一种触摸屏双面消影导电玻璃的加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及导电玻璃技术领域，尤其是一种触摸屏双面消影导电玻璃的加工方法。
【背景技术】
[0002]目前，电容屏产品使用非常广泛，而电容屏中的双面镀导电玻璃是其主要器件，双面镀导电玻璃的导电薄膜在性能方面要求比较严，比如均匀性、耐热性能、耐酸碱性能、耐高温高湿性能等；在制作透明电路的时候，由于工艺难度增加，在制作电路时常采用酸刻电路。在制作过程中，容易蚀刻掉不应该刻蚀的部位，并且存在电路蚀刻的蚀痕影迹，影响其电磁屏蔽、静电保护功能，存在的蚀痕影迹会对观看图案产生影响。
[0003]鉴于上述原因，现研发出一种触摸屏双面消影导电玻璃的加工方法。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种触摸屏双面消影导电玻璃的加工方法，具有良好的电磁屏蔽、静电防护和消影作用，并且能够完全代替现有的传统导电玻璃，为下游客户提供低耗能、高均匀性、低成本的制作电容屏用导电玻璃。
[0005]本发明为了实现上述目的，采用如下技术方案:一种触摸屏双面消影导电玻璃的加工方法，所述触摸屏双面消影导电玻璃是由上玻璃基板、锡面、空气面、上干涉层一、上透明钝化层、上干涉层二、下玻璃基板、下干涉层、下透明钝化层、透明层、ΙΤ0膜构成；上玻璃基板和下玻璃基板的两个表面均为锡面和空气面，上玻璃基板和下玻璃基板的空气面对应贴合，上玻璃基板上表面的锡面上方设置上干涉层一，上干涉层一与上干涉层二之间设置上透明钝化层，上干涉层二上方设置ΙΤ0膜，下玻璃基板下表面的锡面下方设置下干涉层，下干涉层与透明层之间设置下透明钝化层，透明层下方设置ΙΤ0膜；
[0006]所述上透明钝化层和下透明钝化层均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；
[0007]所述上干涉层一、上干涉层二、下干涉层均采用五氧化二铌。
[0008]第一步，对上玻璃基板和下玻璃基板进行处理，
[0009]A、对上玻璃基板和下玻璃基板进行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片处理；
[0010]B、对切割后的上玻璃基板和下玻璃基板进行磨边和倒角，先X磨边再倒角，旋转90°再对Y磨边及倒角；
[0011]C、刷洗吹干；
[0012]D、对磨边和倒角后的上玻璃基板和下玻璃基板进行抛光；
[0013]E、再刷洗吹干；
[0014]第二步，对上玻璃基板和下玻璃基板溅射上干涉层一、上透明钝化层、下干涉层、下透明钝化层；
[0015]A、对抛光刷洗吹干后的上玻璃基板和下玻璃基板沿空气面粘合在一起进行加热；采用的加热温度为150-280摄氏度；
[0016]B、利用磁控溅射真空镀膜设备对加热后的上玻璃基板和下玻璃基板的锡面上同时溅射上干涉层一和下干涉层，上干涉层一和下干涉层均采用五氧化二铌，上干涉层一上方和下干涉层的下方同时溅射上透明钝化层和下透明钝化层，上透明钝化层和下透明钝化层均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；
[0017]第三步，在上玻璃基板和下玻璃基板溅射的上透明钝化层和下透明钝化层上，进行上干涉层二、透明层和ΙΤ0膜溅射；
[0018]A、对第二步溅射后的上玻璃基板和下玻璃基板进行加热；加热温度采用280-380摄氏度；
[0019]B、利用磁控溅射真空镀膜设备，对加热后的上玻璃基板和下玻璃基板溅射，在上玻璃基板的上透明钝化层上方和下玻璃基板的下透明钝化层下方，同时进行上干涉层二和透明层溅射，上干涉层二采用五氧化二铌，上干涉层二上方和透明层下方同时溅射ΙΤ0膜；
[0020]C、对溅射ΙΤ0膜后的上玻璃基板和下玻璃基板，经缓冲室做退火处理:先降温至200摄氏度，再加温至300摄氏度稳定，完成对上玻璃基板和下玻璃基板的镀膜。
[0021]本发明的有益效果是:本发明能够保护氧化铟锡导电膜刻蚀线路，不受制作过程工艺中的酸溶液的蚀刻，避免在制作过程中蚀刻掉不应该刻蚀的部位，在制作过程中使氧化铟锡导电膜刻蚀线路达到设计要求，具有良好的电磁屏蔽、静电防护和消影作用，并且能够完全代替现有的传统导电玻璃，为下游客户提供低耗能、高均匀性、低成本的制作电容屏用导电玻璃。
