1.一种用于清洁或清洗产品的组合物，其包含：
(a)式(i)离子化合物作为一级表面活性剂，
其中
x是阳离子，
y1与y2中的一个是阴离子极性基团，且另一个是氢，
基团z1、z2和z3各自彼此独立地是：
-支化或未支化的c1-10烷基，
或
-具有结构ri-{a[-c(r1)(r2)-]c[-c(r3)(r4)-]d}e-的基团，其中：
r1、r2、r3和r4彼此独立地是氢或支化或未支化的c1-4烷基，
ri是支化或未支化的c1-10氟烷基，
a是氧、硫和/或-n(h)-，
c是在0至10范围内的整数，
d是在0至10范围内的整数，
e是在1至5范围内的整数，
前提是c与d不同时为0，
且其中基团z1、z2或z3中的至少一个是具有结构ri-{a[-c(r1)(r2)-]c[-c(r3)(r4)-]d}e-的基团；
和
(b)至少一种含有一个或多个聚烷氧基和/或聚亚烷氧基的非离子化合物作为二级表面活性剂。
2.根据权利要求1所述的组合物，其包含：
(a)式(i)离子化合物作为一级表面活性剂，和
(b)至少一种含有一个或多个聚烷氧基和/或聚亚烷氧基的非离子化合物作为二级表面活性剂，所述至少一种非离子化合物是选自由以下组成的组：
(b1)式(ii)化合物
r5-[o-r6]l-or18(ii)
其中
r5是支化或未支化的、优选支化c6-12氟烷基，或优选含有1或2个双键的支化或未支化的、优选支化c6-12氟烯基，
r6是支化或未支化的c2-6亚烷基，优选支化或未支化的c2-4亚烷基，
r18是氢或支化或未支化的c1-4烷基，优选甲基，
且
l是在5至30范围内、优选在6至25范围内的整数；
(b2)式(iii)化合物，
h3c-(ch2)m-ch2-[o-r7]n-or19(iii)
其中
r7是支化或未支化的c2-6亚烷基，优选支化或未支化的c2-4亚烷基，
r19是氢或支化或未支化的c1-4烷基，优选甲基，
m是在5至30范围内、优选在6至25范围内的整数；
且
n是在5至30范围内、优选在6至25范围内的整数；
(b3)式(iv)化合物，
其中
r17是支化或未支化的c2-6亚烷基，优选支化或未支化的c2-4亚烷基，
且
o是在5至30范围内、优选在6至25范围内的整数，
(b4)式(v)化合物，
其中
r8、r13和r14各自彼此独立地是氢或甲基，
r9、r11和r12各自彼此独立地是支化或未支化的c2-6亚烷基，优选支化或未支化的c2-4烷基，
r10是支化或未支化的c1-4烷基
且
p、q和r各自彼此独立地是在2至25范围内的整数，
和
(b5)式(vi)化合物，
(h3c)3si-o-r15-o-si(ch3)3(vi)
其中
r15由以下组成：
数目在1至100范围内的式(vii)重复单元：
-[si(ch3)2-o]-(vii)，
和
数目在1至100范围内的式(viii)重复单元：
-[si(ch3)(r16)-o]-(viii)，
其中r16是包含一个或多个乙二醇基团和/或一个或多个丙二醇基团的基团，
且其中这些式(vii)重复单元和这些式(viii)重复单元如下排列：
-无规排列，或
-在无规交替嵌段中排列，这些无规交替嵌段在每种情况下按每嵌段计包含两个或更多个式(vii)重复单元或式(viii)重复单元。
3.根据前述权利要求中任一项、优选根据权利要求2所述的组合物，其包含：
(a)式(i)离子化合物作为一级表面活性剂，其中基团z1、z2和z3各自彼此独立地是具有结构ri-{a[-c(r1)(r2)-]c[-c(r3)(r4)-]d}e-的基团，
和/或
(b)至少一种式(ii)非离子化合物作为二级表面活性剂。
4.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中在式(i)化合物中，
x是不含金属的单价阳离子，其优选选自由以下组成的组：
-质子
和
-基团nr4+，其中每个r独立地选自由以下组成的组：h和支化或未支化的c1-6烷基，优选支化或未支化的c1-4烷基；
y1与y2中的一个是选自由以下组成的组的阴离子极性基团：-coo-、-so3-、-(o)so3-、-po32-和-(o)po32-，且另一个是氢，
且
基团z1、z2和z3各自彼此独立地是：
-具有结构ri-{a[-c(r1)(r2)-]c[-c(r3)(r4)-]d}e-的基团，其中：
r1、r2、r3和r4彼此独立地是氢或支化或未支化的c1-4烷基，
ri是支化或未支化的c1-10氟烷基，
c是在1至10范围内的整数，
d是在1至10范围内的整数，
且
e是在1至5范围内的整数。
5.根据前述权利要求中任一项、优选根据权利要求4所述的组合物，其中在式(i)化合物中，
x是选自由以下组成的组：
-质子
和
-基团nr4+，其中每个r独立地选自由以下组成的组：h和支化或未支化的c1-6烷基，优选支化或未支化的c1-4烷基；更优选基团nr4+是nh4+，
y1与y2中的一个是磺酸根-so3-，且另一个是氢，优选y1是磺酸根且y2是氢，
