low-E玻璃离线生产方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及玻璃的生产制造领域，具体地，涉及一种1w-E玻璃离线生产方法。
【背景技术】
[0002]玻璃是重要的建筑材料，随着对建筑物装饰性要求的不断提高，玻璃在建筑行业中的使用量也在不断的增大。然而当今人们在选择建筑物的玻璃门窗时，除了考虑其美学和外观特征外，更注重其热量控制、制冷成本等问题，这样就让1w-E玻璃成为关注的焦点。
[0003]现如今，在该种玻璃生产过后的玻璃表面很容易氧化，常常手用力的接触就会让玻璃的膜层被氧化，那么在生产的过程中，怎么做可以加强防护成为一个待解决的问题。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是提供一种1w-E玻璃离线生产方法，该1w-E玻璃离线生产方法克服了现有技术中的玻璃表面很容易氧化的问题，实现了防氧化的处理。
[0005]为了实现上述目的，本发明提供了一种1w-E玻璃离线生产方法，该方法包括:
[0006]步骤I，将原玻璃竖直设置于压强为0.1-0.6Pa区间的真空环境中；
[0007]步骤2，在所述真空环境中通入工艺气体，并保持真空环境的压强在0.1-0.6Pa区间之内；
[0008]步骤3，将磁控靶置于真空环境中，且电连接于高电压的阴极，所述磁控靶朝向原玻璃的外表面；
[0009]步骤4，多个磁控靶在与原玻璃的间隔距离不变的平面上做匀速运动。
[0010]优选地，步骤I中，所述真空环境的压强设置为02-0.5Pa。
[0011 ] 优选地，在步骤2中，所述工艺气体包括:02和N 2。
[0012]优选地，在步骤2中，所述工艺气体包括..Ar0
[0013]通过上述的实施方式，本发明的1w-E玻璃离线生产方法通过多个磁控靶在与原玻璃的间隔距离不变的平面上做匀速运动实现镀氧化层的均匀，让氧化层在镀过膜的玻璃表面形成一层厚厚的保护，防止由于错误的接触让中间层被氧化。
[0014]本发明的其他特征和优点将在随后的【具体实施方式】部分予以详细说明。
【具体实施方式】
[0015]以下对本发明的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
[0016]本发明提供一种1w-E玻璃离线生产方法，该方法包括:
[0017]步骤I，将原玻璃竖直设置于压强为0.1-0.6Pa区间的真空环境中；
[0018]步骤2，在所述真空环境中通入工艺气体，并保持真空环境的压强在0.1-0.6Pa区间之内；
[0019]步骤3，将磁控靶置于真空环境中，且电连接于高电压的阴极，所述磁控靶朝向原玻璃的外表面；
[0020]步骤4，多个磁控靶在与原玻璃的间隔距离不变的平面上做匀速运动。
[0021]通过上述的实施方式，本发明的1w-E玻璃离线生产方法通过多个磁控靶在与原玻璃的间隔距离不变的平面上做匀速运动实现镀氧化层的均匀，让氧化层在镀过膜的玻璃表面形成一层厚厚的保护，防止由于错误的接触让中间层被氧化。上述中的真空环境压强保持稳定，对于本发明来说也可以让镀膜更加方便且稳定，方便了镀膜的操作。
[0022]在本发明的一种【具体实施方式】中，步骤I中，所述真空环境的压强设置为
02-0.5Pa。在这个压强下，本发明的镀膜效果更好，更方便操作。
[0023]在本发明的一种【具体实施方式】中，在步骤2中，所述工艺气体包括:02和N2。适量的02和N 2可以参与到本发明的反应过程中，且可以保证本发明的真空环境的真空度稳定。
[0024]在本发明的一种优选实施方式中，在步骤2中，所述工艺气体包括..Ar0添加惰性气体的目的在于保证真空环境的真空度稳定。
[0025]以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
[0026]另外需要说明的是，在上述【具体实施方式】中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
[0027]此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
【主权项】
1.一种1w-E玻璃离线生产方法，其特征在于，该方法包括: 步骤I，将原玻璃竖直设置于压强为0.1-0.6Pa区间的真空环境中； 步骤2，在所述真空环境中通入工艺气体，并保持真空环境的压强在0.1-0.6Pa区间之内； 步骤3，将磁控靶置于真空环境中，且电连接于高电压的阴极，所述磁控靶朝向原玻璃的外表面； 步骤4，多个磁控靶在与原玻璃的间隔距离不变的平面上做匀速运动。2.根据权利要求1所述的1w-E玻璃离线生产方法，其特征在于，步骤I中，所述真空环境的压强设置为02-0.5Pa。3.根据权利要求1所述的1w-E玻璃离线生产方法，其特征在于，在步骤2中，所述工艺气体包括:o#pn2。4.根据权利要求1所述的1w-E玻璃离线生产方法，其特征在于，在步骤2中，所述工艺气体包括:Ar。
【专利摘要】本发明公开了一种low-E玻璃离线生产方法，该方法包括：步骤1，将原玻璃竖直设置于压强为0.1-0.6Pa区间的真空环境中；步骤2，在所述真空环境中通入工艺气体，并保持真空环境的压强在0.1-0.6Pa区间之内；步骤3，将磁控靶置于真空环境中，且电连接于高电压的阴极，所述磁控靶朝向原玻璃的外表面；步骤4，多个磁控靶在与原玻璃的间隔距离不变的平面上做匀速运动。该low-E玻璃离线生产方法克服了现有技术中的玻璃表面很容易氧化的问题，实现了防氧化的处理。
【IPC分类】C03C17/245
【公开号】CN105084774
【申请号】CN201510467786
【发明人】薛辉, 昌江, 任俊春, 金海涛
【申请人】芜湖真空科技有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月31日