光刻图案化过程和其中使用的抗蚀剂的制作方法
【专利摘要】一种光刻过程包括在用于EUV光刻过程的抗蚀剂材料中使用含硅聚合物和/或包括选自由下列元素构成的组中的至少一个元素的化合物：Ta、W、Re、Os、Ir、Ni、Cu和Zn。在该过程中使用的EUV光波长小于11nm，例如6.5-6.9nm。本发明还涉及新的含硅聚合物。
【专利说明】光刻图案化过程和其中使用的抗蚀剂
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2011年7月8日递交的美国临时申请61/505，768的权益，其在此通过引用整体并入本文。
【技术领域】
[0003]本发明涉及使用用于光刻目的的包括特定金属的特别的含硅聚合物或化合物和使用这种聚合物或化合物的新的图案化方法或过程。本发明还涉及含硅聚合物本身，和在涉及发射小于Ilnm的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻过程中作为抗蚀剂的、包括特定金属的含硅聚合物或化合物的用途。
【背景技术】
[0004]在光刻技术中，期望的图案被施加到衬底上，通常是衬底的目标部分上。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成将要在所述IC的单层上形成的电路图案。这种图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分上。通常，图案转移是通过将图案成像到设置在衬底上的、通常称为抗蚀剂的辐射敏感材料的层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻的目标部分的网络。
[0005]光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(I)所示:
[0006]
【权利要求】
1.一种用具有小于Ilnm的波长的图案化的EUV光束照射抗蚀剂材料的抗蚀剂膜的方法，所述抗蚀剂材料包括含娃聚合物和/或包括选自由下列元素构成的组中的至少一个元素的化合物:Ta、W、Re、Os、Ir、N1、Cu 和 Zn。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述波长在5-8nm的范围内，例如在6.5-6.9nm的范围内，例如为大约6.7nm或6.8nm。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中抗蚀剂材料被作为膜沉积在衬底上，并且其中所述膜具有在IOnm至IOOnm的范围内的厚度，例如小于50nm的厚度。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述含硅聚合物包括具有以下化学式的单体:
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述烷基甲硅烷基选自由下列构成的组:三甲基甲硅烷基、戊甲基二甲硅烷基、庚甲基三甲硅烷基以及壬甲基四甲硅烷基。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述化合物是氧化物。
7.根据权利要求1-3和6中任一项所述的方法，其中所述元素是钽。
8.一种光刻图案化过程，包括: 在衬底上形成抗蚀剂材料的膜； 用小于Ilnm波长的图案化的EUV光的辐射束照射抗蚀剂膜；以及 显影所述抗蚀剂膜； 其中所述抗蚀剂材料包括含娃聚合物和/或包括选自由下列元素构成的组中的至少一个元素的化合物:Ta、W、Re、0s、Ir、N1、Cu和Zn。
9.根据权利要求8所述的过程，其中所述波长在5-8nm的范围内，例如6.5-6.9nm的范围内，例如是大约6.7nm或6.8nm。
10.根据权利要求8或9所述的过程，其中所述膜具有在IOnm至IOOnm的范围内的厚度，例如小于50nm。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的过程，其中所述含硅聚合物包括具有以下化学式的单体:
12.根据权利要求11所述的过程，其中所述烷基甲硅烷基选自由下列构成的组:三甲基甲硅烷基、戊甲基二甲硅烷基、庚甲基三甲硅烷基以及壬甲基四甲硅烷基。
13.根据权利要求8至10中任一项所述的过程，其中所述化合物是氧化物。
14.根据权利要求8至10和13中任一项所述的过程，其中所述元素是钽。
15.一种含硅聚合物，包括具有以下化学式的单体:
16.一种制造器件的方法，其中通过一系列光刻步骤以及其他处理步骤将图案化的器件特征施加至衬底，并且其中，所述光刻步骤中的至少一个是如权利要求8至15中任一项所述的光刻图案化过程。
17.含硅聚合物和/或包括选自由下列元素构成的组中的至少一个元素的化合物在用于EUV光刻过程的抗蚀剂材料中的用途:Ta、W、Re、Os、Ir、N1、Cu和Zn，其中用在所述过程中的EUV辐射的波长小于llnm。
18.根据权利要求17所述的用途，其中所述波长在5-8nm的范围内，例如在6.5-6.9nm的范围内，例如是大约6.7nm或6.8nm。
19.根据权利要求18或19所述的用途，其中抗蚀剂材料被作为膜沉积在衬底上，并且其中所述膜具有在IOnm至IOOnm的范围内的厚度，例如小于50nm的厚度。
20.根据权利要求17-19中任一项所述的用途，其中所述含硅聚合物包括具有以下化学式的单体:
21.根据权利要求20所述的用途，其中所述烷基甲硅烷基选自由下列构成的组:三甲基甲硅烷基、戊甲基二甲硅烷基、庚甲基三甲硅烷基以及壬甲基四甲硅烷基。
22.根据权利要求17-19中任一项所述的用途，其中所述化合物是氧化物。
23.根据权利要求17-19和22中任一项所述的用途，其中所述元素是钽。
【文档编号】C08F30/08GK103649830SQ201280033742
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2012年5月30日 优先权日:2011年7月8日
【发明者】S·伍伊斯特尔, A·亚库宁, V·克里夫特苏恩 申请人:Asml荷兰有限公司