基团z1、z2和z3各自彼此独立地是：
-具有结构f3c(cf2)a(ch2)b{-o[-c(r1)(r2)-]c[-c(r3)(r4)-]d}e-的基团，其中：
r1、r2、r3和r4彼此独立地是氢或支化或未支化的c1-4烷基，优选c1-2烷基，
a是在0至2范围内的整数，优选是1或2，
b是在1至6范围内的整数，优选是1或2，
c是在1至10范围内的整数，优选是1或2，
d是在1至10范围内的整数，优选是1或2，
且
e是在1至5范围内的整数，优选是1，
且其中优选所有基团z1、z2和z3具有相同的结构。
6.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中式(ii)化合物是选自由以下组成的组：
-式(iia)化合物：
其中
r6是支化或未支化的c2-6亚烷基，优选支化或未支化的c2-4亚烷基，
r18是氢或支化或未支化的c1-4烷基，优选甲基，
且
l是在5至30范围内、优选在6至25范围内的整数，
-式(iib)化合物：
其中
r6是支化或未支化的c2-6亚烷基，优选支化或未支化的c2-4亚烷基，
r18是氢或支化或未支化的c1-4烷基，优选甲基，
且
l是在5至30范围内、优选在6至25范围内的整数
和
它们的混合物。
7.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其包含以下组分作为其它组分：
(c)水。
8.根据前述权利要求中任一项、优选根据权利要求3-7中任一项所述的组合物，其中：
-存在于该组合物中的式(i)化合物与式(ii)化合物之间的质量比是在1:4至1:1范围内，优选在1:3至3:4范围内，
和/或
-存在于该组合物中的以下量的总和：
-式(i)化合物的总量和
-式(ii)化合物的总量
基于该组合物的总重量计是在0.01重量％至0.5重量％范围内，优选在0.02重量％至0.25重量％范围内，更优选在0.05重量％至0.12重量％范围内。
9.根据前述权利要求中任一项、优选根据权利要求7或8所述的组合物，其中：
-该组合物的平衡表面张力小于35mn/m，优选小于30mn/m，更优选小于28mn/m，优选根据din53914:1997-07标准在25℃下用kruess表面张力计k100通过平板法测量，
和/或
-该组合物的ph是在4.0至11.0范围内，优选在7.0至11.0范围内，更优选在8.0至10.0范围内。
10.一种根据权利要求1至9中任一项所定义的组合物用于清洁或清洗产品的用途，该产品优选是包含基板和其上所支撑的图案化材料的产品，该图案化材料具有线宽为等于或低于50nm的线-间隙结构。
11.根据权利要求10所述的用途，其中：
-所述清洁或清洗是用于生产集成电路装置、光学装置、微机械或机械精密装置的工艺的一部分，
和/或
-所述基板是半导体基板。
12.根据权利要求10至11中任一项所述的用途，其中该组合物用于清洁或清洗，使得：
-防止或减少图案崩溃，
-降低线边缘粗糙度，
-防止或去除水印缺陷，
-防止或减少光致抗蚀剂溶胀，
-防止或减少斑点缺陷，
和/或
-去除粒子。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的用途，其中：
-所述具有线宽为等于或低于50nm的线-间隙结构的图案化材料层是选自由以下组成的组：图案化显影的光致抗蚀剂层、图案化隔绝材料层、图案化多堆叠材料层和图案化介电材料层，
和/或
-所述图案化材料层对于光致抗蚀剂结构和/或对于图案化多堆叠线/间隙结构具有大于2、优选大于3的纵横比，
和/或
-所述图案化材料具有线宽为等于或低于32nm、优选等于或低于22nm的线-间隙结构。
14.一种生产经清洁或清洗的产品的方法，该产品包含基板和其上所支撑的图案化材料层，该图案化材料层具有线宽为等于或低于50nm的线-间隙结构，该方法包括以下步骤：
-制备或提供以下产品，该产品包含基板和其上所支撑的图案化材料层，该图案化材料层具有线宽为等于或低于50nm的线-间隙结构，
-制备或提供根据权利要求1至9中任一项中所定义的组合物，和
-用该组合物清洁或清洗该产品以获得经清洁或清洗的产品。
15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括以下步骤：
-提供具有浸渍式光致抗蚀剂层、euv光致抗蚀剂层或电子束光致抗蚀剂层的基板，
-在存在或不存在浸渍液体的情况下，使该光致抗蚀剂层经由光掩膜曝露于光化辐射中，
-用显影剂溶液使曝光的光致抗蚀剂层显影以获得具有线宽为等于或低于50nm的线-间隙结构的图案，以便产生包含基板和其上所支撑的图案化材料层的产品，该图案化材料层具有线宽为等于或低于50nm的线-间隙结构，
-用该组合物清洁或清洗该产品以获得经清洁或清洗的产品，和任选地，
-对经清洁或清洗的产品进行干燥，这优选通过旋转干燥或通过干燥工艺进行。