本发明涉及半导体传感器，特别是涉及一种mems封装结构。、对于许多的半导体传感器而言，尤其是mems传感器，其工作时的性能都受到所处真空度水平的影响，通常都需要较高真空（～- pa）环境才能达到所需的灵敏度与品质因子。这些mems器件包括惯性传感器，例如mems陀螺仪、mems加速度计，还...

本发明涉及半导体晶圆制备，具体涉及一种mems（micro-electro-mechanical systems，微机电系统）红外探测器晶圆的制备方法。、在非制冷红外探测器的晶圆级封装工艺中，通常需要在读出电路晶圆上形成mems红外探测结构，并在其表面构建用于真空封装的焊料环结构。现有技术...

本发明涉及微纳器件加工领域，尤其涉及一种多台阶微纳结构及其制备方法。、多台阶微纳结构在微流控，仿生功能器件表面，mems器件，微光学透镜阵列等领域中广泛应用。、但是传统微纳加工工艺中，往往是采用如下方式制备：）有多少不同高度的台阶（假设为种），就需要制备不同高度的光刻掩膜（如个），进行不同...

本发明涉及由晶圆制造尤其是用于微机电装置的芯片的领域，并且涉及一种用于将晶圆的芯片转移到基底上的方法以及一种相应的转移装置。、具有微机电系统（mems，microelectromechanical system）的装置、例如微镜阵列或微镜致动器如今被应用于多种装置中，例如在智能手机、投影仪...

本技术涉及材料科学领域，特别是金属元素的自支撑d单原子厚度材料（金属烯）的合成和生产。这些材料表现出独特的电子特性和高表面积与体积比，使它们适合电子学、催化、光子学、传感和生物医学中的各种应用。、比如金、银、铂、钯、铱和铑等贵金属在电子学、催化、光子学、传感和生物医学中的各种应用中具有优异...

本申请涉及半导体，具体而言涉及一种mems器件及其制造方法。、随着半导体技术的不断发展，在传感器类产品的市场上，基于微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)工艺制备形成的mems麦克风，因与传统麦克风相比具有体积小、成本低且性能稳定等优点而被广...

本发明涉及传感器封装，更具体地，涉及一种用于植入式微型mems传感器的聚对二甲苯复合涂层封装方法。、对于植入式mems（micro-electro-mechanical system, 微机电系统）设备的封装，有五个主要要求，也即：超薄、耐体液腐蚀、高可靠性、高生物相容性和对传感器性能的最...

本公开总体上涉及光学微机电系统(mems)管芯和制造光学mems管芯的方法。、单片化是半导体制造中的一种工艺，其中包含很多个体电路或管芯的晶片被划分成个体单元以用于电子设备。每个个体单元可以对应于相应管芯。单片化的目标是精确地分离出管芯，同时使对每个管芯的损坏最小化。考虑到所需要的精度，会...

本发明涉及微电子器件集成设计及制造领域，特别是涉及一种微电子器件封装结构的制备方法。、对于许多的半导体传感器而言，尤其是微机电系统（mems）传感器，其工作时的性能都受到所处真空度水平的影响，通常都需要较高真空（～- pa）环境才能达到所需的灵敏度与品质因子。这些mems器件包括惯性传感器...

本申请涉及半导体，具体而言涉及一种mems器件及其制备方法。、随着物联网、g通信、智能穿戴及汽车电子等领域的快速发展，微机电系统（micro-electro-mechanical systems，mems）器件因其体积小、功耗低、集成度高和性能优异等优势，已广泛应用于射频滤波器（例如薄膜体...

本申请属于微纳电子器件制造，涉及一种基于有机前驱体陶瓷的微纳二极管激光增材制造方法及器件。、半导体二极管作为现代电子技术的核心基础器件，其主流制造工艺以硅基平面光刻技术为核心，该技术需通过沉积、光刻、刻蚀、离子注入等多步工序在晶圆上构筑器件结构，虽可实现高精度的器件制备，但存在工艺步骤繁琐...

本发明涉及增材制造，尤其涉及一种金属有机框架材料图案化增材制造方法。、微纳结构金属有机框架材料（mof）在微传感、光电器件、催化等领域展现出巨大应用潜力。然而，实现mof材料在微纳尺度下的定向、定域、图案化集成，仍是制约其实际器件应用的瓶颈问题。传统微纳加工技术如光刻、电子束刻蚀等，虽可实...

本说明书一个或多个实施例涉及微电极制备，尤其涉及一种透明微电极阵列芯片制备方法。、生物微电极阵列（mea）芯片是细胞或组织水平上电生理信号检测与刺激的关键生物医学工程器件，其通过芯片上的多通道微电极阵列，可同步记录多个位点的细胞外动作电位或场电位，从而揭示细胞网络的电活动模式、功能连接和信...

本发明属于微纳制造领域，具体涉及一种集成粘附力可控与多维力感知驱动传感系统的转印印章。、随着材料、结构、器件与系统的制造趋于微型化、智能化、多样化、极限化,微纳制造技术已成为当今全球制造技术竞争的热点,是世纪战略必争的前沿技术。目前微纳制造技术主要包括光刻、电子束雕刻、原子层沉积、纳米压印...

本发明属于微纳制造，具体涉及一种用于微纳器件的无损流体自组装方法及其应用。、将微米尺度的组件集成到图案化基板上是先进电子系统制造的基础，这一过程对于实现高性能、低功耗和小型化的电子器件至关重要。随着电子技术的不断发展，尤其是在高性能计算、光通信、半导体、生物传感、microled（微型发光...

本发明属于集成电路制造，尤其涉及一种双面深硅刻蚀方法及mems器件。、微机电系统（mems）技术通过在硅衬底上制造高深宽比的三维微结构，广泛应用于惯性传感器、光学微镜、射频器件及生物芯片等领域。在这些器件的制造中，常常需要在硅片的正、反两面进行高精度的深度反应离子刻蚀（deep react...

本发明涉及一种封装方法，特别是涉及一种芯片封装方法及芯片封装结构。、传统的芯片封装方法通常使用贴附材料，直接覆盖整个或部分芯片区域。如果环境因素变化，例如芯片温度过高，会导致芯片和封装之间存在热膨胀的不匹配，芯片会相对于封装发生横向位移。由于热膨胀不匹配而产生的横向负荷不容易通过贴附材料的...

本发明涉及半导体器件，具体涉及一种纳米线制备方法、气体传感器制备方法及气体传感器。、气体传感器是一种将气体种类、浓度等参量转化成电信号输出的元器件，能够快速、高效地识别特定气体，对人类工业活动和社会生产中产生的有害废气情况进行及时监督反馈，从而调节人类生产活动以确保环境安全。、随着空气环境...

本申请涉及微纳器件，具体涉及一种腔光力量子器件及其制备方法。、在精密测量传感、量子力学基本问题检验以及混合量子信息处理等研究领域，基于半导体薄膜材料的机械振子的辐射压相互作用的微纳器件具有良好的应用前景。近年来，基于微纳米加工技术，各种类型的振子的量子器件的制备与研究都取得了空前的发展，作...

本揭露的实施方式是关于微机电系统装置。、已知微机电系统(electro mechanical system，mems)装置具有采用半导体材料技术获得的镜面结构。例如，这种mems装置用于携带式设备，诸如携带式计算机、膝上型计算机、笔记型计算机(包括超薄笔记型计算机)、pda、平板计算机、移...