洗，溶液浸泡清洗和旋转喷淋清洗。液体清洗容易引入新的杂质因此对于钢铁材料等物质在不添加其他有效成份的条件下无法进行...

本申请属于半导体封装，尤其涉及一种pcb扩展背腔封装工艺。、现有常规硅麦pcb设计封装是在一块pcb基板上平行摆放mems电容式芯片及asic集成芯片，使用贴片胶实现mems电容式芯片及asic集成芯片与pcb的固定，其次通过专用设备利用金线分别把mems电容式芯片与asic集成芯片、 a...

本发明涉及微型力/力矩传感器，具体涉及一种半导体应变计的制造方法及半导体应变计。、随着机器人、协作机器人（cobots）和微纳制造设备对触觉、力反馈精度与尺寸的要求不断提高，微型化、高集成度的多轴力/力矩传感器成为研究与工程应用的热点。为在机械结构狭小的空间内实现高精度多分量测量，研究者通...

本申请属于微电子，具体涉及一种柔性信号传输结构。、当前，微同轴传输结构的制造普遍采用硅基或玻璃基mems（micro-electro-mechanical system，微电子机械系统）工艺，通过电镀铜或多晶圆键合技术形成金属层结构。这类结构虽然在高频信号传输中具有优异性能，但其基底材料固...

本发明涉及控制器件，具体涉及一种mems控制器及mems器件。、mems(micro-electro-mechanical system，称为微电子机械系统或微系统)是尺寸在几毫米乃至更小的装置，其内部结构一般在微米甚至纳米量级。mems基于微电子技术(半导体制造技术)发展而来，融合了光刻...