【附图说明】
[0022]下面结合附图对本发明作进一步说明:
[0023]图1是，总装结构示意图；
[0024]图1中:上玻璃基板1、锡面2、空气面3、上干涉层一 4、上透明钝化层5、上干涉层二 6、下玻璃基板7、下干涉层8、下透明钝化层9、透明层10、IT0膜11。
【具体实施方式】
[0025]下面结合实施例与【具体实施方式】对本发明作进一步详细说明:
[0026]实施例1
[0027]上玻璃基板1和下玻璃基板7的两个表面均为锡面2和空气面3，上玻璃基板1和下玻璃基板7的空气面3对应贴合，上玻璃基板1上表面的锡面2上方设置上干涉层一 4，上干涉层一 4与上干涉层二 6之间设置上透明钝化层5，上干涉层二 6上方设置ΙΤ0膜11，下玻璃基板7下表面的锡面2下方设置下干涉层8，下干涉层8与透明层10之间设置下透明钝化层9，透明层10下方设置ΙΤ0膜11 ；
[0028]所述上透明钝化层5和下透明钝化层9均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化娃;
[0029]所述上干涉层一 4、上干涉层二 6、下干涉层8均采用五氧化二银。
[0030]实施例2
[0031]第一步，对上玻璃基板1和下玻璃基板7进行处理，
[0032]Α、对上玻璃基板1和下玻璃基板7进行切割，先X切割，再Υ切割，然后再掰片处理；
[0033]B、对切割后的上玻璃基板1和下玻璃基板7进行磨边和倒角，先X磨边，再倒角，旋转90°再对Y磨边及倒角；
[0034]C、刷洗吹干；
[0035]D、对磨边和倒角后的上玻璃基板1和下玻璃基板7进行抛光；
[0036]E、再刷洗吹干；
[0037]第二步，对上玻璃基板1和下玻璃基板7溅射上干涉层一 4、上透明钝化层5、下干涉层8、下透明钝化层9 ；
[0038]A、对抛光刷洗吹干后的上玻璃基板1和下玻璃基板7沿空气面3粘合在一起进行加热；采用的加热温度为150-280摄氏度；
[0039]B、利用磁控溅射真空镀膜设备对加热后的上玻璃基板1和下玻璃基板7的锡面2上同时溅射上干涉层一 4和下干涉层8，上干涉层一 4和下干涉层8均采用五氧化二铌，上干涉层一 4上方和下干涉层8的下方同时溅射上透明钝化层5和下透明钝化层9，上透明钝化层5和下透明钝化层9均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；
[0040]第三步，在上玻璃基板1和下玻璃基板7溅射的上透明钝化层5和下透明钝化层9上，进行上干涉层二 6、透明层10和ΙΤ0膜11溅射；
[0041]A、对第二步溅射后的上玻璃基板1和下玻璃基板7进行加热；加热温度采用280-380摄氏度；
[0042]B、利用磁控溅射真空镀膜设备，对加热后的上玻璃基板1和下玻璃基板7溅射，在上玻璃基板1的上透明钝化层5上方和下玻璃基板7的下透明钝化层9下方，同时进行上干涉层二 6和透明层10溅射，上干涉层二 6采用五氧化二铌，上干涉层二 6上方和透明层10下方同时溅射ΙΤ0膜11 ;
[0043]C、对溅射ΙΤ0膜11后的上玻璃基板1和下玻璃基板7，经缓冲室做退火处理:先降温至200摄氏度，再加温至300摄氏度稳定，完成对上玻璃基板1和下玻璃基板7的镀膜。
【主权项】
1.一种触摸屏双面消影导电玻璃的加工方法，所述触摸屏双面消影导电玻璃是由上玻璃基板(1)、锡面(2)、空气面(3)、上干涉层一(4)、上透明钝化层(5)、上干涉层二 ￠)、下玻璃基板(7)、下干涉层(8)、下透明钝化层(9)、透明层(10)、ITO膜(11)构成；其特征在于:上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)的两个表面均为锡面(2)和空气面(3)，上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)的空气面(3)对应贴合，上玻璃基板(1)上表面的锡面(2)上方设置上干涉层一(4)，上干涉层一(4)与上干涉层二(6)之间设置上透明钝化层(5)，上干涉层二(6)上方设置ITO膜(11)，下玻璃基板(7)下表面的锡面(2)下方设置下干涉层(8)，下干涉层⑶与透明层(10)之间设置下透明钝化层(9)，透明层(10)下方设置ITO膜(11); 所述上透明钝化层(5)和下透明钝化层(9)均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化娃； 所述上干涉层一(4)、上干涉层二 ￠)、下干涉层(8)均采用五氧化二铌。2.一种触摸屏双面消影导电玻璃的加工方法，其特征在于: 第一步，对上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)进行处理， A、对上玻璃基板⑴和下玻璃基板(7)进行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片处理； B、对切割后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)进行磨边和倒角，先X磨边，再倒角，旋转90°再对Y磨边及倒角； C、刷洗吹干； D、对磨边和倒角后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)进行抛光； E、再刷洗吹干； 第二步，对上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)溅射上干涉层一(4)、上透明钝化层(5)、下干涉层(8)、下透明钝化层(9); A、对抛光刷洗吹干后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)沿空气面(3)粘合在一起进行加热；采用的加热温度为150-280摄氏度； B、利用磁控溅射真空镀膜设备对加热后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)的锡面(2)上同时溅射上干涉层一(4)和下干涉层(8)，上干涉层一(4)和下干涉层(8)均采用五氧化二铌，上干涉层一(4)上方和下干涉层(8)的下方同时溅射上透明钝化层(5)和下透明钝化层(9)，上透明钝化层(5)和下透明钝化层(9)均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化娃； 第三步，在上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)溅射的上透明钝化层(5)和下透明钝化层(9)上，进行上干涉层二(6)、透明层(10)和ITO膜(11)溅射； A、对第二步溅射后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)进行加热；加热温度采用280-380摄氏度； B、利用磁控溅射真空镀膜设备，对加热后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)溅射，在上玻璃基板(1)的上透明钝化层(5)上方和下玻璃基板(7)的下透明钝化层(9)下方，同时进行上干涉层二(6)和透明层(10)溅射，上干涉层二(6)采用五氧化二铌，上干涉层二(6)上方和透明层(10)下方同时溅射ITO膜(11); C、对溅射ITO膜(11)后的上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)，经缓冲室做退火处理:先降温至200摄氏度，再加温至300摄氏度稳定，完成对上玻璃基板(1)和下玻璃基板(7)的镀膜。
【专利摘要】一种触摸屏双面消影导电玻璃的加工方法，第一步，对上玻璃基板和下玻璃基板进行处理，第二步，对上玻璃基板和下玻璃基板溅射上干涉层一、上透明钝化层、下干涉层、下透明钝化层；第三步，在上玻璃基板和下玻璃基板溅射的上透明钝化层和下透明钝化层上，进行上干涉层二、透明层和ITO膜溅射；具有良好的电磁屏蔽、静电防护和消影作用，并且能够完全代替现有的传统导电玻璃，为下游客户提供低耗能、高均匀性、低成本的制作电容屏用导电玻璃。
【IPC分类】C03C17/36, C03C27/06
【公开号】CN105271821
【申请号】CN201510695001
【发明人】王恋贵, 董安光, 谭华, 秦遵红
【申请人】洛阳康耀电子有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年10月19日